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中國半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn),是零的突破

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-20 11:42 ? 次閱讀
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中國三大存儲器廠,長江存儲、晉華及合肥長鑫都已進(jìn)入試產(chǎn)階段,并計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這是中國半導(dǎo)體業(yè)的一場存儲器突圍戰(zhàn),是零的突破。

中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展由于其獨(dú)特的地位決定了它必須實(shí)現(xiàn)“自主可控”。然而半導(dǎo)體業(yè)有它的規(guī)律,包括有兩個(gè)主要方面,一個(gè)是摩爾定律推動,其精髓是技術(shù)必須迅速的進(jìn)步,每18個(gè)月同樣的產(chǎn)品其成本可能下降50%;以及另一個(gè)是實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),半導(dǎo)體是個(gè)高度規(guī)模經(jīng)濟(jì)的產(chǎn)業(yè)。因而在一定程度上這個(gè)產(chǎn)業(yè)需要大量的投資,搜羅頂級的人材,以及生產(chǎn)線的嚴(yán)格管理。而這兩個(gè)方面都與工業(yè)基礎(chǔ)緊密關(guān)連,顯然現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)是不足的,因此產(chǎn)業(yè)的突圍,可能需要時(shí)間的積累。

盡管面臨的困難重重,也不可能阻擋突圍的決心,因?yàn)橹袊鎯ζ鳂I(yè)突圍存在不少的有利條件:

?國家意志主導(dǎo),加上政府,地方等齊動手,有充裕的資金支持。

?中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中國進(jìn)口存儲器889.21億美元,同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

?根據(jù)美光、三星、海力士的財(cái)報(bào)統(tǒng)計(jì),2017年,三家公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元,總計(jì)446.8億美元,同比2016財(cái)年的321億美元增長39.16%。

?長江存儲、晉華及合肥長鑫三家,屬于三個(gè)不同類別,分別是長江存儲的32層3D NAND閃存;晉華的32納米、利基型DRAM,以及長鑫的19納米先進(jìn)型DRAM。

?中國的IoT應(yīng)用市場發(fā)展迅速,有著名的騰訊、百度與阿里巴巴等,它們推動5G、數(shù)據(jù)中心、互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。

?存儲器、控制器等配套產(chǎn)業(yè)鏈正在形成。

按照存儲器業(yè)的特點(diǎn),中國把存儲器芯片生產(chǎn)線打通是有把握的,然而困難的是產(chǎn)能爬坡的速率,也即產(chǎn)能由試產(chǎn)的5,000片至20,000,或者30,000片時(shí),產(chǎn)品的良率及成本,它直接決定了產(chǎn)能繼續(xù)擴(kuò)充的可能性,因?yàn)橥ǔ.a(chǎn)能必須擴(kuò)充到50,000,或者100,000片時(shí),芯片生產(chǎn)線才有可能實(shí)現(xiàn)盈利,但是此段過程可能相對用較長的時(shí)間。

在產(chǎn)能擴(kuò)充的過程中,對手們不會輕易放過,一定會利用專利及價(jià)格戰(zhàn)阻礙的突圍。

對手十分清楚,專利戰(zhàn)的目的在于阻礙中國存儲器業(yè)的進(jìn)步,如之前臺積電打擊中芯國際時(shí),讓領(lǐng)軍人物下臺以及索賠。

準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)@麘?zhàn),并且不要抱有幻想,這一仗是不可避免的。因此為了迎接專利戰(zhàn),必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體,從公司成立起就聘用美國律師,做好應(yīng)戰(zhàn)的準(zhǔn)備。

另一個(gè)是三星、美光慣用的產(chǎn)品價(jià)格戰(zhàn),它們占有先手的優(yōu)勢、產(chǎn)品的成熟、以及資金充裕,因此在短時(shí)間內(nèi)甚至虧本銷售是常用的策略,讓產(chǎn)品銷售有困難。

因此中國存儲器業(yè)面臨的最大問題可能有兩個(gè)方面,一個(gè)是不要輕敵,認(rèn)為用不了幾年就能突圍成功,要把困難想得更多些,例如中國存儲器的消耗量很大,依靠國家意志與支持就能生存下來,恐怕不能太依賴,因?yàn)橹挥挟a(chǎn)品的性價(jià)比相近,才有生存的可能性;另一個(gè)是堅(jiān)持,這個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)告訴我們,只有堅(jiān)持到底,才有可能立足,生存下來。今天無論19納米DRAM的良率提升與成本下降,以及32層3D NAND閃存向64層3D NAND閃存的技術(shù)過渡都需要時(shí)間上的積累,不可能一蹴而成。

另外,由于沒有經(jīng)過真正的實(shí)踐與體會,對于“板凳要坐十年冷”,可能僅停留在概念上。當(dāng)那個(gè)時(shí)刻真的來臨時(shí),可能意想不到的各種困難會呈現(xiàn),能堅(jiān)持下來就一定十分不易。

較為樂觀的估計(jì),能用5年左右的時(shí)間,達(dá)到全球市場(2018年存儲器業(yè)產(chǎn)值預(yù)測可達(dá)1,500億美元)占比的3% - 5%,也即DRAM與NAND的累加產(chǎn)值能達(dá)到近50億美元,表明中國存儲器業(yè)的突圍取得了初步的成功。

莫大康:浙江大學(xué)校友,求是緣半導(dǎo)體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學(xué)者、行業(yè)評論家。

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原文標(biāo)題:【名家專欄】中囯半導(dǎo)體迎接存儲器突圍戰(zhàn)

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