8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiC MOSFET G2 1400V分立器件以及全新封裝的1200V Easy C系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì)，榮獲2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)——“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”。英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)王丹代表公司出席了頒獎(jiǎng)典禮并領(lǐng)獎(jiǎng)。目前兩款產(chǎn)品均已上市，可通過(guò)英飛凌官網(wǎng)申請(qǐng)樣品試用。

1400V CoolSiC MOSFET G2系列

針對(duì)高母線(xiàn)電壓應(yīng)用場(chǎng)景，1400V CoolSiC MOSFET G2系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，可輕松適配母線(xiàn)電壓超過(guò)1000V的工況。該系列產(chǎn)品通過(guò)將功率管腳加粗至2mm，顯著提升了器件的電流承載能力；同時(shí)采用背板回流焊工藝，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。目前，該系列已推出TO-247及TO-247 Plus Reflow兩種封裝形式，其最低導(dǎo)通電阻（Rdson）低至6毫歐，性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

CoolSiC MOSFET G2 Easy C系列

1200V碳化硅模塊

最新推出的CoolSiC MOSFET G2 Easy C系列1200V碳化硅模塊全新封裝，在業(yè)內(nèi)首次發(fā)布就引起廣泛關(guān)注。該產(chǎn)品集多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)于一身。在芯片技術(shù)上，憑借先進(jìn)的G2芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了RDS(on)*A降低25%、輸出功率提高約30%，效率更是達(dá)到行業(yè)頂尖水準(zhǔn)。創(chuàng)新耐高溫材料，賦予產(chǎn)品卓越的耐高溫性能，不僅能在175°C的正常工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，在200°C過(guò)載條件下也能可靠工作。全新PressFIT引腳使電流承載能力翻倍，有效降低PCB溫度，且優(yōu)化了安裝流程。為滿(mǎn)足多樣化需求，產(chǎn)品還配備兩種不同的Pin腳連接技術(shù)供選擇。