ABB推出第三代鑄造機(jī)器人——IRB6790
IRB 6790的設(shè)計可確保嚴(yán)苛環(huán)境中的高穩(wěn)定性，同時維護(hù)成本降低60%。該機(jī)器人共有兩款可選：一款負(fù)載為205kg，工作范圍為2.8m；另一款負(fù)載為235kg，工作范圍為2.65m。
IRB 6790具備高柔性，可在同一工作站內(nèi)清洗不同形狀的零件，無需換線，方便汽車制造商、原始設(shè)備制造商及其供應(yīng)商進(jìn)行大規(guī)模定制化生產(chǎn)。除了提升柔性和生產(chǎn)效率外，該解決方案還提升了生產(chǎn)速度，并將生產(chǎn)節(jié)拍平均縮短了5%。
該機(jī)器人可在通常不適合工業(yè)機(jī)器人的嚴(yán)苛潮濕環(huán)境中工作，更加耐高溫、耐高壓清潔、耐化學(xué)腐蝕和防塵。此外，該產(chǎn)品還符合IP69防護(hù)等級要求，防水防塵，化學(xué)清潔劑PH值可高達(dá)10。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
機(jī)器人
+關(guān)注
關(guān)注
213文章
31514瀏覽量
223900 -
ABB
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
575瀏覽量
57453
原文標(biāo)題：ABB推出IRB 6790鑄造機(jī)器人
文章出處：【微信號：robotmagazine，微信公眾號：機(jī)器人技術(shù)與應(yīng)用】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
基本半導(dǎo)體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品
基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺，基本半導(dǎo)體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款頂部散熱封裝產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品聚焦工業(yè)與車載功率電子應(yīng)用的實際痛點(diǎn)，在芯片性能與封裝設(shè)計上進(jìn)行針對性優(yōu)化，在實現(xiàn)更低損耗與更高效率的同時，
再談低溫?zé)Y(jié)銀的應(yīng)用：從春晚四家機(jī)器人出鏡的幕后推手說起
、芯片封裝、功率模塊的關(guān)鍵支撐；而低溫?zé)Y(jié)銀正從實驗室走向機(jī)器人、新能源、第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)核心，成為高端電子互連的 隱形推手。
一、春晚四家機(jī)器人：幕后推手與技術(shù)硬核
1 四家機(jī)器人
發(fā)表于 02-17 14:07
第三代特斯拉人形機(jī)器人將亮相，預(yù)計年產(chǎn)百萬臺
2月2日，特斯拉官方微博發(fā)布消息稱，第三代特斯拉人形機(jī)器人，即將正式亮相。據(jù)官方消息，新機(jī)完全跳出現(xiàn)有供應(yīng)鏈體系，從第一性原理出發(fā)重新設(shè)計，不用復(fù)雜編程，觀察人類行為、聽口頭指令甚至看段視頻，就能自主執(zhí)行任務(wù)。
瑞可達(dá)推出第三代模塊化交直流一體充電插座
瑞可達(dá)憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新精神，推出第三代模塊化交直流一體充電插座，以全新設(shè)計突破行業(yè)瓶頸，為新能源汽車充電系統(tǒng)提供更優(yōu)解決方案。
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證
尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推
評論