FHP170N8F3A作為一款高性能N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220封裝，具備優(yōu)異的電氣特性與可靠性，可廣泛適用于各類DC/DC電源、DC-AC逆變器、AC-DC開關(guān)電源的同步整流、儲能電源系統(tǒng)，以及園林工具和BLDC電機驅(qū)動等高要求場景。

該MOS管不僅能代換IPP037N08N3G及STP170N8F7等型號使用，而且由于其具體參數(shù)特點優(yōu)異還能提升高頻開關(guān)電源及逆變器的整體性能與EMC表現(xiàn)。

一、FHP170N8F3A在電源與電機驅(qū)動設(shè)計的特點

1、電壓電流適配廣泛：85V的漏源電壓（VDSS）與185A的連續(xù)漏極電流（ID），使其能夠勝任多數(shù)DC/DC電源、DC-AC逆變器及電機驅(qū)動中的功率開關(guān)任務(wù)。

2、低導(dǎo)通電阻，高效率：RDS(on)典型值僅為2.95mΩ@VGS=10V，最大值為4.0mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率和電機驅(qū)動性能。

3、強柵極驅(qū)動兼容性：VGS耐受范圍達±20V，適配主流柵極驅(qū)動芯片，提升系統(tǒng)設(shè)計的靈活性。

4、符合RoHS標準，采用SGT（屏蔽柵 trench）工藝，兼具低FOM（RDS(on) × Qg）與高動態(tài)性能。

二、FHP170N8F3A核心參數(shù)的匹配適用

該器件為N溝道增強型功率MOSFET，主要參數(shù)如下：

VDSS: 85V

ID: 185A

最大脈沖漏極電流IDM: 480A

RDS(on) = 4.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =2.95mΩ(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0–4.0V

封裝: TO-220

FHP170N8F3A是一款性能全面、封裝適用廣的中低壓MOSFET，特別適用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、AC-DC開關(guān)電源的同步整流、儲能電源系統(tǒng)等中高功率應(yīng)用。飛虹半導(dǎo)體作為國內(nèi)功率器件重要供應(yīng)商，不僅提供各類型MOS管、IGBT單管、三極管等標準型號，還支持定制化需求，并已實現(xiàn)與多家廠商的穩(wěn)定合作。