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臺(tái)積電狂砸310億元奔向3nm工藝

dKBf_eetop_1 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-17 16:45 ? 次閱讀
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8月14日,臺(tái)積電召開(kāi)董事會(huì),做出多項(xiàng)重大決議,首要的就是投入巨額資金,繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能和工藝,保持領(lǐng)先地位。

臺(tái)積電已經(jīng)核準(zhǔn)資本預(yù)算約13643796萬(wàn)新臺(tái)幣(約合人民幣310億元),將用于:

1、興建新的工廠廠房;

2、建設(shè)、擴(kuò)充、升級(jí)先進(jìn)工藝產(chǎn)能;

3、將邏輯工藝產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為特殊工藝產(chǎn)能;

4、將成熟工藝產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為特殊工藝產(chǎn)能;

5、擴(kuò)充、升級(jí)特殊工藝產(chǎn)能;

6、擴(kuò)充先進(jìn)封裝工藝產(chǎn)能;

7、2018年第四季度研發(fā)資本預(yù)算與經(jīng)常性資本預(yù)算。

同時(shí),臺(tái)積電任命黃漢森博士為技術(shù)研究(Corporate Research)主管,其擁有美國(guó)利哈伊大學(xué)(Lehigh University)電氣工程學(xué)博士學(xué)位,曾在IBM半導(dǎo)體部門(mén)工作達(dá)16年。

目前,臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7nm工藝,大客戶包括蘋(píng)果、高通、華為、AMD、NVIDIA等等,并在明年升級(jí)加入部分EUV極紫外光刻技術(shù),而到了后年,臺(tái)積電將投產(chǎn)5nm,并全面普及EUV。

看這意思,臺(tái)積電已經(jīng)是奔著3nm工藝而去了。

很顯然,無(wú)論三星還是Intel,在臺(tái)積電面前都已經(jīng)追趕不及,聯(lián)電這樣的代工老字號(hào)甚至都不得不放棄了12nm以下先進(jìn)工藝。

另外,臺(tái)積電還核準(zhǔn)對(duì)設(shè)立在英屬維京群島的全資子公司TSMC Global Ltd.增至不超過(guò)20億美元,以降低外匯避險(xiǎn)成本。

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原文標(biāo)題:進(jìn)擊的臺(tái)積電!狂砸310億元:建設(shè)新廠、開(kāi)發(fā)新工藝,奔向3納米

文章出處:【微信號(hào):eetop-1,微信公眾號(hào):EETOP】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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