業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出新一代雙電壓高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。該系列采用1.8V核心電壓與1.2V I/O電壓設計，可直接連接1.2V SoC，無需外部電平轉換器，顯著降低系統(tǒng)功耗并優(yōu)化BOM成本。作為繼GD25NF與GD25NE系列之后的第三代雙電壓供電產(chǎn)品，GD25NX系列延續(xù)了兆易創(chuàng)新在雙電壓供電領域的技術積累。該產(chǎn)品系列兼具高速數(shù)據(jù)傳輸能力與高可靠性，廣泛適用于可穿戴設備、數(shù)據(jù)中心、邊緣AI及汽車電子等對穩(wěn)定性、響應速度、能效比要求嚴苛的應用場景。

GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高時鐘頻率為STR 200MHz，DTR 200MHz，實現(xiàn)高達400MB/s數(shù)據(jù)吞吐量。該系列的寫入時間典型值為0.12ms，扇區(qū)擦除時間為27ms，其與常規(guī)1.8V八通道Flash相比，寫入速度提升30%，擦除速度提升10%。為保障數(shù)據(jù)可靠性，GD25NX系列集成ECC算法與CRC校驗功能，有效增強數(shù)據(jù)完整性并延長產(chǎn)品使用壽命。同時，該系列支持DQS功能，為高速系統(tǒng)設計提供完整信號保障，滿足數(shù)據(jù)中心和汽車電子等高穩(wěn)定性應用需求。

依托創(chuàng)新的1.2V I/O接口架構，GD25NX系列在實現(xiàn)卓越性能的同時，也具備出色的低功耗表現(xiàn)。其讀取電流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA；與常規(guī)的1.8V八通道SPI NOR Flash產(chǎn)品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口設計可將讀功耗降低50%，在確保高速運行的同時顯著提升系統(tǒng)能效，為功耗敏感型應用提供更具競爭力的解決方案。

“GD25NX系列的誕生開創(chuàng)了低電壓與高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易創(chuàng)新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“其設計緊貼主流SoC對低電壓接口的需求，為客戶帶來了更高的集成度與更低的BOM成本。未來，兆易創(chuàng)新將持續(xù)拓展雙電壓供電產(chǎn)品線，覆蓋更豐富的容量與封裝規(guī)格，助力客戶打造更加高效、可靠的低功耗存儲解決方案?！?/p>

兆易創(chuàng)新GD25NX系列提供64Mb和128Mb兩種容量選擇，靈活滿足不同應用對存儲空間的差異化需求。該系列支持TFBGA24 8x6mm(5x5 ball array)以及WLCSP(4x6 ball array)封裝形式。目前，128Mb的GD25NX128J產(chǎn)品已開放樣片供客戶評估，64Mb容量的GD25NX64J樣片也在同步準備中。如需獲取詳細技術資料或報價信息，歡迎聯(lián)系當?shù)厥跈噤N售代表。

審核編輯 黃宇