可嵌入心電震發(fā)生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用幾年了，它在世界衛(wèi)生組織和各成員國的關注和支持下得以不斷的補充、完善，并成為國際公認的衛(wèi)生信息標準分類。經(jīng)26個國家的代表共同修訂，通過了一個包括179組死因的詳細分類和一個包含35組死因的簡略分類，這是國際疾病分類（ICD）的第一個版本。此后，每隔10年左右，由法國政府和世界衛(wèi)生組織先后主持了10次對ICD的國家修訂會議，以補充和完善ICD的內容。

用電荷泵產(chǎn)生高電壓并把它存儲存一個大電容器上。通常，電擊（脈沖）通過一個2相脈沖傳送到心臟。圖1示出2相電震發(fā)生器系統(tǒng)和產(chǎn)生所需雙相脈沖的高壓橋的原理框圖。此應用由兩個相同的半橋組成，每個半橋有兩個開關，一個連接地、一個連接高電壓。隔離柵雙極晶體管（IGBT）最常用做開關元件，因為IGBT具有最小的導通電阻及硅面積。高端IGBT需要一個柵極電壓，此電壓比開關電壓高10～15V。通常用一個變壓器進行高壓控制器和開關之間的電平變換。圖2示出一個橋所需元件的原理框圖。

采用變壓器有明顯的缺點：

1.分選來自不同廠家的分立元件，使制造變復雜并增加成本。

2.變壓器體積大而且在生產(chǎn)中難以控制，這導致可靠性降低。

MED427 高電壓半橋

Microsemi公司開發(fā)了一款高電壓半橋模件（見圖3），用于甚低功率、低電壓應用，在這些應用中空間大小和靜態(tài)電流是主要的關心點。這種模件為低速和低占空因數(shù)高電壓開關應提供了一種完整的解決方案。

特性

高電壓半橋模件的主要特性有：

·低電壓接口；可直接從CMOS電平控制器芯片（邏輯電平輸入）控制該橋。

·完全集成了半橋所需的所有元件。

·BGA（球式柵格陣列）MCM（多芯片模件）封裝的小尺寸。

·甚低的靜態(tài)電流（50nA典型值）

技術

·為了達到最小可能的尺寸和靜態(tài)電流，Microsemi開發(fā)出一些新的關鍵技術：

·低柵極電荷IGBT。低柵極電荷使得可用較小值的隔離/電荷變換電容器。

工作原理

HI_NE引腳使能LC1中的高頻振蕩器。此振蕩器輸出經(jīng)電平變換到IGBT柵驅動電壓（VDD）并驅動隔離和電荷轉換電容器。電容器的另一端連接到IC2，在IC2中對時鐘信號整流以產(chǎn)生柵發(fā)射極電壓。IC2也有一個開關，當沒有時鐘信號時此開關使IGBT柵極到發(fā)射極短路（見圖4）。圖5的仿真的結果示出所得到的半橋輸出，IGBT柵-發(fā)射極電壓和到IC2的時鐘輸入的結果。

結語

大量研究表明，ICD植入要較藥物治療有效得多。ICD的外觀與起搏器類似，植入的部位也基本相同，但ICD要較常規(guī)的起搏器大。通常，ICD只有一條電極導線（植入右心室）。ICD可以隨時檢測出并判斷患者所發(fā)生的嚴重室性心律失常的類型并給予不同的處理，從而達到終止心律失常、挽救患者生命的目的。這項目的研究就是為了更加快捷和安全的去挽救病人的生命，醫(yī)學在科技的帶領下更加安全。