英特爾Fab 52滿載月產(chǎn)能達4萬片晶圓，2027年良率達先進水平
英特爾正努力在制程技術(shù)和全球先進產(chǎn)能方面追趕臺積電，但在美國市場，這家芯片巨頭仍然無人能敵。據(jù)報道，英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產(chǎn)的Fab 21二期工廠更為先進，其產(chǎn)能相當于這兩個工廠的總和。
英特爾Fab 52工廠旨在生產(chǎn)采用英特爾18A（1.8nm級）及更先進工藝技術(shù)的芯片，這些工藝技術(shù)使用環(huán)柵（GAA）RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)。該工廠的產(chǎn)能為每周1萬片晶圓，滿負荷運轉(zhuǎn)時每月約4萬片晶圓*（WSPM），按如今標準來看，這確實是一個非常龐大的晶圓廠。
據(jù)@IntelProMUltra觀察，目前，F(xiàn)ab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)，其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進的低數(shù)值孔徑EUV光刻機，它借鑒了下一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源，因此在30 mJ/cm2 的劑量下，每小時可處理多達220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統(tǒng)，在30 mJ/cm2的劑量下，每小時可處理160片晶圓。
此外，英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區(qū)預留了至少15臺EUV光刻機的安裝空間，未來可能引入更高數(shù)值孔徑（High-NA）機型，進一步鞏固技術(shù)壁壘。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
英特爾
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
10333瀏覽量
181227 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5467瀏覽量
132872
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
烽火通信1100kGy耐輻照光纖技術(shù)達到國際先進水平
3月30日，在湖北技術(shù)交易所組織的鑒定會上，烽火通信1100kGy耐輻照光纖技術(shù)順利通過第三方權(quán)威鑒定。來自耐輻照領(lǐng)域相關(guān)研究機構(gòu)及應(yīng)用單位的專家組，在聽取技術(shù)工作報告、審查技術(shù)資料、考察生產(chǎn)現(xiàn)場后一致認為，烽火通信1100kGy耐輻照光纖技術(shù)達到國際先進水平。
一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】
月產(chǎn)能達 5000 片、自給率 60%，SiC 成本較 2023 年下降 35%。
2025 年 4
發(fā)表于 03-24 13:48
英特爾 18A 良率躍升，普迪飛成核心攻堅力量｜助力實現(xiàn)月度 7%-8% 穩(wěn)定增長
電話會，CEO陳立武（Lip-BuTan）重磅披露：旗下對標2nm級的18A先進制程，已實現(xiàn)月度環(huán)比7%-8%的穩(wěn)定良率提升，并明確將良率優(yōu)
晶圓級封裝良率提升方案：DW185半導體級低黏度晶圓助焊劑
晶圓級封裝的隱藏痛點：助焊劑選擇決定焊接質(zhì)量在晶圓級封裝與先進互連工藝中，焊點問題往往并不出現(xiàn)在“設(shè)備”，而是出現(xiàn)在一個被低估的環(huán)節(jié)——助焊
AVX TAJ系列鉭電容產(chǎn)地、產(chǎn)能與交期分析(2025.12.8)
10-15%
擴產(chǎn)計劃
? 2026年重慶車規(guī)級產(chǎn)線：投資3.5億美元，新增年產(chǎn)能5億顆
? 捷克工廠擴建：軍工級產(chǎn)線月產(chǎn)能提升至9000萬只
? 泰國新廠
發(fā)表于 12-09 10:44
英偉達首片美國制造Blackwell晶圓下線，重塑AI芯片制造格局
近日，美國亞利桑那州鳳凰城的臺積電 Fab 21 晶圓廠內(nèi)，一塊承載全球 AI 產(chǎn)業(yè)期待的特殊晶圓正式下線 —— 這是首片在美國本土制造的英偉達 Blackwell 芯
英偉達斥資50億美元入股英特爾，芯片巨頭攜手重塑行業(yè)格局
在科技行業(yè)引發(fā)廣泛關(guān)注的重大事件中，當?shù)貢r間9月18日，全球知名的芯片企業(yè)英偉達宣布，將斥資50億美元入股英特爾，雙方還達成合作協(xié)議，共同致力于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施和個人計算產(chǎn)品的聯(lián)合開發(fā)。這一消息猶如
重磅！雙英強強合作，英偉達向英特爾投資50億美元
9月18日，英偉達CEO黃仁勛宣布，與英特爾達成投資50億美元的投資及技術(shù)合作，這是在雙方進行一年多的討論后做出的決定。此舉標志著兩大競爭對手聯(lián)手，開創(chuàng)AI PC和數(shù)據(jù)中心合作新篇章。消息公布后，
英特爾連通愛爾蘭Fab34與Fab10晶圓廠，加速先進制程芯片生產(chǎn)進程
決定連通愛爾蘭的Fab 34與Fab 10晶圓廠。 ? 目前，英特爾先進制程技術(shù)Intel 4/3的主要生產(chǎn)重擔，落在了位于愛爾蘭萊克斯利普
傳英偉達自研HBM基礎(chǔ)裸片
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)臺媒消息，傳聞英偉達已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預計英偉達的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計劃在2027
美國商務(wù)部推進收購英特爾10%股份 估值約達105億美元
值約達105億美元。 據(jù)悉，美國商務(wù)部長盧特尼克在19日接受美國消費者新聞與商業(yè)頻道采訪時透露，英特爾必須提供股權(quán)以換取聯(lián)邦補貼。
攻克存儲芯片制造瓶頸：高精度晶圓切割機助力DRAM/NAND產(chǎn)能躍升
的崩邊、裂紋、應(yīng)力損傷成為制約良率和產(chǎn)能提升的核心瓶頸之一?，F(xiàn)代高精度晶圓切割機通過一系列技術(shù)創(chuàng)新，有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，成為推動存儲芯片
英特爾啟動近15%裁員方案 從約10.98萬人削減至7.5萬人
15%。 英特爾CEO陳立武在內(nèi)部信中表示，“這些是必要且艱難的決策，旨在簡化組織結(jié)構(gòu)、提高執(zhí)行效率、把更多資源投入未來增長領(lǐng)域，尤其是AI和晶圓代工?！?從2025年初至今，
晶圓清洗工藝有哪些類型
晶圓清洗工藝是半導體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良
英特爾先進封裝，新突破
在半導體行業(yè)的激烈競爭中，先進封裝技術(shù)已成為各大廠商角逐的關(guān)鍵領(lǐng)域。英特爾作為行業(yè)的重要參與者，近日在電子元件技術(shù)大會（ECTC）上披露了多項芯片封裝技術(shù)突破，再次吸引了業(yè)界的目光。這些創(chuàng)新不僅展現(xiàn)
評論