日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體汽車級(jí)Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊介紹

基本半導(dǎo)體 ? 來源:基本半導(dǎo)體 ? 2026-02-01 09:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Pcore6 HPD Mini

f61d711e-fcf4-11f0-92de-92fbcf53809c.png

基本半導(dǎo)體汽車級(jí)Pcore6 HPD Mini封裝碳化硅MOSFE模塊是一款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能、高功率、小型化的功率模塊。

該模塊采用創(chuàng)新HPD Mini封裝,搭載基本半導(dǎo)體自研第三代車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET芯片(提供750V/1200V/1400V電壓規(guī)格),結(jié)合Si?N? AMB陶瓷基板與橢圓PinFin散熱結(jié)構(gòu),全面適配400V、800V及千伏系統(tǒng)的電壓平臺(tái),覆蓋80kW~200kW功率范圍,為高效高可靠的主驅(qū)電控系統(tǒng)提供核心技術(shù)支撐。

產(chǎn)品拓?fù)?/p>

f699a356-fcf4-11f0-92de-92fbcf53809c.png

產(chǎn)品特點(diǎn)

小型化、高集成設(shè)計(jì)

封裝體積較標(biāo)準(zhǔn)HPD封裝縮減20%,顯著提升系統(tǒng)集成效率,適配空間受限的精密電驅(qū)應(yīng)用場(chǎng)景。

卓越能效、性能升級(jí)

搭載基本半導(dǎo)體第三代自研車規(guī)級(jí)碳化硅芯片,體二極管完成反向恢復(fù)優(yōu)化,開關(guān)損耗顯著減少。

車規(guī)可靠、高效耐久

支持175℃高溫下持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行,滿足高溫工況下的嚴(yán)苛要求。

芯片采用先進(jìn)銀燒結(jié)和DTS(Die Top System)連接工藝,提升模塊的功率循環(huán)與熱循環(huán)能力,確保長(zhǎng)期可靠性。

整體模塊抗振動(dòng)性能符合AQG324最新標(biāo)準(zhǔn),適應(yīng)車輛行駛中的復(fù)雜機(jī)械應(yīng)力環(huán)境。

應(yīng)用領(lǐng)域

新能源汽車主驅(qū)逆變器

馬達(dá)控制器

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳,在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì),核心團(tuán)隊(duì)由來自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,服務(wù)于電動(dòng)汽車、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè),承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10834

    瀏覽量

    235087
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3557

    瀏覽量

    52676
  • 基本半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    116

    瀏覽量

    11367

原文標(biāo)題:新品速遞 | 應(yīng)用于新能源汽車的Pcore?6 HPD Mini碳化硅MOSFET模塊

文章出處:【微信號(hào):基本半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    1400V碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣在光伏MPPT、儲(chǔ)能PCS及充電樁電源模塊中的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體1400V碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣在光伏MPPT、儲(chǔ)能PCS及充電樁電源模塊中的應(yīng)用 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-25 20:33 ?351次閱讀
    1400V<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)品矩陣在光伏MPPT、儲(chǔ)能PCS及充電樁電源<b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-23 14:54 ?2854次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>1200V工業(yè)<b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>Pcore</b>2 ED3系列<b class='flag-5'>介紹</b>

    商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真:從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告

    商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真:從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告
    的頭像 發(fā)表于 01-03 17:30 ?972次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊(cè):電源拓?fù)渑c解析

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率
    的頭像 發(fā)表于 12-24 06:54 ?746次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>銷售培訓(xùn)手冊(cè):電源拓?fù)渑c解析

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

    基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接
    的頭像 發(fā)表于 12-14 07:32 ?1735次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的c研究報(bào)告

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?1057次閱讀

    半導(dǎo)體碳化硅(Sic)模塊并聯(lián)驅(qū)動(dòng)振蕩抑制方法的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Sic)模塊是一種 集成多個(gè)碳化硅半導(dǎo)體元件的
    的頭像 發(fā)表于 12-07 20:53 ?959次閱讀

    固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍(lán)圖與硬件重構(gòu):國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的崛起之路

    和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率
    的頭像 發(fā)表于 12-07 15:02 ?3566次閱讀
    固態(tài)變壓器(SST)戰(zhàn)略藍(lán)圖與硬件重構(gòu):國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的崛起之路

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1474次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>1200V工業(yè)<b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>Pcore</b> 2系列<b class='flag-5'>介紹</b>

    森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

    碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高
    的頭像 發(fā)表于 08-16 13:50 ?4035次閱讀
    森國(guó)科推出SOT227<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1708次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出34mm<b class='flag-5'>封裝</b>的全<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋<b class='flag-5'>模塊</b>

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?1203次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1508次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?1739次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    、工業(yè)級(jí)汽車級(jí)碳化硅功率模塊等多款新品,為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)帶來了
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:19 ?1430次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件亮相PCIM Europe 2025
    开鲁县| 凤凰县| 安新县| 孝感市| 浙江省| 阿克陶县| 成安县| 曲沃县| 兴城市| 宜阳县| 甘德县| 敖汉旗| 永春县| 旬邑县| 韶山市| 丹阳市| 柯坪县| 蒙城县| 陆川县| 陇西县| 陇西县| 北流市| 兴宁市| 商水县| 察雅县| 靖江市| 法库县| 平安县| 周口市| 吉林省| 色达县| 鄱阳县| 从化市| 天津市| 拉萨市| 长垣县| 思南县| 漳平市| 郁南县| 大关县| 新竹市|