FDMS8820 N-Channel PowerTrench? MOSFET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為重要的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一下 Fairchild（現(xiàn)屬于 ON Semiconductor）的 FDMS8820 N-Channel PowerTrench? MOSFET。

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產(chǎn)品概況

FDMS8820 是一款專為提高 DC/DC 轉(zhuǎn)換器整體效率和減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴而設(shè)計(jì)的 N 溝道 MOSFET。它具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的體二極管反向恢復(fù)性能等優(yōu)點(diǎn)，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=28 A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=2.0 mΩ)；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=25 A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=2.4 mΩ)。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高電路效率。

  先進(jìn)封裝與硅技術(shù)結(jié)合

  采用先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)組合，實(shí)現(xiàn)了低 (r_{DS(on)}) 和高效率。這種組合不僅提高了器件的性能，還增強(qiáng)了其可靠性。

  下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)

  具有軟恢復(fù)特性的下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)，可減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾。

  高可靠性封裝設(shè)計(jì)

  MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，經(jīng)過(guò) 100% UIL 測(cè)試，并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，確保了產(chǎn)品在各種環(huán)境下的可靠性。

應(yīng)用領(lǐng)域

VRM Vcore 開(kāi)關(guān)

適用于臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器的 VRM Vcore 開(kāi)關(guān)，能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

OringFET / 負(fù)載開(kāi)關(guān)

可用于 OringFET 和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的有效控制。

DC - DC 轉(zhuǎn)換

在 DC - DC 轉(zhuǎn)換電路中，F(xiàn)DMS8820 能夠發(fā)揮其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)勢(shì)，提高轉(zhuǎn)換效率。

電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

• 擊穿電壓：(BVDSS) 為 30 V（(I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V)）。
• 閾值電壓：(V{GS(th)}) 在 1.2 - 2.5 V 之間（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)）。
• 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：(r{DS(on)}) 在不同條件下有不同的值，如 (V{GS}=10 V)，(I_{D}=28 A) 時(shí)為 1.4 - 2.0 mΩ。
• 輸入電容：(C{iss}) 為 3995 - 5315 pF（(V{DS}=15 V)，(V_{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)）。
• 開(kāi)關(guān)時(shí)間：如導(dǎo)通延遲時(shí)間 (td(on)) 為 14 - 25 ns（(V{DD}=15 V)，(I{D}=28 A)，(V{GS}=10 V)，(R{GEN}=6 Ω)）。

熱特性

• 結(jié)到外殼熱阻：(R_{θJC}) 為 1.6 °C/W。
• 結(jié)到環(huán)境熱阻：(R_{θJA}) 在不同條件下有所不同，如在 1 in2 2 oz 銅焊盤上為 50 °C/W。

封裝與訂購(gòu)信息

注意事項(xiàng)

• 由于 ON Semiconductor 產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild 零件編號(hào)中的下劃線將改為短橫線（-），請(qǐng)?jiān)?ON Semiconductor 網(wǎng)站上核實(shí)更新后的器件編號(hào)。
• 該器件不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3 醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。
• “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能可能隨時(shí)間而變化，所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術(shù)專家進(jìn)行驗(yàn)證。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮 FDMS8820 的各項(xiàng)特性和參數(shù)，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。