4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京舉行。大會群英薈萃，來自行業(yè)的院士專家、領軍企業(yè)共聚一堂，聚焦MW級算力系統(tǒng)以及GW級數(shù)據(jù)中心的核心熱點議題，分享交流寶貴經(jīng)驗，共商算力集群部署的關鍵瓶頸，為AI算力發(fā)展貢獻一份力量。

士蘭微受邀出席本次峰會，士蘭微電子系統(tǒng)應用專家胡豆豆發(fā)表以《算力引擎·功率領航 | 士蘭微AI服務器電源全鏈功率半導體解決方案》為題的講演，向與會的專家學者、友商、用戶們分享了士蘭微AI數(shù)據(jù)中心供電的全鏈路功率半導體解決方案。

針對當前50Vdc母線的AI數(shù)據(jù)中心的供電架構(gòu)，士蘭微提出了高度匹配的立體化產(chǎn)品矩陣：在前段高壓的HVDC部分，士蘭微提供業(yè)界領先的1200V、650V SiC MOSFET，助力高壓高效轉(zhuǎn)換；在PSU部分，士蘭微針對5.5kW功率段推出的整套方案包含650V SiC MOSFET(料號為SCDP65R040NB2LB)、600V DPMOS(料號為SVSP60R022LBS5)、80V LVMOS(料號為SVGP081R8NL5-3HF)，該方案表現(xiàn)亮眼，已助力服務器電源客戶實現(xiàn)97.5%效率，在LV IBC、VRM和熱插拔等應用，士蘭微推出各電壓等級的低壓MOSFET、寬SOA MOSFET、多相控制器、DrMOS、POL、eFuse方案。

而隨著AI數(shù)據(jù)中心供電向800Vdc母線演進，針對SST應用、HV IBC應用，士蘭微的配套功率器件方案包含2300V、1200V SiC MOSFET、各電壓等級的低壓MOSFET。以上覆蓋各應用場景的功率器件解決方案構(gòu)成了“從電網(wǎng)到核心”的完整方案鏈條，保障數(shù)據(jù)中心能源供應的高效穩(wěn)定。

展望未來，AI日新月異，算力浪潮奔騰不息，士蘭微將持續(xù)深耕數(shù)據(jù)中心供電領域，迭代推出更高性能的半導體集成電路產(chǎn)品與解決方案，與行業(yè)伙伴攜手，共同為下一代算力基礎設施提供強勁、高效、可靠的“芯”臟動力。