深入解析FDMS0306AS N - 通道PowerTrench? SyncFET?
一、前言
在電子工程領(lǐng)域,功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用不斷發(fā)展,對(duì)高性能功率器件的需求也日益增長(zhǎng)。FDMS0306AS作為一款N - 通道PowerTrench? SyncFET?,以其出色的性能在市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。本文將深入探討該器件的特性、參數(shù)及典型應(yīng)用,為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供有價(jià)值的參考。
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二、產(chǎn)品背景與命名變更
Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求,F(xiàn)airchild部分可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改,原編號(hào)中的下劃線(_)將改為短橫線(-)。大家可通過(guò)ON Semiconductor官網(wǎng)(www.onsemi.com)核實(shí)更新后的器件編號(hào)。
三、FDMS0306AS特性
3.1 低導(dǎo)通電阻
- 在(V{GS}=10V),(I{D}=26A)時(shí),最大(r{DS(on)} = 2.4mΩ);在(V{GS}=4.5V),(I{D}=23A)時(shí),最大(r{DS(on)} = 3.0mΩ)。這種低導(dǎo)通電阻特性可有效降低功率損耗,提高功率轉(zhuǎn)換效率。
3.2 先進(jìn)的封裝與硅技術(shù)結(jié)合
先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)結(jié)合,在保持出色開(kāi)關(guān)性能的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了極低的(r_{DS(on)})。這一特性使得該器件在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
3.3 SyncFET肖特基體二極管
集成了高效的單片肖特基體二極管,帶來(lái)額外的性能優(yōu)勢(shì),能提升整體電路的效率和穩(wěn)定性。
3.4 穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)
MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件的可靠性和穩(wěn)定性,適應(yīng)不同的工作環(huán)境。
3.5 100% UIL測(cè)試
經(jīng)過(guò)100% UIL測(cè)試,確保了器件的質(zhì)量和可靠性,讓工程師在使用時(shí)更加放心。
3.6 RoHS合規(guī)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的綠色設(shè)計(jì)需求。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
4.1 同步整流
適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流,可提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
4.2 筆記本電腦
可作為筆記本Vcore/GPU低側(cè)開(kāi)關(guān),為筆記本電腦的電源管理提供支持。
4.3 網(wǎng)絡(luò)負(fù)載點(diǎn)
用于網(wǎng)絡(luò)負(fù)載點(diǎn)低側(cè)開(kāi)關(guān),保障網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的穩(wěn)定供電。
4.4 電信二次側(cè)整流
在電信二次側(cè)整流中發(fā)揮作用,提高電信設(shè)備的電源性能。
五、電氣參數(shù)
5.1 最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源電壓 | 30 | V |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),封裝限制,(T_{C}=25^{circ}C)) | 49 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),硅限制,(T_{C}=25^{circ}C)) | 128 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),(T_{A}=25^{circ}C)) | 26 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(脈沖) | 100 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 86 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | 59 | W |
| (P_{D}) | 功率耗散((T_{A}=25^{circ}C)) | 2.5 | W |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | -55 至 +150 | °C |
5.2 熱特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)到外殼熱阻 | 2.1 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)到環(huán)境熱阻(特定條件) | 50 | °C/W |
5.3 電氣特性
涵蓋了關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性和漏源二極管特性等多個(gè)方面,為工程師提供了全面的器件性能信息。例如,關(guān)斷特性中的漏源擊穿電壓(BV{DSS})在(I{D}=1mA),(V{GS}=0V)時(shí)為30V;導(dǎo)通特性中的柵源閾值電壓(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS}),(I_{D}=1mA)時(shí),最小值為1.2V,典型值為1.7V,最大值為3.0V。
六、典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn),有助于工程師更好地理解和應(yīng)用該器件。例如,從歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線中,我們可以看到隨著結(jié)溫的升高,導(dǎo)通電阻會(huì)發(fā)生變化,這對(duì)于設(shè)計(jì)散熱方案和評(píng)估器件在不同溫度環(huán)境下的性能非常重要。
七、封裝與訂購(gòu)信息
FDMS0306AS采用Power 56封裝,卷盤尺寸為13英寸,膠帶寬度為12mm,每卷數(shù)量為3000個(gè)。器件標(biāo)記為FDMS0306AS,方便工程師識(shí)別和訂購(gòu)。
八、注意事項(xiàng)
8.1 命名變更
注意Fairchild部分零件編號(hào)的變更,及時(shí)通過(guò)官網(wǎng)核實(shí)更新后的編號(hào)。
8.2 應(yīng)用限制
ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。如果用于非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用,買家需承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。
8.3 參數(shù)驗(yàn)證
“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也可能隨時(shí)間變化。所有工作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
九、總結(jié)
FDMS0306AS N - 通道PowerTrench? SyncFET?憑借其低導(dǎo)通電阻、先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)、肖特基體二極管等特性,在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),可以根據(jù)其電氣參數(shù)和典型特性曲線,合理選擇和使用該器件,同時(shí)要注意命名變更、應(yīng)用限制和參數(shù)驗(yàn)證等問(wèn)題。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似器件的使用難題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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