深入解析FDMS86201 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

一、前言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電路中。今天我們要詳細(xì)解析的FDMS86201 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，具有獨(dú)特的性能和特點(diǎn)，能為工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)提供更多的選擇和可能。

文件下載：FDMS86201-D.pdf

二、品牌背景與編號(hào)變更

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改。因?yàn)镺N Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線（）的零件命名，所以Fairchild零件編號(hào)中的下劃線（）將改為破折號(hào)（ - ）。大家可在ON Semiconductor網(wǎng)站上核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)，最新的訂購(gòu)信息可在www.onsemi.com上找到。

三、FDMS86201 MOSFET 概述

3.1 產(chǎn)品特性

• 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：這一技術(shù)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持了卓越的開(kāi)關(guān)性能。在 (V{GS}=10V)，(I{D}=11.6A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=11.5mΩ)；在 (V{GS}=6V)，(I{D}=10.7A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)}=14.5mΩ)。
• 先進(jìn)的封裝與硅片組合：實(shí)現(xiàn)了低 (r_{DS(on)}) 和高效率。
• MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)：具有較好的穩(wěn)定性和可靠性。
• 100% UIL 測(cè)試：確保了產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。
• RoHS 合規(guī)：符合環(huán)保要求。

3.2 一般描述

該N - 溝道MOSFET采用Fairchild Semiconductor的先進(jìn)PowerTrench?工藝，結(jié)合了屏蔽柵技術(shù)。此工藝針對(duì)導(dǎo)通電阻進(jìn)行了優(yōu)化，同時(shí)保持了良好的開(kāi)關(guān)性能。

3.3 應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路中。

四、電氣特性

4.1 最大額定值

4.2 熱特性

4.3 電氣參數(shù)

• 關(guān)態(tài)特性：如 (BV{DSS})（漏源擊穿電壓）、(Delta BV{DSS}/Delta T{J})（擊穿電壓溫度系數(shù)）、(I{DSS})（零柵壓漏極電流）、(I_{GSS})（柵源泄漏電流）等都有明確的參數(shù)范圍。
• 開(kāi)態(tài)特性：包括 (V{GS(th)})（柵源閾值電壓）、(Delta V{GS(th)}/Delta T{J})（柵源閾值電壓溫度系數(shù)）、(r{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）、(g_{FS})（正向跨導(dǎo)）等。
• 動(dòng)態(tài)特性：如 (C{iss})（輸入電容）、(C{oss})（輸出電容）、(C{rss})（反向傳輸電容）、(R{g})（柵極電阻）等。
• 開(kāi)關(guān)特性：包含 (t{d(on)})（導(dǎo)通延遲時(shí)間）、(t{r})（上升時(shí)間）、(t{d(off)})（關(guān)斷延遲時(shí)間）、(t{f})（下降時(shí)間）、(Q{g})（總柵極電荷）、(Q{gs})（柵源電荷）、(Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷）等。
• 漏源二極管特性：有 (V{SD})（源漏二極管正向電壓）、(t{rr})（反向恢復(fù)時(shí)間）、(Q_{rr})（反向恢復(fù)電荷）等參數(shù)。

五、典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線：幫助工程師了解導(dǎo)通電阻在不同電流和電壓下的變化情況。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線：反映了結(jié)溫對(duì)導(dǎo)通電阻的影響。
• 導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系曲線：可用于確定合適的柵源電壓以獲得理想的導(dǎo)通電阻。
• 轉(zhuǎn)移特性曲線：體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。
• 源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系曲線：有助于了解二極管的正向特性。
• 柵極電荷特性曲線：展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系。
• 電容與漏源電壓的關(guān)系曲線：反映了電容隨漏源電壓的變化。
• 非鉗位電感開(kāi)關(guān)能力曲線：體現(xiàn)了MOSFET在雪崩情況下的性能。
• 最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系曲線：可用于確定在不同殼溫下的最大連續(xù)漏極電流。
• 正向偏置安全工作區(qū)曲線：幫助工程師確定MOSFET在不同電壓和電流下的安全工作范圍。
• 單脈沖最大功率耗散曲線：展示了單脈沖情況下的功率耗散情況。
• 結(jié)到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線：反映了MOSFET在不同脈沖持續(xù)時(shí)間下的熱響應(yīng)特性。

六、封裝與訂購(gòu)信息

6.1 封裝信息

該MOSFET采用Power 56封裝，其封裝尺寸和相關(guān)細(xì)節(jié)在文檔中有詳細(xì)的標(biāo)注，同時(shí)給出了封裝的標(biāo)準(zhǔn)參考、尺寸公差等信息。

6.2 訂購(gòu)信息

每卷數(shù)量為3000單位。

七、注意事項(xiàng)

• ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而不另行通知的權(quán)利。
• 該公司不保證其產(chǎn)品適用于任何特定用途，也不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。
• 買(mǎi)家負(fù)責(zé)使用ON Semiconductor產(chǎn)品的產(chǎn)品和應(yīng)用，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求或標(biāo)準(zhǔn)。
• “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能可能會(huì)隨時(shí)間變化，所有工作參數(shù)都必須由客戶(hù)的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
• ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類(lèi)似分類(lèi)的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，或任何用于人體植入的設(shè)備。如果買(mǎi)家將產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買(mǎi)家應(yīng)賠償并使ON Semiconductor及其相關(guān)方免受因此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)使用而產(chǎn)生的所有索賠、費(fèi)用、損害和開(kāi)支以及合理的律師費(fèi)。

八、總結(jié)

FDMS86201 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其獨(dú)特的屏蔽柵技術(shù)、先進(jìn)的封裝和硅片組合，在DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)其電氣特性、典型特性曲線等信息，合理選擇和使用該MOSFET，以實(shí)現(xiàn)電路的高性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過(guò)類(lèi)似MOSFET的選型和使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。