深入解析 onsemi FDMC86160ET100 N溝道MOSFET

在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET是一種極為常見且關鍵的器件。今天，我們就來詳細探討 onsemi 推出的 FDMC86160ET100 N溝道MOSFET，了解它的特性、應用場景以及相關的技術參數。

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一、產品概述

FDMC86160ET100 是一款采用 onsemi 帶屏蔽柵極技術的先進 POWERTRENCH 工藝生產的 N 溝道 MOSFET。該工藝針對導通電阻進行了優(yōu)化，這使得該器件在小空間內能夠實現超低的 $R_{DS(on)}$。它非常適合需要在有限空間內實現高性能的應用，例如高性能VRM（電壓調節(jié)模塊）、POL（負載點電源）和 Orring 功能。

二、產品特性

2.1 高溫度額定值

該器件的 $T_{J}$ 額定值擴展到了 175°C，這意味著它能夠在較高的溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于一些對溫度要求較為苛刻的應用場景。

2.2 屏蔽柵極MOSFET技術

屏蔽柵極技術的應用，使得該 MOSFET 具有較低的導通電阻。在 $V{GS}=10V$，$I{D}=9A$ 時，最大 $r{DS(on)}=14mOmega$；在 $V{GS}=6V$，$I{D}=7A$ 時，最大 $r{DS(on)}=23mOmega$。這種低導通電阻特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

2.3 高性能溝道技術

高性能溝道技術進一步降低了 $r_{DS(on)}$，使得該器件在導通狀態(tài)下的電阻更小，從而減少了能量損耗。

2.4 環(huán)保設計

終端無引線且符合 RoHS 標準，這符合現代電子設備對環(huán)保的要求，同時也方便了電路板的布局和焊接。

三、應用場景

3.1 橋式拓撲

在橋式拓撲電路中，FDMC86160ET100 的低導通電阻特性可以減少功率損耗，提高電路的效率。同時，其高溫度額定值也能適應橋式電路在工作過程中產生的熱量。

3.2 同步整流器

作為同步整流器使用時，該 MOSFET 能夠快速響應，減少整流過程中的損耗，提高電源的轉換效率。

四、關鍵參數

4.1 最大額定值

在 $T_{A}=25^{circ}C$ 的條件下，該器件有連續(xù)電流、脈沖電流和功耗等方面的最大額定值。例如，連續(xù)電流在不同條件下有不同的值，脈沖電流在特定條件下可達 204A。需要注意的是，如果電壓超過最大額定值表中列出的值范圍，器件可能會損壞，影響其功能和可靠性。

4.2 熱性能

熱性能參數如 $R{theta JA}$ 取決于安裝在一平方英寸襯墊、2oz 銅焊盤以及 FR - 4 材質尺寸 1.5x1.5in. 的襯墊上的器件，$R{theta CA}$ 由用戶的電路板設計確定。

4.3 電氣特性

• 關斷特性：包括漏極 - 源極擊穿電壓 $BV{DSS}$、擊穿電壓溫度系數 $Delta BV{DSS}/Delta T$、零柵極電壓漏極電流 $I{DSS}$ 和柵極 - 源極漏電流 $I{GSS}$ 等參數。
• 導通特性：如在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下的導通電阻 $r_{DS(on)}$ 等。
• 動態(tài)特性：包含輸出電容、總柵極電荷、漏極 - 源極二極管特性等參數。這些參數對于評估器件在不同工作狀態(tài)下的性能非常重要。

五、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括通態(tài)區(qū)域特性、標準化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、標準化導通電阻與結溫的關系、導通電阻與柵極 - 源極電壓的關系、轉換特性、源極 - 漏極二極管正向電壓與源電流的關系、柵極電荷特性、電容與漏極 - 源極電壓的關系、非箝位電感開關能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關系、正向偏壓安全工作區(qū)和單個脈沖最大功耗等。通過這些曲線，工程師可以直觀地了解該器件在不同條件下的性能表現。

六、封裝與定購信息

該器件采用 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P 的封裝形式，同時提供了封裝標識和定購信息。在定購時，需要參考文檔中詳細的定購和運輸信息。

在實際的電子設計中，工程師需要根據具體的應用需求，綜合考慮該器件的各種特性和參數，確保其能夠滿足設計要求。同時，也要注意器件的最大額定值，避免因超過額定值而導致器件損壞。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。