onsemi FDMA910PZ P溝道MOSFET：專為超便攜應(yīng)用打造

在電子設(shè)備日益追求小型化和高性能的今天，MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，其性能和特性對于設(shè)備的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入了解一下onsemi的FDMA910PZ P溝道MOSFET，看看它在電池充電和負(fù)載切換等應(yīng)用中能帶來怎樣的優(yōu)勢。

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一、產(chǎn)品概述

FDMA910PZ是一款專門為手機和其他超便攜應(yīng)用中的電池充電或負(fù)載切換而設(shè)計的MOSFET。它采用了POWERTRENCH技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和齊納二極管ESD保護(hù)功能。其MicroFET 2x2封裝在物理尺寸上提供了出色的熱性能，非常適合線性模式應(yīng)用。

二、產(chǎn)品特性

2.1 低導(dǎo)通電阻

• 在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，F(xiàn)DMA910PZ展現(xiàn)出了極低的導(dǎo)通電阻：
  • 當(dāng) $V{GS} = -4.5 V$，$I{D} = -9.4 A$ 時，最大 $r_{DS(on)} = 20 mOmega$。
  • 當(dāng) $V{GS} = -2.5 V$，$I{D} = -8.6 A$ 時，最大 $r_{DS(on)} = 24 mOmega$。
  • 當(dāng) $V{GS} = -1.8 V$，$I{D} = -7.2 A$ 時，最大 $r_{DS(on)} = 34 mOmega$。 低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能夠有效提高設(shè)備的效率，減少發(fā)熱。

2.2 低外形封裝

新的MicroFET 2x2封裝最大高度僅為0.8 mm，這種低外形設(shè)計非常適合對空間要求苛刻的超便攜設(shè)備。

2.3 ESD保護(hù)

HBM ESD保護(hù)等級典型值 > 2.8 kV，能夠有效防止靜電對MOSFET的損害，提高產(chǎn)品的可靠性。

2.4 環(huán)保特性

該器件不含鹵化化合物和氧化銻，是無鉛、無鹵化物的，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

四、熱特性

熱阻 $R_{theta JA}$ 與器件的安裝方式有關(guān)：

• 當(dāng)安裝在 $1 in^{2}$ 2 oz 銅焊盤的FR - 4材料1.5 x 1.5 in. 板上時，$R_{theta JA}$ 為52°C/W（Note 1a）。
• 當(dāng)安裝在最小2 oz 銅焊盤上時，$R_{theta JA}$ 為145°C/W（Note 1b）。

五、電氣特性

5.1 關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 $BVDSS$：當(dāng) $I{D} = -250 mu A$，$V{GS} = 0 V$ 時，為 -20 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：$ID = -250 mu A$，參考25°C時為 -12 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 $IDSS$：當(dāng) $V{DS} = -16 V$，$V{GS} = 0 V$ 時，為 -1 $mu A$。
• 柵源泄漏電流 $IGSS$：當(dāng) $V{GS} = ±8 V$，$V{DS} = 0 V$ 時，為 ±1 $mu A$。

5.2 導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓：當(dāng) $V{GS} = V{DS}$，$I_{D} = -250 mu A$ 時，典型值為 -0.5 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下有不同的值，如上述提到的低導(dǎo)通電阻特性。

5.3 動態(tài)特性

• 輸入電容 $C{iss}$：當(dāng) $V{DS} = -10 V$，$V_{GS} = 0 V$，$f = 1 MHz$ 時，典型值為2110 pF。
• 輸出電容 $C_{oss}$：典型值為414 pF。
• 反向傳輸電容 $C_{rss}$：典型值為388 pF。

5.4 開關(guān)特性

• 開啟延遲時間 $td(on)$：當(dāng) $V{DD} = -10 V$，$I{D} = -9.4 A$ 時，典型值為9.4 ns。
• 關(guān)斷延遲時間 $td(off)$：典型值為19 ns。
• 柵極電荷 $Qg$：當(dāng) $V{GS} = -4.5 V$，$V{DD} = -10 V$ 時，典型值為29 nC。

5.5 漏源特性

• 源漏二極管正向電壓 $VSD$：當(dāng) $VGS = 0 V$，$Is = -2 A$ 時，典型值為 -0.8 V。
• 反向恢復(fù)電荷：典型值為6.3 nC。

六、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線（圖1）：展示了不同 $V_{GS}$ 下漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線（圖2）：幫助我們了解導(dǎo)通電阻隨電流和電壓的變化情況。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線（圖3）：可以看出結(jié)溫對導(dǎo)通電阻的影響。

這些曲線對于工程師在實際設(shè)計中評估MOSFET的性能非常有幫助。

七、封裝和訂購信息

7.1 封裝

FDMA910PZ采用WDFN6 2x2, 0.65P（MicroFET 2x2）封裝，這種封裝具有良好的散熱性能和空間利用率。

7.2 訂購信息

八、總結(jié)

onsemi的FDMA910PZ P溝道MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、低外形封裝、ESD保護(hù)和環(huán)保特性等優(yōu)勢，非常適合手機和其他超便攜設(shè)備中的電池充電和負(fù)載切換應(yīng)用。工程師在設(shè)計這類設(shè)備時，可以充分考慮該MOSFET的特性，以提高設(shè)備的性能和可靠性。你在實際應(yīng)用中是否遇到過類似MOSFET的選型問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。