Onsemi NTR4503N和NVTR4503N MOSFET：低電壓應(yīng)用的理想選擇

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下Onsemi推出的NTR4503N和NVTR4503N這兩款N溝道單功率MOSFET，看看它們?cè)诘碗妷簯?yīng)用中能帶來怎樣的優(yōu)勢(shì)。

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產(chǎn)品概述

Onsemi的NTR4503N和NVTR4503N是采用SOT - 23封裝的N溝道單功率MOSFET，額定電壓為30V，電流可達(dá)2.5A。其中，NVTR4503N帶有NV前綴，適用于汽車及其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。這兩款器件均為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

先進(jìn)的平面技術(shù)

采用領(lǐng)先的平面技術(shù)，具有低柵極電荷和快速開關(guān)特性，能夠有效降低開關(guān)損耗，提高電路的工作效率。同時(shí)，它支持4.5V的低電壓柵極驅(qū)動(dòng)，非常適合低電壓應(yīng)用場(chǎng)景。

小尺寸封裝

SOT - 23表面貼裝封裝，尺寸僅為3 x 3mm，占用空間小，有助于實(shí)現(xiàn)電路板的小型化設(shè)計(jì)，滿足便攜式設(shè)備等對(duì)空間要求較高的應(yīng)用需求。

應(yīng)用場(chǎng)景

DC - DC轉(zhuǎn)換

在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，NTR4503N和NVTR4503N能夠高效地實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換，為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的電源。其快速開關(guān)特性可以減少轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

負(fù)載/電源開關(guān)

無論是便攜式設(shè)備還是計(jì)算機(jī)設(shè)備，這兩款MOSFET都可以作為負(fù)載/電源開關(guān)使用。它們能夠快速響應(yīng)控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制，同時(shí)低導(dǎo)通電阻可以降低功耗，延長設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

電氣特性

最大額定值

在正常工作條件下（$T{J}=25^{circ} C$），該MOSFET的漏源電壓（$V{DSS}$）最大為30V，柵源電壓（$V{GS}$）最大為 + 20V。連續(xù)漏極電流（$I{D}$）在不同溫度和工作狀態(tài)下有所不同，例如在$T{A}=25^{circ} C$的穩(wěn)態(tài)下為2.0A，在$T{A}=85^{circ}C$時(shí)為1.5A。功率耗散（$P{D}$）在$T{A}=25^{circ} C$的穩(wěn)態(tài)下為0.73W。需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其可靠性。

電氣參數(shù)

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓（$V{(BR)DSS}$）在$V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250 mu A$時(shí)為30 - 36V；零柵壓漏極電流（$I{DSS}$）在$V{GS} = 0 V$，$V{DS} = 24 V$時(shí)為1.0μA，在$TJ = 125 °C$時(shí)為10μA；柵源泄漏電流（$I{GSS}$）在$V{DS} = 0 V$，$V_{GS} = 20 V$時(shí)為100nA。
• 導(dǎo)通特性：柵極閾值電壓（$V{GS(TH)}$）在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 250 mu A$時(shí)為1.0 - 3.0V；漏源導(dǎo)通電阻（$R{DS(on)}$）在$V{GS} = 10 V$，$I{D} = 2.5A$時(shí)典型值為85mΩ，在$V{GS} = 4.5 V$，$I_{D} = 2.0 A$時(shí)典型值為105mΩ。
• 電荷和電容特性：輸入電容（$C{iss}$）、輸出電容（$C{oss}$）和反向傳輸電容（$C{rss}$）在不同的測(cè)試條件下有不同的值。例如，在$V{GS} = 0 V$，$f = 1.0 MHz$，$V{DS} = 15 V$時(shí)，$C{iss}$為135pF，$C{oss}$為52pF，$C{rss}$為15pF?？倴艠O電荷（$Q{G(TOT)}$）在$V{GS} = 10 V$，$V{DS} = 15 V$，$I{D} = 2.5 A$時(shí)為3.6 - 7.0nC。
• 開關(guān)特性：開關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。例如，在$V{GS} = 10 V$，$V{DD} = 15 V$，$I{D} = 1 A$，$R{G} = 6 Omega$的條件下，導(dǎo)通延遲時(shí)間（$t{d(on)}$）為5.8 - 12ns，上升時(shí)間（$t{r}$）為5.8 - 10ns，關(guān)斷延遲時(shí)間（$t{d(off)}$）為14 - 25ns，下降時(shí)間（$t{f}$）為1.6 - 5.0ns。
• 漏源二極管特性：正向二極管電壓（$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 2.0 A$）為0.85 - 1.2V，反向恢復(fù)時(shí)間（$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 2.0 A$，$dI_{S} / dt = 100 A / mu s$）為9.2ns，反向恢復(fù)電荷為4.0nC。

熱阻特性

熱阻特性是衡量器件散熱能力的重要指標(biāo)。該MOSFET的結(jié)到環(huán)境熱阻在不同條件下有所不同。在穩(wěn)態(tài)下（注意1），結(jié)到環(huán)境熱阻（$R{JA}$）為170°C/W；在$t < 10 s$的情況下（注意1），$R{JA}$為100°C/W；在另一種穩(wěn)態(tài)條件下（注意2），$R_{JA}$為300°C/W。這里需要注意的是，不同的熱阻是基于不同的電路板安裝條件得出的，具體可參考文檔中的說明。

封裝與訂購信息

封裝尺寸

采用SOT - 23（TO - 236）封裝，其具體尺寸在文檔中有詳細(xì)標(biāo)注，如高度A為0.89 - 1.11mm，寬度D為2.80 - 3.04mm等。這些尺寸信息對(duì)于電路板的布局設(shè)計(jì)非常重要。

訂購信息

NTR4503NT1G和NVTR4503NT1G均采用SOT - 23無鉛封裝，每卷數(shù)量為3000個(gè)。關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考Onsemi的Tape and Reel Packaging Specification Brochure（BRD8011/D）。

總結(jié)

Onsemi的NTR4503N和NVTR4503N MOSFET憑借其先進(jìn)的技術(shù)、小尺寸封裝、良好的電氣性能和熱阻特性，在低電壓應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。無論是DC - DC轉(zhuǎn)換還是負(fù)載/電源開關(guān)，它們都能為電子工程師提供可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮各項(xiàng)參數(shù)，合理選擇和使用這兩款器件。你在使用MOSFET時(shí)，有沒有遇到過一些特殊的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。