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深入解析FDS5670 60V N-Channel PowerTrench? MOSFET

我快閉嘴 ? 2026-04-20 16:45 ? 次閱讀
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深入解析FDS5670 60V N-Channel PowerTrench? MOSFET

在電子工程領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種至關(guān)重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天,我們將深入探討 ON Semiconductor(現(xiàn) onsemi)推出的 FDS5670 60V N - Channel PowerTrench? MOSFET,了解它的特點、性能參數(shù)以及在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。

文件下載:FDS5670-D.PDF

產(chǎn)品概述

FDS5670 是一款專門設(shè)計用于提高 DC/DC 轉(zhuǎn)換器整體效率的 N - Channel MOSFET。無論是采用同步還是傳統(tǒng)開關(guān) PWM 控制器DC/DC 轉(zhuǎn)換器,F(xiàn)DS5670 都能發(fā)揮出色的性能。與其他具有類似 (R_{DS(ON)}) 規(guī)格的 MOSFET 相比,它具有更快的開關(guān)速度和更低的柵極電荷,這使得它在驅(qū)動時更加容易和安全,即使在非常高的頻率下也能保證 DC/DC 電源供應(yīng)設(shè)計具有更高的整體效率。

產(chǎn)品特性

電氣性能

  • 低導(dǎo)通電阻:在 (V{GS}=10V) 時,(R{DS(ON)} = 0.014Omega);在 (V{GS}=6V) 時,(R{DS(ON)} = 0.017Omega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,MOSFET 上的功率損耗更小,從而提高了電源效率。
  • 低柵極電荷:低柵極電荷可以減少驅(qū)動 MOSFET 所需的能量,降低開關(guān)損耗,提高開關(guān)速度。
  • 高開關(guān)速度:快速的開關(guān)速度使得 MOSFET 能夠在短時間內(nèi)完成導(dǎo)通和關(guān)斷操作,適用于高頻應(yīng)用。
  • 高性能溝槽技術(shù):采用高性能溝槽技術(shù),實現(xiàn)了極低的 (R_{DS(ON)}),同時具有高功率和電流處理能力。

絕對最大額定值

在 (T_{A}=25^{circ}C) 時,部分絕對最大額定值如下:

  • 柵源電壓 (V_{GS}):±20V
  • 連續(xù)漏極電流 (I_{D})(Note 1a):10A
  • 單操作功率耗散:不同安裝條件下有所不同,例如在 0.5 in2 的 2 oz 銅焊盤上安裝時為 50°C/W 等。

熱特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱性能的重要指標(biāo)。FDS5670 的熱阻在不同安裝條件下有所變化,如在 0.5 in2 的 2 oz 銅焊盤上安裝時,熱阻為 50°C/W;在最小焊盤安裝時,熱阻為 105°C/W 等。熱阻的大小直接影響 MOSFET 的工作溫度,進(jìn)而影響其性能和可靠性。

電氣特性參數(shù)

靜態(tài)特性

符號 參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(BVDSS) 漏源擊穿電壓 (V{GS}=0V, I{D}=250mu A) - - - V
(I_{DSS}) 零柵壓漏極電流 (V{DS}=48V, V{GS}=0V) - - - nA
(I_{GSS}) 柵體反向泄漏電流 (V{GS}=-20V, V{DS}=0V) - - -100 nA
(V_{GS(th)}) 開啟電壓 (I_{D}=250mu A),參考 (25^{circ}C) - 6.8 - V
(R_{DS(on)}) 導(dǎo)通電阻 (V{GS}=10V, I{D}=10A) - 0.019 0.027 Ω
(g_{fs}) 正向跨導(dǎo) (V{DS}=5V, I{D}=10A) - 39 - S

動態(tài)特性

符號 參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(C_{iss}) 輸入電容 (V{DS}=15V, V{GS}=0V, f = 1.0MHz) - - - pF
(C_{rss}) 反向傳輸電容 - 180 - - pF
(t_{d(on)}) 導(dǎo)通延遲時間 (V{GS}=10V, R{GEN}=6Omega) - 16 - ns
(t_{r}) 導(dǎo)通上升時間 - 10 - ns
(t_{d(off)}) 關(guān)斷延遲時間 - 50 - ns
(t_{f}) 關(guān)斷下降時間 - - - ns
(Q_{g}) 總柵極電荷 (V{DS}=20V, I{D}=10A, V_{GS}=10V) - 49 70 nC
(Q_{gs}) 柵源電荷 - 9 - nC
(Q_{gd}) 柵漏電荷 - 10.4 - nC

漏源二極管特性

符號 參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
(I_{S}) 二極管電流 - - - 2.1 A
(V_{SD}) 漏源二極管正向電壓 (V{GS}=0V, I{S}=2.1A)(Note 2) - - - V

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括導(dǎo)通區(qū)域特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化、傳輸特性、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、柵極電荷特性、電容特性、最大安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在實際應(yīng)用中評估 FDS5670 的性能提供了重要的參考依據(jù)。

應(yīng)用注意事項

在使用 FDS5670 時,需要注意以下幾點:

  1. 參數(shù)驗證:文檔中提到的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化,實際性能也可能隨時間而變化。因此,所有操作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗證。
  2. 使用限制:FDS5670 產(chǎn)品并非設(shè)計、意圖或授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、任何 FDA Class 3 醫(yī)療設(shè)備、外國司法管轄區(qū)中具有相同或類似分類的醫(yī)療設(shè)備或任何用于人體植入的設(shè)備。如果買方將 FDS5670 產(chǎn)品用于任何此類非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用,買方應(yīng)承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

總結(jié)

FDS5670 60V N - Channel PowerTrench? MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、高開關(guān)速度等特性,為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計提供了高效、可靠的解決方案。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件,合理選擇和使用 FDS5670,并對其性能參數(shù)進(jìn)行驗證,以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用類似 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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