深入解析FDMS86180 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天我們要深入探討的是Fairchild（現(xiàn)屬于ON Semiconductor）的FDMS86180 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET。這款MOSFET具有諸多卓越特性，能為工程師在設(shè)計中提供強大的支持。

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二、產(chǎn)品背景與整合信息

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗證更新后的設(shè)備編號，獲取最新的訂購信息。若對系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

三、FDMS86180 MOSFET特性

（一）技術(shù)特性

1. 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：采用先進的PowerTrench?工藝并結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時保持了出色的開關(guān)性能，擁有一流的軟體二極管。
2. 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=67A)時，最大(r{DS(on)}=3.2mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=33A)時，最大(r{DS(on)}=7.9mΩ)。
3. 低反向恢復(fù)電荷：Qrr比其他MOSFET供應(yīng)商低50%，有效降低了開關(guān)噪聲和EMI。
4. 穩(wěn)健的封裝設(shè)計：MSL1封裝設(shè)計，經(jīng)過100% UIL測試，且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

（二）電氣特性

1. 最大額定值
   • 電壓參數(shù)：漏源電壓(V{DS})最大為100V，柵源電壓(V{GS})為±20V。
   • 電流參數(shù)：在不同溫度下，連續(xù)漏極電流有所不同，如(T{C}=25^{circ}C)時為151A，(T{C}=100^{circ}C)時為95A，(T_{A}=25^{circ}C)時為21A，脈沖電流可達775A。
   • 其他參數(shù)：單脈沖雪崩能量(E{AS})為486mJ，功率耗散(P{D})在(T{C}=25^{circ}C)時為138W，(T{A}=25^{circ}C)時為2.7W，工作和存儲結(jié)溫范圍為 -55 至 +150°C。
2. 熱特性
   • 結(jié)到外殼的熱阻(R{θJC})為0.9°C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻(R{θJA})在特定條件下為45°C/W。

（三）典型特性

通過一系列圖表展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些特性有助于工程師在不同應(yīng)用場景下準(zhǔn)確評估和使用該器件。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

1. 初級DC - DC MOSFET：在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能可有效提高轉(zhuǎn)換效率。
2. DC - DC和AC - DC中的同步整流器：能降低整流損耗，提升電源效率。
3. 電機驅(qū)動：可滿足電機驅(qū)動對高電流和快速開關(guān)的要求。
4. 太陽能應(yīng)用：在太陽能系統(tǒng)中，有助于提高能量轉(zhuǎn)換效率。

五、注意事項

1. ON Semiconductor保留對產(chǎn)品進行更改的權(quán)利，且不承擔(dān)產(chǎn)品在特定用途中的適用性保證和相關(guān)責(zé)任。
2. 所有“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實際性能也會隨時間改變，客戶的技術(shù)專家需對每個應(yīng)用的所有操作參數(shù)進行驗證。
3. 該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若買家將其用于非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

六、總結(jié)

FDMS86180 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其先進的技術(shù)、卓越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師在設(shè)計中提供了一個可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需充分了解其特性和注意事項，以確保設(shè)計的可靠性和性能。大家在使用過程中是否遇到過類似MOSFET的特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。