與傳統(tǒng)串行EEPROM或閃存不同，串口mram芯片MR25H40CDCR在讀寫(xiě)時(shí)序上完全兼容這些常見(jiàn)存儲(chǔ)器，但有一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)——沒(méi)有寫(xiě)入延遲。普通串行存儲(chǔ)器在兩次寫(xiě)入之間需要等待，而Everspin串口mram芯片MR25H40CDCR支持隨機(jī)訪問(wèn)，讀取和寫(xiě)入可以任意穿插，無(wú)需額外等待周期，非常適用于工業(yè)控制和汽車(chē)電子等對(duì)芯片的可靠性要求極高的領(lǐng)域。

MR25H40CDCR提供AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證選項(xiàng)，能在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。其數(shù)據(jù)非易失性可保持20年，即便掉電也不會(huì)丟失。此外，芯片擁有無(wú)限讀寫(xiě)壽命，不再擔(dān)心因頻繁擦寫(xiě)導(dǎo)致存儲(chǔ)器失效。Everspin串口MRAM支持高達(dá)40MHz的讀寫(xiě)速度，滿(mǎn)足大多數(shù)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄需求。同時(shí)，串口mram符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，封裝兼容現(xiàn)有串行閃存和EEPROM的引腳布局，可直接替換升級(jí)。

使用Everspinmram芯片MR25H40CDCR時(shí)需注意：讀取狀態(tài)寄存器（RDSR）命令不能緊跟在讀命令之后，否則會(huì)輸出錯(cuò)誤數(shù)據(jù)。正確做法是：在讀命令后插入另一個(gè)命令，或者連續(xù)發(fā)送兩個(gè)RDSR命令，第二個(gè)命令即可返回正確的狀態(tài)寄存器值。由于芯片本身沒(méi)有寫(xiě)入延遲，狀態(tài)寄存器中的“寫(xiě)入進(jìn)行”位（位0）不會(huì)被使用。

Everspin高性能串口mram芯片型號(hào)：MR25H40CDCR
?提供AEC-Q100 1級(jí)合格選項(xiàng)
?40MHz讀寫(xiě)速度，無(wú)限續(xù)航
?數(shù)據(jù)非易失性，可保留20年
?斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)。
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝。
?工作電壓：3.3v
?封裝：提供8引腳DFN或8引腳DFN
?無(wú)寫(xiě)入延遲
?塊寫(xiě)保護(hù)
?快速，簡(jiǎn)單的SPI接口

這款Everspin串口MRAM適用于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、工業(yè)PLC、行車(chē)記錄儀、醫(yī)療設(shè)備等需要頻繁、快速存取小量數(shù)據(jù)且對(duì)引腳數(shù)量敏感的場(chǎng)景。Everspin串口mram芯片既保留了傳統(tǒng)串行存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單接口，又消除了寫(xiě)入等待和壽命限制兩大瓶頸。如需進(jìn)一步了解該產(chǎn)品數(shù)據(jù)或樣品申請(qǐng)，請(qǐng)搜索英尚微電子獲取專(zhuān)業(yè)服務(wù)。

審核編輯 黃宇