2026年4月，全球半導體行業(yè)迎來一則重磅消息：日本權威調(diào)研機構(gòu)富士經(jīng)濟社發(fā)布報告顯示，中國碳化硅襯底龍頭企業(yè)天岳先進（688234.SH/02631.HK）在2025年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場占有率攀升至27.6%，超越國際巨頭Wolfspeed，首次登頂全球第一。其中，6英寸產(chǎn)品市占率達27.5%，8英寸產(chǎn)品市占率高達51.3%，12英寸產(chǎn)品亦實現(xiàn)全系列布局并批量交付。這一成績不僅標志著中國企業(yè)在第三代半導體材料領域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，更預示著全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正被中國力量重新定義。

天岳先進的崛起并非偶然，而是技術積累與戰(zhàn)略布局的必然結(jié)果。公司深耕碳化硅襯底領域超15年，是全球少數(shù)具備2英寸至12英寸全尺寸商業(yè)化能力的企業(yè)之一。其技術突破集中在三大方向：

大尺寸化：碳化硅襯底尺寸越大，單片芯片產(chǎn)出量越高，成本越低。天岳先進率先實現(xiàn)8英寸導電型襯底大規(guī)模量產(chǎn)，2025年出貨量超越國際頭部廠商，市占率突破50%。公司更于2024年全球首發(fā)12英寸襯底，2025年完成導電型、半絕緣型、P型全產(chǎn)品矩陣構(gòu)建，為AI數(shù)據(jù)中心、AR光學等新興領域提供核心材料支撐。

低缺陷率：通過液相法制備技術，天岳先進攻克了8英寸襯底宏觀缺陷控制難題，開發(fā)出位錯無損檢測技術、亞損傷層監(jiān)控技術等，產(chǎn)品面內(nèi)電阻率分布更均勻，穩(wěn)定性與一致性獲英飛凌、博世等國際客戶高度認可。

全流程自主可控：公司掌握從設備設計、粉料合成到晶體生長、襯底加工的全流程核心技術，關鍵設備國產(chǎn)化率超90%，原料到成品完全自主可控，構(gòu)建起堅實的技術壁壘。