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汽車級750V、600A雙側(cè)面冷卻半橋功率模塊VE-Trac Dual NVG600A75L4DSE2解析

lhl545545 ? 2026-04-24 10:00 ? 次閱讀
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汽車級750V、600A雙側(cè)面冷卻半橋功率模塊VE-Trac Dual NVG600A75L4DSE2解析

在混合動力(HEV)和電動汽車(EV)牽引逆變器應(yīng)用領(lǐng)域,功率模塊的性能至關(guān)重要。今天我們就來詳細(xì)解析安森美(onsemi)的VE-Trac Dual NVG600A75L4DSE2功率模塊,看看它有哪些獨特之處。

文件下載:NVG600A75L4DSE2-D.PDF

產(chǎn)品概述

NVG600A75L4DSE2屬于VE - Trac Dual功率模塊家族,專為HEV和EV牽引逆變器應(yīng)用設(shè)計。它采用雙側(cè)面冷卻技術(shù),具有緊湊的尺寸。該模塊由兩個窄臺面場截止(FS4)IGBT以半橋配置組成,其芯片組運用了新型窄臺面IGBT技術(shù),能夠提供高電流密度和強大的短路保護(hù),同時具備更高的阻斷電壓,在EV牽引應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,還為客戶提供了液體冷卻散熱器參考設(shè)計、損耗模型和CAD模型,以支持逆變器設(shè)計。

產(chǎn)品特性

雙側(cè)面冷卻

雙側(cè)面冷卻設(shè)計能夠有效提高散熱效率,確保模塊在高功率運行時保持穩(wěn)定的溫度,從而提升系統(tǒng)的可靠性和性能。

集成芯片級溫度和電流傳感器

集成的溫度和電流傳感器可實時監(jiān)測模塊的工作狀態(tài),最大連續(xù)工作溫度 (T_{vj max }=175^{circ} C),為系統(tǒng)的安全運行提供保障。

低雜散電感

低雜散電感可以減少開關(guān)過程中的電壓尖峰和電磁干擾,提高系統(tǒng)的電磁兼容性,同時降低開關(guān)損耗。

低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

低損耗特性有助于提高系統(tǒng)的效率,減少能量損耗,延長電池續(xù)航時間。

汽車級標(biāo)準(zhǔn)

符合汽車級標(biāo)準(zhǔn),經(jīng)過AEC認(rèn)證并具備PPAP能力,適用于汽車電子應(yīng)用,保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

4.2 kV隔離DBC基板

采用 (Al{2} O{3}) 隔離基板,具有基本隔離功能,兩側(cè)覆銅,能夠提供良好的電氣隔離性能。

無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

環(huán)保設(shè)計,符合相關(guān)環(huán)保法規(guī)要求。

典型應(yīng)用

混合動力和電動汽車牽引逆變器

作為牽引逆變器的核心部件,為車輛的驅(qū)動系統(tǒng)提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

高功率DC - DC升壓轉(zhuǎn)換器

可用于提高直流電壓,滿足不同系統(tǒng)的電壓需求。

引腳描述

Pin # Pin Pin Function Description
1 N Low Side Emitter
2 P High Side Collector
3 H/S COLLECTOR SENSE High Side Collector Sense
4 H/S CURRENT SENSE High Side Current Sense
5 H/S EMITTER SENSE High Side Emitter Sense
6 H/S GATE High Side Gate
7 H/S TEMP SENSE (CATHODE) High Side Temp sense Diode Cathode
8 H/S TEMP SENSE (ANODE) High Side Temp sense Diode Anode
9 ~ Phase Output
10 L/S CURRENT SENSE Low Side Current Sense
11 L/S EMITTER SENSE Low Side Emitter Sense
12 L/S GATE Low Side Gate
13 L/S TEMP SENSE (CATHODE) Low Side Temp sense Diode Cathode
14 L/S TEMP SENSE (ANODE) Low Side Temp sense Diode Anode
15 L/S COLLECTOR SENSE Low Side Collector Sense

絕對最大額定值

Symbol Parameter Rating Unit
IGBT
V CES Collector to Emitter Voltage 750 V
V GES Gate to Emitter Voltage ± 20 V
I CN Implemented Collector Current 600 A
I C nom Continuous DC Collector Current, Tvjmax = 175 ° C, T F = 65 ° C, Ref. Heatsink 500 A
I CRM Pulsed Collector Current @ VGE = 15 V, tp = 1 ms 1200 A
DIODE
V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage 750 V
I FN Implemented Forward Current 600 A
I F Continuous Forward Current, Tvjmax = 175 ° C, T F = 65 ° C, Ref. Heatsink 400 A
I FRM Repetitive Peak Forward Current, t p = 1 ms 1200 A
I 2 t value V R = 0 V, t p = 10 ms, Tv J = 150 ° C 14000 A 2 s
T VJ = 175 ° C 12000

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱特性

熱特性對于功率模塊的性能和可靠性至關(guān)重要。文檔中給出了IGBT和二極管的熱阻參數(shù),但具體數(shù)值未詳細(xì)列出,工程師在設(shè)計時需要根據(jù)實際情況進(jìn)行進(jìn)一步的分析和計算。

典型特性

文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括IGBT輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、開關(guān)損耗特性、二極管正向特性、溫度傳感器特性和電流傳感器特性等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解模塊的性能,優(yōu)化設(shè)計參數(shù)。

訂購信息

Part Number Package Shipping
NVG600A75L4DSE2 AHPM15?CFA Module, Case MODHQ (Pb?Free) 36 Units / 2x Blister Tray

總結(jié)

安森美(onsemi)的VE - Trac Dual NVG600A75L4DSE2功率模塊憑借其雙側(cè)面冷卻、集成傳感器、低損耗等特性,為混合動力和電動汽車牽引逆變器以及高功率DC - DC升壓轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用提供了高性能的解決方案。工程師在使用該模塊時,需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合模塊的各項參數(shù)和特性進(jìn)行合理設(shè)計,以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在實際應(yīng)用中是否遇到過類似功率模塊的設(shè)計挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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