FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊：高性能逆變器解決方案

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的性能和可靠性至關(guān)重要。FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊作為一款先進(jìn)的解決方案，為交流感應(yīng)、無刷直流電機(jī)和 PMSM 電機(jī)提供了全面的高性能逆變器輸出平臺。本文將深入介紹該模塊的特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面，幫助電子工程師更好地了解和應(yīng)用這款產(chǎn)品。

文件下載：FSB70450CN-D.pdf

二、產(chǎn)品背景與變更說明

飛兆半導(dǎo)體已被安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）收購。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的零件編號需要更改。因?yàn)榘采腊雽?dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的零件命名，所以飛兆零件編號中的下劃線（）將改為破折號（-）。大家可在安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）上核實(shí)更新后的設(shè)備編號。

三、FSB70450 特性亮點(diǎn)

（一）認(rèn)證與封裝

通過 UL 第 E209204 號認(rèn)證（UL1557），這為產(chǎn)品的安全性和可靠性提供了有力保障。
采用高性能 PQFN 封裝，集成了 500V (R_{DS(on)}=2.2 Omega)（最大值）的 FRFET MOSFET 三相逆變器，還帶有柵極驅(qū)動器和保護(hù)功能。

（二）功能特性

低端 MOSFET 的三個獨(dú)立開源引腳可用于三相電流感測，高電平有效接口，適用于 3.3 / 5 V 邏輯電平，采用施密特觸發(fā)脈沖輸入，增強(qiáng)了信號處理的穩(wěn)定性。
針對低電磁干擾進(jìn)行優(yōu)化，減少了對周圍電子設(shè)備的干擾。
內(nèi)置于 HVIC 的溫度感測功能，可實(shí)時監(jiān)測模塊溫度。
具備用于柵極驅(qū)動、互鎖功能和欠壓保護(hù)的 HVIC，提高了模塊的安全性和可靠性。
絕緣等級為 (1500 V_{rms}) 分鐘，濕度敏感等級（MSL）3，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且能適應(yīng)多種工作環(huán)境。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

FSB70450 主要應(yīng)用于小功率交流電機(jī)驅(qū)動器的三相逆變器驅(qū)動。在各種小型電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，它能提供穩(wěn)定可靠的性能，滿足不同應(yīng)用場景的需求。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過因電機(jī)驅(qū)動性能不佳而導(dǎo)致的問題呢？

五、封裝標(biāo)識與定購信息

器件標(biāo)識	器件	封裝	卷尺寸	卷帶寬度	數(shù)量
FSB70450	FSB70450	PQFN27A	13’’	24 mm	1000 個

六、絕對最大額定值

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

符號	參數(shù)	工作條件	額定值	單位
(V_{DSS})	單個 MOSFET 的漏極 — 源極電壓		500	V
(*I_{D25})	單個 MOSFET 的漏極持續(xù)電流	(T_{CB} = 25°C)（注 1）	4.8	A
(*I_{D80})	單個 MOSFET 的漏極持續(xù)電流	(T_{CB} = 80°C)	3.6	A
(*I_{DP})	單個 MOSFET 的漏極峰值電流	(T_{CB} = 25°C)，(PW < 100 mu s)	9.7	A
(*P_{D})	最大功耗	(T_{CB} = 25°C)，單個 MOSFET	110	W

（二）控制部分（單個 HVIC）

符號	參數(shù)	工作條件	額定值	單位
(V_{DD})	控制電源電壓	施加在 (V_{DD}) 和 COM 之間	20	V
(V_{BS})	高端偏壓	施加在 (V{B}) 和 (V{S}) 之間	20	V
(V_{IN})	輸入信號電壓	施加在 IN 和 COM 之間	-0.3 ~ (V_{DD} + 0.3)	V
(V_{FO})	故障輸出電源電壓	施加在 FO 和 COM 之間	-0.3 ~ (V_{DD} + 0.3)	V
(I_{FO})	故障輸出電流	灌電流 FO 引腳	5	mA
(V_{CSC})	電流感測輸入電壓	施加在 Csc 和 COM 之間	-0.3 ~ (V_{DD} + 0.3)	V

（三）整個系統(tǒng)

符號	參數(shù)	工作條件	額定值	單位
(T_{J})	工作結(jié)溫		-40 ~ 150	°C
(T_{STG})	存儲溫度		-40 ~ 125	°C
(V_{ISO})	絕緣電壓	60 Hz，正弦波形，1 分鐘，連接陶瓷基板到引腳	1500	(V_{rms})

注：1. (T_{CB}) 是殼體底部的墊片溫度；2. 標(biāo)記為 “ * “ 的為計算值或設(shè)計因素。

七、引腳描述

引腳號	引腳名	引腳描述
1	/FO	故障輸出
2	(V_{TS})	以電壓形式輸出的 HVIC 溫度
3	Cfod	用于故障輸出持續(xù)時間的電容
4	Csc	短路電流感測輸入電容（低通濾波器）
5	(V_{DD})	驅(qū)動 IC 和 MOSFET 的電源偏置電壓
6	IN_UH	高端 U 相的信號輸入
7	IN_VH	高端 V 相的信號輸入
8 (8a)	COM	公共電源接地
9	IN_WH	高端 W 相的信號輸入
10	IN_UL	低端 U 相的信號輸入
11	IN_VL	低端 V 相的信號輸入
12	IN_WL	低端 W 相的信號輸入
13	Nu	U 相的直流輸入負(fù)端
14	U	U 相輸出
15	Nv	V 相的直流輸入負(fù)端
16	V	V 相輸出
17	W	W 相輸出
18	Nw	W 相的直流輸入負(fù)端
19	(V_{S(W)})	W 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓接地
20	(P_{W})	W 相的直流輸入正端
21	(P_{V})	V 相的直流輸入正端
22	(P_{U})	U 相的直流輸入正端
23 (23a)	(V_{S(V)})	V 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓接地
24 (24a)	(V_{S(U)})	U 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓接地
25	(V_{B(U)})	U 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓
26	(V_{B(V)})	V 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓
27	(V_{B(W)})	W 相 MOSFET 驅(qū)動的高端偏壓

注：4. 每個低端 MOSFET 的源極端子與 Motion SPM? 7 中的電源接地或偏壓接地不連接，外部連接應(yīng)當(dāng)如圖 2 所示；5. 后綴為 -a 的墊片連接到相同數(shù)字的引腳，例如：8 和 8a 在內(nèi)部連接在一起。

八、電氣特性

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

符號	參數(shù)	工作條件	最小值	典型值	最大值	單位
(BV_{DSS})	漏極 - 源極擊穿電壓	(V{IN} = 0 V)，(I{D} = 1 mA)（注 1）	500	-	-	V
(I_{DSS})	零柵極電壓漏極電流	(V{IN} = 0 V)，(V{DS} = 500 V)	-	-	1	mA
(R_{DS(on)})	漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻	(V{DD} = V{BS} = 15 V)，(V{IN} = 5 V)，(I{D} = 1.0 A)	-	1.9	2.2	(Omega)
(V_{SD})	漏極 - 源極二極管正向電壓	(V{DD} = V{BS} = 15V)，(V{IN} = 0 V)，(I{D} = -1.0 A)	-	0.9	1.2	V
(t_{ON})	開關(guān)時間	(V{PN} = 300 V)，(V{DD} = V{BS} = 15 V)，(I{D} = 1.0 A) (V_{IN} = 0 V leftrightarrow 5 V)，電感負(fù)載 (L = 3 mH) 低端 MOSFET 開關(guān)（注 2）	-	600	-	ns
(t_{D(ON)})	-	560	-	ns
(t_{OFF})	-	660	-	ns
(t_{D(OFF)})	-	600	-	ns
(I_{rr})	-	1.9	-	A
(t_{rr})	-	90	-	ns
(E_{ON})	-	45	-	(mu J)
(E_{OFF})	-	8	-	(mu J)

（二）控制部分（單個 HVIC）

符號	參數(shù)	工作條件	最小值	典型值	最大值	單位
(I_{QDD})	(V_{DD}) 靜態(tài)電流	(V{DD} =15 V)，(V{IN} =0 V)，(V_{DD} - COM)	-	1.7	3.0	mA
(I_{QBS})	(V_{BS}) 靜態(tài)電流	(V{BS} =15 V)，(V{IN} =0 V)，(V{B(X)} -V{S(X)})，(V{B(V)} - V{S(V)})，(V{B(W)} -V{S(W)})	-	45	70	(mu A)
(I_{PDD})	(V_{DD}) 工作電流	(V{DD} =15 V)，(F{PWM} =20 kHz)，(duty = 50%)，PWM 信號低端輸入，(V_{DD} - COM)	-	1.9	3.2	mA
(I_{PBS})	(V_{BS}) 工作電流	(V{BS} =15 V)，(F{PWM} =20 kHz)，(duty = 50%)，PWM 信號高端輸入，(V{B(U)} -V{S(U)})，(V{B(V)} - V{S(V)})，(V{B(W)} -V{S(W)})	-	300	400	(mu A)
(UV_{DDD})	低端欠壓保護(hù)（圖 6）	(V_{DD}) 欠壓保護(hù)檢測電平	7.4	8.0	9.4	V
(UV_{DDR})	(V_{DD}) 欠壓保護(hù)復(fù)位電平		8.0	8.9	9.8	V
(UV_{BSD})	高端欠壓保護(hù)（圖 7）	(V_{BS}) 欠壓保護(hù)檢測電平	7.4	8.0	9.4	V
(UV_{BSR})	(V_{BS}) 欠壓保護(hù)復(fù)位電平		8.0	8.9	9.8	V
(V_{TS})	HVIC 溫度感測電壓輸出	(V{DD} =15 V)，(T{HVIC} =25°C)（注 3）	580	675	770	mV
(V_{IH})	導(dǎo)通閾值電壓	邏輯高電平，IN - COM	-	-	2.4	V
(V_{IL})	關(guān)斷閾值電壓	邏輯低電平	0.8	-	-	V
(V_{SC(ref)})	短路電流保護(hù)觸發(fā)電平	(V{DD} =15 V)，(C{SC} - COM)	0.45	0.5	0.55	V
(t_{FOD})	故障輸出脈寬	(C_{FOD} =33 nF)（注 4）	1.0	1.4	1.8	ms

注：1. (BV{DSS}) 是 Motion SPM? 7 產(chǎn)品中的單個 MOSFET 的漏極和源極端子之間的絕對最大額定電壓?？紤]到寄生電感，(V{PN}) 應(yīng)遠(yuǎn)低于該值，因此 (V{PR}) 在任何情況下不得超過 (BV{DSS})；2. (t{ON}) 和 (t{OFF}) 包括內(nèi)部驅(qū)動 IC 的傳輸延遲，所列出的數(shù)值是在實(shí)驗(yàn)室測試條件下測得，在實(shí)際應(yīng)用中因?yàn)橛∷㈦娐钒搴筒季€的差異，數(shù)值也會有所不同，請參閱圖 3 介紹的開關(guān)時間定義，以及圖 4 中的開關(guān)測試電路；3. (V{TS}) 只能用作模塊的溫度感測，但不能自動關(guān)閉 MOSFETs；4. 故障輸出脈寬 (t{FOD}) 取決于電容 (C{FOD}) 的值，可采用下面的近似公式進(jìn)行計算：(C{FOD}=24 ×10^{-6} ×t_{FOD}) [F]。

九、推薦工作條件

符號	參數(shù)	工作條件	最小值	典型值	最大值	單位
(V_{PN})	電源電壓	施加在 P 和 N 之間	-	300	400	V
(V_{DD})	控制電源電壓	施加在 (V_{DD}) 和 COM 之間	13.5	15.0	16.5	V
(V_{BS})	高端偏壓	施加在 (V{B}) 和 (V{S}) 之間	13.5	15.0	16.5	V
(dV{DD}/dt)，(dV{BS}/dt)	控制電源波動		-1.0	-	1.0	V/ (mu s)
(t_{dead})	防止橋臂直通的死區(qū)時間	(V{DD} = V{BS} = 13.5 ~ 16.5 V)，(T_{J} leq 150°C)	500	-	-	ns
(f_{PWM})	PWM 開關(guān)頻率	(T_{J} leq 150°C)	-	15	-

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴

日B视频亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

搜索歷史

FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊：高性能逆變器解決方案

FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊：高性能逆變器解決方案

一、引言

二、產(chǎn)品背景與變更說明

三、FSB70450 特性亮點(diǎn)

（一）認(rèn)證與封裝

（二）功能特性

四、應(yīng)用領(lǐng)域

五、封裝標(biāo)識與定購信息

六、絕對最大額定值

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

（二）控制部分（單個 HVIC）

（三）整個系統(tǒng)

七、引腳描述

八、電氣特性

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

（二）控制部分（單個 HVIC）

九、推薦工作條件

評論

搜索歷史

FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊：高性能逆變器解決方案

FSB70450 Motion SPM? 7 系列模塊：高性能逆變器解決方案

一、引言

二、產(chǎn)品背景與變更說明

三、FSB70450 特性亮點(diǎn)

（一）認(rèn)證與封裝

（二）功能特性

四、應(yīng)用領(lǐng)域

五、封裝標(biāo)識與定購信息

六、絕對最大額定值

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

（二）控制部分（單個 HVIC）

（三）整個系統(tǒng)

七、引腳描述

八、電氣特性

（一）逆變器部分（單個 MOSFET）

（二）控制部分（單個 HVIC）

九、推薦工作條件

評論

一、引言

二、產(chǎn)品背景與變更說明

三、FSB70450 特性亮點(diǎn)

四、應(yīng)用領(lǐng)域

五、封裝標(biāo)識與定購信息

六、絕對最大額定值

八、電氣特性