環(huán)保特性

該模塊為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了環(huán)保理念。

典型應(yīng)用

NVXR17S90M2SPB主要應(yīng)用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車的牽引逆變器中。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，高效、可靠的牽引逆變器是實(shí)現(xiàn)車輛高性能的關(guān)鍵。該模塊的高性能和可靠性能夠滿足電動(dòng)汽車對(duì)功率轉(zhuǎn)換的嚴(yán)格要求，為電動(dòng)汽車的發(fā)展提供有力支持。

引腳描述

材料與特性

材料信息

• DBC基板：采用 (Si{3}N{4}) 隔離基板，具有基本的隔離性能。
• 端子：銅 + 鍍錫電鍍。
• 信號(hào)引線：銅 + 鍍錫。
• 針翅式基板：銅 + 鍍鎳。

可燃性信息

模塊框架符合UL94V - 0可燃性等級(jí)，具有良好的防火性能。

模塊特性與絕對(duì)最大額定值

模塊特性

在 (T_{vj}=25^{circ}C) （除非另有說明）的條件下，模塊具有以下特性：

• 雜散電感：RDD + SS為0.6。
• 模塊重量：單位為g。
• CTI：> 200。
• 爬電距離：端子到散熱器為9.0mm。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞設(shè)備。如果超過這些限制，不能保證設(shè)備的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

MOSFET特性、體二極管特性與NTC傳感器特性

MOSFET特性

在 (T_{vj}=25^{circ}C) （除非另有說明）的條件下，MOSFET具有以下特性：

• 漏源導(dǎo)通電阻 (R_{DS(ON)})：在 (V{GS} = 18V)，(I{D} = 620A) 時(shí)，典型值為1.70 - 2.30mΩ，最大值為2.10mΩ。
• 柵源泄漏電流：在 (V{GS} = 18V)，(V{DS} = 0V) 時(shí)，最大值為8uA。
• 閾值電壓 (V_{GS(TH)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I_{D} = 200mA) 時(shí)，典型值為1.8 - 2.7V，最大值為4.3V。
• 正向跨導(dǎo)：在 (V{DS} = 20V)，(I{D} = 620A) 時(shí)，典型值為440S。
• 總柵極電荷 (Q_{g})：在 (V{GS} = - 5 / 18V)，(V{DS} = 400V)，(I_{D} = 620A) 時(shí)，典型值為2.4uC。

體二極管特性

在 (T_{vj}=25^{circ}C) （除非另有說明）的條件下，體二極管具有以下特性：

• 二極管正向電壓 (V_{SD})：在 (V{GS} = - 5V)，(I{SD} = 264A) 時(shí)，典型值為3.5 - 4.0V。
• 反向恢復(fù)能量 (E_{rr})：在 (I{SD} = 620A)，(V{R} = 400V)，(V{GS} = - 5V)，(R{g.on} = 3.9) 時(shí)，典型值為0.4 - 1.3mJ。
• 恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：在 (T{vj}=25^{circ}C) 時(shí)為2.6C，在 (T{vj}=175^{circ}C) 時(shí)為6.7C。
• 峰值反向恢復(fù)電流 (I_{rr})：在 (T{vj}=25^{circ}C) 時(shí)為115A，在 (T{vj}=175^{circ}C) 時(shí)為215A。

NTC傳感器特性

在 (T_{vj}=25^{circ}C) （除非另有說明）的條件下，NTC傳感器具有以下特性：

• 額定電阻 (R_{25})：在 (T_{c} = 25^{circ}C) 時(shí)為5k。
• R/R偏差：在 (T{c} = 25^{circ}C)，(R{25} = 5k) 時(shí)為 - 5 - 5%。
• 功率耗散 (P_{25})：在 (T_{c} = 25^{circ}C) 時(shí)最大為25mW。
• B值：B25/50為3375K，B25/80為3411K，B25/120為3433K。

熱特性

在特定測(cè)試條件下，F(xiàn)ET結(jié)到流體的熱阻 (R_{th,J - F}) 為0.10 - 0.11°C/W。

典型特性

文檔中還提供了一系列典型特性曲線，包括輸出特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與溫度的關(guān)系、轉(zhuǎn)移特性、第三象限特性、柵極閾值電壓與溫度的關(guān)系、典型電容與漏源電壓的關(guān)系、開關(guān)能量與外部柵極電阻的關(guān)系、反向恢復(fù)能量與外部柵極電阻的關(guān)系、時(shí)序特性與漏源電流的關(guān)系、典型熱阻抗（結(jié)到流體）、典型熱阻與流量的關(guān)系、冷卻回路中的壓降、MOSFET擊穿電壓與 (T_{VJ}) 的關(guān)系、MOSFET芯片和模塊的RBSOA、NTC電阻與溫度的關(guān)系、柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解模塊的性能，進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。

機(jī)械封裝與尺寸

該模塊采用SSDC39封裝，尺寸為154.50x92.00x15.80，符合特定的機(jī)械設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，文檔還提供了詳細(xì)的標(biāo)記圖和尺寸說明，方便工程師進(jìn)行安裝和使用。

總的來說，onsemi的NVXR17S90M2SPB碳化硅模塊憑借其卓越的性能、高可靠性和良好的散熱特性，為牽引逆變器的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體需求，結(jié)合模塊的各項(xiàng)特性進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)最佳的性能和可靠性。大家在使用這款模塊時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的設(shè)計(jì)思路呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。