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8 to 21 GHz Output x2 Active Frequency Multiplier ADH561S:技術(shù)解析與應用指南

h1654155282.3538 ? 2026-05-09 14:10 ? 次閱讀
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8 to 21 GHz Output x2 Active Frequency Multiplier ADH561S:技術(shù)解析與應用指南

在電子工程領域,頻率乘法器是實現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換和信號處理的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討Analog Devices公司的ADH561S——一款8至21 GHz輸出的x2有源頻率乘法器,為電子工程師們提供全面的技術(shù)解析和應用指導。

文件下載:ADH561S.pdf

一、規(guī)格概述

ADH561S的規(guī)格遵循MIL - PRF - 38534 class K標準,不過有部分內(nèi)容在此文檔中進行了修改。其制造流程參考了SPACE DIE BROCHURE,此數(shù)據(jù)手冊詳細介紹了該產(chǎn)品的太空級版本,而商業(yè)產(chǎn)品級別的更詳細操作說明和完整數(shù)據(jù)手冊可在https://www.analog.com/hmc561 - die查詢。

二、產(chǎn)品信息

1. 產(chǎn)品型號

具體型號為ADH561 - 000C,是一款8至21 GHz輸出的GaAs PHEMT MMIC x2有源頻率乘法器。

2. 芯片信息

  • 芯片尺寸與厚度:芯片尺寸為34.2 mils x 60.2 mils,厚度為4 mils,鍵合焊盤和背面金屬化層材料為Au。
  • 焊盤描述 Pad Number Function Description Interface Schematic
    2 RFIN 焊盤交流耦合并匹配到50歐姆
    3 Vgg 放大器增益控制,調(diào)節(jié)使Idd1 + Idd2 = 98 mA(典型值)
    4, 5 Vdd1, Vdd2 建議在每個焊盤上使用100 pF和0.1 μF的外部旁路電容,電源電壓(+5 V ± 0.5 V)
    6 RFOUT 焊盤交流耦合并匹配到50歐姆
    1, 7, Die Bottom GND 這些焊盤和芯片底部必須連接到RF/DC接地

三、產(chǎn)品規(guī)格

1. 絕對最大額定值

RF Input Power (Vdd1 = Vdd2 = +5 V) +10 dBm
Supply Voltage (Vdd1, Vdd2) +5.5 Vdc
Channel Temperature 175 °C
Thermal Resistance (Channel to die bottom) 116 °C/W
Storage Temperature Range -65 °C to +150 °C
Operating Temperature Range (TA) (Performance) -40 °C to +85 °C
Operating Temperature Range (TA) -55 °C to +85 °C
ESD Sensitivity (HBM) Class 0

2. 推薦工作條件

  • 電源電壓 (Vdd1 = Vdd2):+4.5 Vdc至 +5.5 Vdc
  • 驅(qū)動電平范圍:0 dBm至 +6 dBm

3. 標稱工作性能特性

Fo Isolation (with respect to output level) 158 dBc
3Fo Isolation (with respect to output level) 19 dBc
4Fo Isolation (with respect to output level) 15 dBc
Input Return Loss 15 dB
Output Return Loss 12 dB
SSB Phase Noise (100 kHz Offset)

4. 標稱隔離性能特性

此部分規(guī)格適用于 (T_{A}=25^{circ} C)、(Vdd1 = Vdd2 = +3.5 Vdc)、+5 dBm驅(qū)動電平、Idd (Idd 1 + Idd 2)=98 mA 以及RFOUT頻率范圍為8 GHz至21 GHz的情況。

四、芯片鑒定

芯片鑒定遵循MIL - PRF - 38534的K類版本附錄C表C - II,但有部分修改:

  • 芯片鑒定前需要進行預篩選測試,以去除所有與組裝相關(guān)的次品。
  • 不進行機械沖擊或恒定加速度測試。
  • 中期和老化后電氣測試僅包括在 +25 °C下進行的篩選測試。

五、芯片電氣特性

1. 芯片電氣特性表I

Parameter Symbol Conditions Limits Unit
Min Max
Output Power POUT 14 dBm
Supply Current (Idd1 + Idd2) Idd No Drive level applied at RFIN 126 mA

2. 鑒定樣品電氣特性表II

此表給出了不同頻率和溫度條件下的輸出功率和電源電流的限制。

3. 老化/壽命測試增量限制表III

Parameter Symbol Delta Unit
Output Power POUT ± 1 dB
Supply Current (Idd1 + Idd2) Idd ± 10 %

六、芯片外形

詳細給出了各個焊盤的尺寸和描述,同時對芯片的厚度、鍵合焊盤金屬化、背面金屬化等信息進行了說明。

七、應用說明

芯片應使用共晶混合物或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂直接連接到接地平面。推薦使用0.127 mm(5 mils)厚的氧化鋁薄膜基板上的50 Ω微帶傳輸線來傳輸射頻信號。若使用0.254 mm(10 mils)厚的氧化鋁薄膜基板,需將芯片抬高0.15 mm(6 mils),使芯片表面與基板表面共面。微帶基板應盡可能靠近芯片,以減少鍵合線長度,典型的芯片與基板間距為0.076 mm至0.152 mm(3至6 mils)。

八、典型性能特性

所有典型性能特性在 (Vdd 1=Vdd 2=+5 Vdd)、(Idd1 + Idd2 = 98 mA)、+5 dBm驅(qū)動電平以及 (T_{A}=+25^{circ} C) 條件下適用,給出了輸出功率與溫度、電源電壓、驅(qū)動電平的關(guān)系,以及隔離度與輸出頻率、溫度的關(guān)系等圖表。

九、芯片封裝信息

標準封裝為GP - 2(凝膠包裝),若需要替代封裝信息,可聯(lián)系Analog Devices Inc。

十、總結(jié)

ADH561S作為一款高性能的8至21 GHz輸出x2有源頻率乘法器,具有明確的規(guī)格和性能特性。電子工程師在設計過程中,需要根據(jù)其絕對最大額定值、推薦工作條件等參數(shù)進行合理的電路設計和布局。同時,在應用過程中要注意芯片的安裝方式和電氣特性的測試,以確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過類似頻率乘法器的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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