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意法半導(dǎo)體發(fā)布EVSTDRVG611MC氮化鎵電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 來源:意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 2026-05-09 16:11 ? 次閱讀
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交鑰匙電路板和文檔資料,降低物料成本,加快產(chǎn)品上市

意法半導(dǎo)體EVSTDRVG611MC氮化鎵(GaN)電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)主打家電和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達(dá)600W以上,確保終端設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,同時(shí)降低物料成本。

該參考設(shè)計(jì)是一個(gè)交鑰匙開發(fā)板,即插即用,上電后即可開始評(píng)測(cè),板載意法半導(dǎo)體STDRIVEG611GaN柵極驅(qū)動(dòng)芯片、分立式GaN功率晶體管和混合信號(hào)微控制器STM32G431。開發(fā)板是一塊兩層印刷電路板,尺寸為108mm×110mm,性價(jià)比高,物料清單、原理圖及Gerber文件均可在st.com官網(wǎng)直接下載。

意法半導(dǎo)體的GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和驅(qū)動(dòng)芯片正在顛覆功率轉(zhuǎn)換技術(shù)市場(chǎng),能夠讓充電器、電源適配器和服務(wù)器電源的能效和功率密度達(dá)到傳統(tǒng)硅解決方案無法企及的水平。EVSTDRVG611MC參考設(shè)計(jì)中的STDRIVEG611柵極驅(qū)動(dòng)器專為硬開關(guān)電路優(yōu)化設(shè)計(jì),助力GaN技術(shù)在電機(jī)控制領(lǐng)域普及應(yīng)用,搭配650V、75mΩ規(guī)格的GaN晶體管,可幫助家電設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的能效等級(jí)、體積更小的電控模塊和更高的系統(tǒng)可靠性。

EVSTDRVG611MC板使用直流電源,在不加裝散熱器的條件下輸出功率可達(dá)600W以上,在加裝散熱器后,最大功率有進(jìn)一步提升空間,靈活可變的功率范圍使其適配洗衣機(jī)等家電和工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)裝置,以及其他無刷直流(BLDC)電機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景。STDRIVEG611柵極驅(qū)動(dòng)器采用5mm×4mm QFN小封裝,STM32微控制器STM32G431集成三路運(yùn)放,支持三路分流電阻采樣,為客戶提供一個(gè)有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的物料清單。Arm Cortex-M4內(nèi)核可以實(shí)時(shí)運(yùn)行復(fù)雜控制算法,以滿足電機(jī)高轉(zhuǎn)速控制需求。

工程師可借助ST Motor Control Workbench工具快速評(píng)估EVSTDRVG611MC開發(fā)板,開始應(yīng)用開發(fā)。該工具包含電機(jī)特性分析、性能監(jiān)測(cè)等功能,支持自動(dòng)生成固件,大幅縮短產(chǎn)品上市周期。用戶可以在無感電機(jī)控制方案中采用FOC磁場(chǎng)定向控制(矢量控制算法),也可以在有感電機(jī)控制架構(gòu)中采用FOC,以平穩(wěn)精準(zhǔn)地控制電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),支持霍爾傳感器、增量式/絕對(duì)值編碼器等多種反饋方案。

現(xiàn)在EVSTDRVG611MC可以通過意法半導(dǎo)體代理商或官網(wǎng)訂購。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:意法半導(dǎo)體發(fā)布GaN參考設(shè)計(jì),面向家電與工業(yè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制應(yīng)用

文章出處:【微信號(hào):STMChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體中國(guó)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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