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你的同行,都在偷偷換這顆新型存儲芯片

矽朋微電子 ? 2026-05-09 17:32 ? 次閱讀
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上海矽朋微電子有限公司推出STT?MRAM 系列芯片,具備高速讀寫、非易失、高耐用等優(yōu)勢,專為工業(yè)控制、通信、物聯(lián)網(wǎng)及航空航天等關(guān)鍵領(lǐng)域設(shè)計,助力國產(chǎn)高端存儲替代與智能化升級。


專為高可靠高速存儲場景打造


MRAM系列芯片是上海矽朋微面向工業(yè)控制、通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域推出的SPI 接口非易失 STT?MRAM 芯片,定位替代傳統(tǒng) Flash、EEPROM、FRAM 等存儲器件,解決頻繁讀寫、掉電數(shù)據(jù)保護、低功耗運行、寬溫穩(wěn)定等行業(yè)痛點。

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它不依賴電荷存儲數(shù)據(jù),而是利用磁性隧道結(jié)(MTJ) 與電子自旋方向?qū)崿F(xiàn)信息記錄,天生具備非易失、高速讀寫、無寫入延遲、高耐用、長數(shù)據(jù)保持等特性,完美適配對數(shù)據(jù)安全與響應(yīng)速度有極高要求的關(guān)鍵系統(tǒng)。

MRAM系列有5款芯片,分別是PN256KNIA、PM256KNIA、PM001MNxB、PM002MNxB、PM004MNxB。

硬核實力一目了然


1. 基礎(chǔ)規(guī)格清晰易用(1)存儲容量與接口

型號

容量

接口

PM001MNxB

1Mb

兼容spi接口的fram和flash

PM002MNxB

2Mb

支持標準 SPI(Mode 0/3)和 QPI 模式

PM004MNxB

4Mb

支持標準 SPI(Mode 0/3)和 QPI 模式

PN256KNIA

256Kb

IIC(支持多器件尋址,最多掛載4個芯片)

PM256KNIA

256Kb

SPI(支持Mode 0和Mode 3)

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(2)存儲技術(shù):STT?MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁性隨機存取存儲器)

(3)數(shù)據(jù)保持:掉電數(shù)據(jù)保持>10 年,無需電容 / 電池備份

(4)工作特性:無寫入延遲,支持隨機地址讀寫,無需擦除即可直接寫入


2. 四大核心技術(shù)優(yōu)勢

(1)真正非易失,斷電數(shù)據(jù)零丟失unlike SRAM 斷電即丟數(shù)據(jù),依靠磁態(tài)保存信息,斷電后數(shù)據(jù)穩(wěn)定保持超 10 年,特別適合系統(tǒng)配置、日志、故障碼、校準參數(shù)等不可丟失的數(shù)據(jù)存儲。

(2)高速讀寫 + 無寫入延遲,系統(tǒng)響應(yīng)更快傳統(tǒng) Flash/EEPROM 寫入前必須擦除,存在毫秒級延遲;而這款 MRAM讀寫同速、隨機存取、無等待周期,可實現(xiàn)高頻次實時數(shù)據(jù)記錄,大幅提升系統(tǒng)實時性。

(3)高耐用性,支持近乎無限次讀寫相比 Flash 有限擦寫壽命,STT?MRAM 結(jié)構(gòu)幾乎無物理磨損,可承受極高次數(shù)讀寫循環(huán),在工業(yè)數(shù)據(jù)采集、高頻日志存儲等場景可實現(xiàn) “終身免更換”。

(4)低功耗 + 寬溫可靠,適配嚴苛環(huán)境芯片整體功耗低,支持電池供電設(shè)備長期運行;同時具備優(yōu)秀的抗干擾、寬溫工作能力,在高低溫、強電磁環(huán)境下依然穩(wěn)定讀寫,滿足工業(yè)與戶外場景要求。

四大重點應(yīng)用領(lǐng)域:

全覆蓋高可靠剛需場景


1. 工業(yè)控制與自動化 在 PLC、伺服驅(qū)動、傳感器數(shù)據(jù)記錄、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、運動控制器中,設(shè)備需要頻繁記錄運行參數(shù)、故障信息、采集數(shù)據(jù),且必須保證斷電不丟失。

矽朋的MARM系列矽朋,無寫入延遲、高耐用、非易失的特性,可替代傳統(tǒng) EEPROM/Flash,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性與壽命,降低維護成本。

2. 通信設(shè)備 路由器、交換機5G 小基站、光模塊等設(shè)備,需高速存儲配置信息、流量日志、固件參數(shù),同時要求掉電不丟配置、快速啟動、長期穩(wěn)定。SPI 接口易于集成,高速讀寫保證系統(tǒng)響應(yīng),10 年數(shù)據(jù)保持讓通信基礎(chǔ)設(shè)施更可靠。

3. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備 智能傳感器、穿戴設(shè)備、無線終端、表計類產(chǎn)品多為電池供電、空間小、低功耗要求高,且需要長期穩(wěn)定存儲少量關(guān)鍵數(shù)據(jù)。它還有低功耗、非易失、小體積、長壽命的優(yōu)勢,讓 IoT 終端更省電、更耐用、更可靠。

4. 航空航天與國防 導(dǎo)航系統(tǒng)、通信終端、機載設(shè)備等對數(shù)據(jù)安全、穩(wěn)定性、抗輻照、極端環(huán)境要求極高,傳統(tǒng)存儲難以滿足。STT?MRAM 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、抗干擾強、數(shù)據(jù)保持久,是高可靠領(lǐng)域的理想存儲選擇。

相比傳統(tǒng)存儲:

MRAM優(yōu)勢在哪?




特性

Flash/EEPROM

SRAM

PM001MNxB
PM002MNxB
PM004MNxB

PN256KNIA

PM256KNIA

非易失性

寫入延遲

有(需擦除)

讀寫速度

較慢

快(接近 SRAM)

擦寫壽命

有限

極高(近乎無限)

功耗

較高

高(需刷新)

低功耗

適用場景

代碼 / 大容量存儲

高速緩存

關(guān)鍵數(shù)據(jù)高速長期存儲


簡單總結(jié):

MRAM= SRAM 的速度 + Flash 的非易失 + 更低功耗 + 更長壽命。

專注高端非易失存儲,

助力國產(chǎn)替代


上海矽朋微電子有限公司深耕MRAM、高性能非易失存儲器領(lǐng)域,堅持自主研發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新,聚焦工業(yè)、通信、汽車、IoT、航空航天等高可靠市場,為客戶提供穩(wěn)定、高性能、可規(guī)?;慨a(chǎn)的存儲芯片與解決方案。

MRAM作為公司主力 STT?MRAM 產(chǎn)品,以成熟工藝、穩(wěn)定性能、標準 SPI 接口、長數(shù)據(jù)保持、高速讀寫等特點,成為國產(chǎn)替代的優(yōu)選型號,幫助客戶擺脫對外依賴,提升供應(yīng)鏈安全與產(chǎn)品競爭力。

關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲,

選對 MRAM 很重要


在越來越強調(diào)高可靠、低時延、長壽命、掉電保護的今天,傳統(tǒng)存儲器已難以滿足高端設(shè)備需求。上海矽朋微MRAM系列的PM001/PM002/PM004/PN256KNIA/PM256KNIA,分別以1M Bit、2MBit、4M Bit、256K Bit 、256K Bit容量,SPI 接口/IIC 接口,STT?MRAM 架構(gòu),>10 年數(shù)據(jù)保持,無寫入延遲,高耐用,低功耗等核心優(yōu)勢,精準覆蓋工業(yè)控制、通信、物聯(lián)網(wǎng)、航空航天四大場景,為系統(tǒng)提供 “存得快、不掉電、用得久、夠穩(wěn)定” 的新一代存儲支撐。

未來,隨著智能設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)升級,STT?MRAM 將成為主流高可靠存儲方案。上海矽朋微電子將持續(xù)迭代技術(shù),推出更多容量、更多接口的 MRAM 產(chǎn)品,以國產(chǎn)高端存儲力量,賦能千行百業(yè)數(shù)字化與智能化升級。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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