電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）近段時間，存儲芯片價格一路猛漲，供需缺口持續(xù)拉大。這不僅讓市場中的電子產品，包括手機、電腦、SSD等價格一路飆升。更讓存儲企業(yè)業(yè)績大漲，例如SK海力士更是創(chuàng)下盈利新高，員工人均獎金有望超過320萬元人民幣。

與此同時，高盛在2026年2月發(fā)布了一份報告。首次明確提出，2026年全球DRAM市場將出現(xiàn)4.9%的供需缺口，這是自2011年以來15年中最嚴重的短缺局面，且短缺將延續(xù)至2027年。

存儲芯片缺口巨大

今年2月份，高盛發(fā)布了一份深度行業(yè)報告，預測2026年全球DRAM的供不應求幅度將達到4.9%。這是自2011年以來，統(tǒng)計學上最嚴重的供應短缺。同時預計2026年NAND Flash缺口達4.2%，同樣處于歷史高位。

與此同時，Gartner也預測2026年DRAM+SSD合計價格將上漲約130%，PC出貨量下降10.4%，智能手機出貨量下降8.4%，原因是存儲成本飆升。

中國臺灣地區(qū)媒體《經濟日報》也在近期報道，慧榮科技總經理茍嘉章表示，AI投資重心正在從訓練快速轉移至推理，進一步帶動內存、存儲需求增長。目前情況下，NAND閃存可能一路缺貨至2028年，下半年內存價格可能持續(xù)上漲。

他認為即便現(xiàn)在啟動擴產，也無法立即建立穩(wěn)定供給。從獲取土地、建設無塵車間，到裝機、良率調校完成，至少需要2-3年才能真正形成有效產能，且設備交付周期往往長達1年至1年半，供需缺口難以短期快速改善。

值得注意的是，由于受到SK海力士高額獎金的刺激，讓三星電子的員工大失所望。因為與SK海力士將10%的營業(yè)利潤用作員工獎金的做法不同，此前三星電子一直遵循固定獎金政策，因此盡管三星與SK海力士都受到存儲市場利好，業(yè)績大漲，但三星電子的員工獎金并沒有太大的變化。

因此該公司工人正要求三星電子將各部門營業(yè)利潤的15%分配給員工，并將工資提高7%，如若不然，工會工人將從5月21日起舉行為期18天的罷工。韓國成均館大學教授Kwon Seok-joon估計，18天的罷工將給三星造成10萬億至17萬億韓元（約68億至116億美元）的直接損失，并造成更大的間接損失。

而此前市場認為存儲巨頭能通過庫存調節(jié)價格，但罷工直接威脅到晶圓廠的稼動率。半導體生產是連續(xù)作業(yè)，一旦停工，重新調試機器和恢復良率需要數(shù)周時間。現(xiàn)貨市場對這類消息極其敏感。即便目前庫存尚存，貿易商也會囤貨居奇，一旦正式罷工，可能導致5月下旬現(xiàn)貨價出現(xiàn)“日更式”上漲。

同時下游大客戶為了避險，正在緊急向SK海力士和美光追加訂單。這種擠兌式下單會迅速消耗這兩家的剩余產能，形成全行業(yè)的物理缺貨。并且有多家媒體報道，由于設備交付和良率問題，原定2027年底的部分新產能可能延期至2028年中。

新的變化

此前電子發(fā)燒友網中多篇關于存儲的報告已經指出，當前存儲市場價格上漲主要由AI帶動，HBM成為最受益的存儲產品，但HBM搶占了普通DRAM產能，HBM每生產1bit，要占用約3倍于普通DRAM的晶圓面積。

但由于HBM工藝極度復雜、良率提升緩慢，導致其綜合成本極高。與此同時，由于廠商冷落了普通DRAM（如DDR5）的生產，導致其價格在24年Q4到26年Q1期間報復性上漲。

這就導致目前市場產生了一個新的變化，那就是DDR5的利潤率開始慢慢超過HBM了。在2025年Q4便已經有報道，隨著服務器DDR5合約價大漲，晶圓利潤顯著改善，正在快速追上HBM3e。之前HBM3e價格是服務器DDR5的4-5倍，預計到2026年底價差收窄到1-2倍，隨著普通DRAM利潤改善，部分供應商開始把部分產能轉向DDR5，反而給HBM3e漲價騰出空間。

Micron CEO Sanjay Mehrotra公開表示，非HBM的邊際利潤目前高于HBM。SK集團的chairman也提到，HBM邊際約60%，而標準內存可達約80%。TrendForce更是在其4月份的報告中直接寫到，Server DDR5盈利性自年初起超過HBM，這是歷史首次。

當然，這主要是因為HBM高昂的研發(fā)和良率爬坡成本尚未完全攤薄，而DDR5作為成熟產品，其生產成本已被壓至極致。

而伴隨著邊際利潤的改變，一旦HBM產能被挪走，AI GPU的交付可能再次延期；如果DRAM價格繼續(xù)飛漲，傳統(tǒng)的企業(yè)級服務器升級將被迫停滯。

同時，三星和SK海力士等在Q1/Q2期間已多次向客戶提出漲價方案，部分服務器DRAM漲幅達60-70%甚至更高。

AI推理不僅需要內存載入模型，還需要海量存儲來吞吐多模態(tài)數(shù)據(jù)，今年開始，隨著AI模型從文本生成轉向多媒體/視頻生成，數(shù)據(jù)中心對于企業(yè)級SSD需求已經從過去的線性增長，變成了指數(shù)級爆發(fā)。

有數(shù)據(jù)顯示，企業(yè)級SSD在NAND總需求中的占比從2025年的28%躍升至2026年一季度的37%，首次超過移動設備的32%，成為最大單一應用市場。Omdia數(shù)據(jù)顯示，2026年AI推理相關企業(yè)級SSD采購量同比增長152%，遠超傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心需求增速。

這就導致過去市場中的存儲短缺主要在內存，而如今大容量企業(yè)級SSD，例如64TB/128TB規(guī)格成為了真正的稀缺物資。傳統(tǒng)HDD交期已延長至52周以上，而QLC SSD憑借10倍于HDD的隨機讀寫速度和更低的TCO，在溫數(shù)據(jù)場景的滲透率從2025年的12%升至2026年Q1的31%。

美光高管明確表示AI工作負載正推動數(shù)據(jù)中心存儲從HDD向SSD遷移，高容量QLC SSD在AI/云/超大規(guī)模場景中優(yōu)勢明顯。這種變化利好擁有垂直整合能力的企業(yè)，也就是既做閃存顆粒又做主控芯片的廠商。

SSD的漲價不止局限在企業(yè)級，可以看到隨著市場價格的暴漲，例如惠普、戴爾等PC廠商開始采用長江存儲、長鑫科技的消費級芯片，認證周期從2年縮短至6-8個月。小米18系列通過引入國產存儲芯片，將成本漲幅從1500元控制至實際漲價300-500元。而車企為應對存儲成本壓力，在智能座艙中縮減存儲規(guī)格或推遲AI功能升級。

整體來看，這輪存儲的短缺影響深度已經遠超歷史周期，2017-2018年短缺僅持續(xù)18個月，而本輪短缺因AI需求剛性將延續(xù)至2027年甚至2028年，且結構性特征導致消費級市場恢復更慢。

不過對于國產企業(yè)來說，全球70%內存產能被數(shù)據(jù)中心吞噬的背景下，中國存儲獲得從備選項到可選項的突破機遇，但需跨越認證與產能爬坡雙重門檻。

寫在最后

盡管目前存儲市場仍然處于超級周期當中，但有意思的是，高盛在報告中同時下調了美光評級至“中性”，理由是大部分利好已被價格消化。Gartner更強調的則是存儲成本的飆升，帶來終端消費電子出貨量的下滑，這對于終端廠商來說是成本和利潤警告。

同時，一線大廠開始逐漸采用國產存儲芯片，尤其是在全球價格暴漲時，國產芯片的價格優(yōu)勢與極短缺貨下的保供實力作用顯現(xiàn)。這對于存儲相關公司是長期的邏輯支撐。

產品策略也將得以重塑，未來能夠看到的是，無論是手機還是汽車，廠商將開始精準計算每一GB存儲帶來的用戶價值，這將直接改變未來兩年的產品設計走向。