ON Semiconductor FFB20UP20DN_F085 10A, 200V 超快速雙整流器深度解析
在電子工程領域,整流器是不可或缺的基礎元件,它在電源轉換、電機驅動等眾多應用中發(fā)揮著關鍵作用。今天,我們將聚焦于ON Semiconductor的FFB20UP20DN_F085 10A, 200V超快速雙整流器,深入探討其特點、應用、電氣特性等方面。
一、產品概述
Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合,在整合過程中,部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求,特別是Fairchild零件編號中的下劃線(_)將改為破折號(-)。FFB20UP20DN_F085是一款超快速整流器,采用氮化硅鈍化離子注入外延平面結構,具有低正向壓降的特點。
二、產品特點
1. 高反向電壓
該整流器的峰值重復反向電壓(V{RRM})、工作峰值反向電壓(V{RWM})和直流阻斷電壓(V_{R})均達到200V,能夠承受較高的反向電壓,適用于對電壓要求較高的應用場景。
2. 雪崩能量額定
具備雪崩能量額定能力,這意味著它在遇到瞬間高能量沖擊時,能夠更好地保護電路,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
3. 平面結構
采用平面結構設計,這種結構有助于提高整流器的性能和散熱效率,同時也便于集成到各種電路中。
三、應用領域
1. 輸出整流
在電源電路中,作為輸出整流器,將交流電轉換為直流電,為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的直流電源。
2. 開關模式電源
在開關模式電源中,該整流器可用于整流和濾波,提高電源的效率和穩(wěn)定性。
3. 電機應用的續(xù)流二極管
在電機驅動電路中,作為續(xù)流二極管,為電機繞組提供續(xù)流通路,保護開關器件免受反電動勢的影響。
4. 功率開關電路
在各種功率開關電路中,該整流器可用于快速切換和能量轉換,減少開關損耗。
四、電氣特性
1. 絕對最大額定值
| Symbol | Parameter | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| (V_{RRM}) | 峰值重復反向電壓 | 200 | V |
| (V_{RWM}) | 工作峰值反向電壓 | 200 | V |
| (V_{R}) | 直流阻斷電壓 | 200 | V |
| (I_{f(avg)}) | 平均整流正向電流((T_{C}=155^{circ}C)) | 10 | A |
| (I_{FSM}) | 非重復峰值浪涌電流(60Hz單半正弦波) | 100 | A |
| (T{J}, T{STG}) | 工作結溫和存儲溫度 | -55 to +175 | °C |
2. 熱特性
最大熱阻(R_{θJC1})為3.5 °C/W,這表明該整流器在散熱方面具有較好的性能,能夠有效地將熱量散發(fā)出去,保證器件的正常工作。
3. 電氣參數(shù)
| 參數(shù) | 條件 | Min | Typ | Max | Units |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{F}) | (I{F}=10A, T{C}=25^{circ}C) | - | - | 1.15 | V |
| (V_{F}) | (I{F}=10A, T{C}=150^{circ}C) | - | - | 1.0 | V |
| (I_{R}) | (V{R}=200V, T{C}=25^{circ}C) | - | - | 10 | μA |
| (I_{R}) | (V{R}=200V, T{C}=150^{circ}C) | - | - | 250 | μA |
| (t_{rr}) | (I{F}=1A, di/dt = 200A/μs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 15 | 25 | ns |
| (t_{rr}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/μs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 27 | 40 | ns |
| (t_{a}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/μs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 21 | - | ns |
| (t_) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/μs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 6 | - | ns |
| (Q_{rr}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/μs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 50 | - | nC |
| (W_{AVL}) | 雪崩能量((L = 20mH)) | - | - | 10 | mJ |
這些參數(shù)反映了整流器在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師在設計電路時需要根據(jù)實際需求進行合理選擇。
五、封裝和訂購信息
該整流器采用TO - 263封裝,卷盤尺寸為13”,磁帶寬度為24mm,每卷數(shù)量為800個。其器件標記為F20UP20DN。
六、注意事項
1. 零件編號變更
由于Fairchild Semiconductor的整合,部分零件編號需要更改,使用時需注意檢查ON Semiconductor網站以驗證更新后的器件編號。
2. 應用限制
ON Semiconductor產品不設計、不打算也未獲授權用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或具有相同或類似分類的外國司法管轄區(qū)的醫(yī)療設備,以及任何用于人體植入的設備。如果買家將產品用于此類非預期或未授權的應用,需承擔相應的責任。
3. 參數(shù)驗證
“典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化,實際性能也可能隨時間變化。所有工作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。
綜上所述,F(xiàn)FB20UP20DN_F085超快速雙整流器憑借其高反向電壓、雪崩能量額定、低正向壓降等特點,在眾多應用領域具有廣闊的應用前景。電子工程師在設計電路時,可以根據(jù)實際需求合理選擇該整流器,同時要注意上述提到的注意事項,以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應用中是否遇到過類似整流器的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗和見解。
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