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onsemi FES10D、FES10G、FES10J 超快整流器:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

lhl545545 ? 2026-05-12 13:55 ? 次閱讀
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onsemi FES10D、FES10G、FES10J 超快整流器:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,整流器是不可或缺的基礎(chǔ)元件,其性能直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們來(lái)深入了解 onsemi 推出的 FES10D、FES10G、FES10J 這三款表面貼裝的超快整流器,看看它們有哪些獨(dú)特之處。

文件下載:FES10D-D.PDF

產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

1. 低外形設(shè)計(jì)

這三款整流器具有極低的外形輪廓,典型高度僅為 1.1mm。這種低外形設(shè)計(jì)在對(duì)空間要求苛刻的應(yīng)用中非常實(shí)用,比如小型化的電子產(chǎn)品、高密度電路板等,可以有效節(jié)省空間,實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。

2. 超快恢復(fù)時(shí)間

超快恢復(fù)時(shí)間是其一大優(yōu)勢(shì),能夠快速完成整流過(guò)程,減少能量損耗,提高電路的工作效率。在高頻電路中,這種特性可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,提升系統(tǒng)的整體性能。

3. 低正向壓降

低正向壓降意味著在導(dǎo)通時(shí)消耗的能量更少,能夠有效降低發(fā)熱,提高能源利用率。這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備來(lái)說(shuō),不僅可以降低功耗,還能延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

4. 低熱阻

低熱阻特性使得整流器在工作過(guò)程中能夠更有效地散熱,保證其在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。即使在工業(yè)溫度(最高可達(dá) 150°C)下,也能保持良好的性能,適用于各種惡劣的工業(yè)環(huán)境。

5. 環(huán)保合規(guī)

這些整流器符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),采用了符合 IEC61249 標(biāo)準(zhǔn)的綠色模塑化合物,并且符合歐盟 RoHS 2011/65/EU 指令,是環(huán)保型的電子元件。同時(shí),它們還通過(guò)了 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)設(shè)備認(rèn)證,具有較高的可靠性和穩(wěn)定性。

最大額定參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) FES10D 值 FES10G 值 FES10J 值 單位
重復(fù)峰值反向電壓 VRRM 200 400 600 V
平均正向整流電流 IF(AV) 10 10 10 A
峰值正向浪涌電流(8.3ms 單半正弦波疊加在額定負(fù)載上) IFSM 150 150 150 A
工作結(jié)溫范圍 TJ -55 至 +175 -55 至 +175 -55 至 +175 °C
儲(chǔ)存溫度范圍 TSTG -55 至 +175 -55 至 +175 -55 至 +175 °C

需要注意的是,超過(guò)最大額定參數(shù)可能會(huì)損壞設(shè)備,影響其功能和可靠性。

電氣特性

1. 最大瞬時(shí)正向電壓(VF

在不同的電流和溫度條件下,三款整流器的最大瞬時(shí)正向電壓有所不同。例如,當(dāng) IF = 10A 時(shí),F(xiàn)ES10D 的 VF 為 0.95V,F(xiàn)ES10G 為 1.20V,F(xiàn)ES10J 為 1.80V;當(dāng) IF = 10A 且 TJ = 125°C 時(shí),F(xiàn)ES10D 的 VF 為 0.86V,F(xiàn)ES10G 為 1.00V。這些數(shù)據(jù)可以幫助工程師根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求選擇合適的整流器。

2. 最大反向電流(IR

在額定反向電壓下,不同溫度時(shí)的最大反向電流也不同。當(dāng) TJ = 25°C 時(shí),最大反向電流為 5μA;當(dāng) TJ = 125°C 時(shí),F(xiàn)ES10D 的 IR 為 250μA,F(xiàn)ES10G 為 500μA。反向電流的大小會(huì)影響整流器的反向泄漏情況,對(duì)電路的穩(wěn)定性有一定影響。

3. 典型結(jié)電容(CJ

在 VR = 4V、f = 1MHz 的條件下,典型結(jié)電容為 140pF。結(jié)電容會(huì)影響整流器在高頻電路中的性能,工程師在設(shè)計(jì)高頻電路時(shí)需要考慮這一因素。

4. 典型反向恢復(fù)時(shí)間(Trr

不同的測(cè)試條件下,反向恢復(fù)時(shí)間也有所不同。例如,當(dāng) IF = 0.5A、IR = 1A、IRR = 0.25A 時(shí),Trr 為 30ns;當(dāng) IF = 1A、di/dt = 50A/μs、VR = 30V 時(shí),Trr 為 40ns。反向恢復(fù)時(shí)間越短,整流器在高頻開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗就越小。

封裝與訂購(gòu)信息

這三款整流器采用 TO - 277 - 3L 封裝,且只有 DAP 選項(xiàng)。每盤包裝數(shù)量為 5000 個(gè),采用帶盤包裝。對(duì)于帶盤規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

熱特性

在 TA = 25°C 的條件下,結(jié)到引腳的熱阻(RJL)為 6°C/W,結(jié)到環(huán)境的熱阻(RJA)為 100°C/W。熱阻是衡量整流器散熱能力的重要指標(biāo),在設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)需要充分考慮。

機(jī)械尺寸與安裝建議

TO - 277 - 3 封裝的尺寸為 5.91x4.44x1.10,引腳間距為 2.10P。尺寸標(biāo)注和公差按照 ASME Y14.5M,2018 標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。對(duì)于推薦的安裝 footprint,可參考 onsemi Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D。

總結(jié)與思考

onsemi 的 FES10D、FES10G、FES10J 超快整流器憑借其低外形、超快恢復(fù)時(shí)間、低正向壓降、低熱阻等特性,在眾多電子應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景,綜合考慮其電氣特性、熱特性和機(jī)械尺寸等因素,選擇最合適的整流器。同時(shí),要注意遵循最大額定參數(shù)的限制,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用這些整流器的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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