Cree CGHV27200:2.5 - 2.7 GHz LTE應(yīng)用的GaN HEMT卓越之選
在當(dāng)今通信技術(shù)飛速發(fā)展的時代,對于高性能射頻晶體管的需求日益增長。Cree的CGHV27200作為一款專門為特定需求設(shè)計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),在2.5 - 2.7 GHz的LTE和BWA放大器應(yīng)用中展現(xiàn)出了卓越的性能。今天,我們就來深入了解一下這款產(chǎn)品。
文件下載:CGHV27200-TB.pdf
產(chǎn)品概述
CGHV27200專為高效、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計,這使得它成為2.5 - 2.7 GHz LTE和BWA放大器應(yīng)用的理想選擇。該晶體管采用輸入匹配設(shè)計,并封裝在陶瓷/金屬法蘭封裝中,型號有CGHV27200F和CGHV27200P,對應(yīng)的封裝類型分別為440162和440161。
性能表現(xiàn)
典型性能參數(shù)
| 在2.5 - 2.7 GHz的頻率范圍內(nèi),CGHV27200在演示放大器電路中表現(xiàn)出了出色的性能。以下是在不同頻率下的典型性能參數(shù): | 參數(shù) | 2.5 GHz | 2.6 GHz | 2.7 GHz | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 增益@46 dBm | 15.0 | 16.0 | 16.0 | dB | |
| ACLR@46 dBm | -36.5 | -37.5 | -37.0 | dBc | |
| 漏極效率@46 dBm | 29.0 | 28.5 | 29.0 | % |
這些參數(shù)表明,CGHV27200在不同頻率下都能保持相對穩(wěn)定的增益和較高的效率,同時滿足較低的鄰道泄漏比(ACLR)要求。
特性亮點
- 寬頻帶操作:能夠在2.5 - 2.7 GHz的頻率范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,為LTE和BWA應(yīng)用提供了廣闊的帶寬支持。
- 高增益:最高可達(dá)16 dB的增益,能夠有效放大信號,提高系統(tǒng)的整體性能。
- 低ACLR:在40 W平均功率下,ACLR可達(dá) -37 dBc,確保了信號的純凈度和鄰道干擾的控制。
- 高效率:在40 W平均功率下,漏極效率可達(dá)29%,有助于降低功耗和散熱需求。
- 可應(yīng)用高度數(shù)字預(yù)失真(DPD)校正:能夠通過DPD技術(shù)進(jìn)一步提高線性度和效率。
電氣特性
直流特性
- 柵極閾值電壓(VGS(th)):在VDS = 10 V,ID = 32 mA的條件下,典型值為 -3.0 V。
- 柵極靜態(tài)電壓(VGS(Q)):在VDS = 50 V,ID = 1.0 A的條件下,為 -2.7 V。
- 飽和漏極電流(IDS):在VDS = 6.0 V,VGS = 2.0 V的條件下,典型值為28.8 A。
- 漏源擊穿電壓(VBR):在VGS = -8 V,ID = 32 mA的條件下,為150 V。
RF特性
- 飽和輸出功率(PSAT):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A的條件下,可達(dá)300 W。
- 脈沖漏極效率(η):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A,POUT = PSAT的條件下,為62%。
- 增益(G):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A,POUT = 46 dBm的條件下,為15.25 dB。
- WCDMA線性度(ACLR):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A,POUT = 46 dBm的條件下,為 -37 dBc。
- 漏極效率(η):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A,POUT = 46 dBm的條件下,為30.5%。
- 輸出失配應(yīng)力(VSWR):在VDD = 50 V,IDQ = 1.0 A,POUT = 200 W脈沖條件下,可達(dá)10 : 1,且在所有相位角下均無損壞。
動態(tài)特性
- 輸入電容(CGS):在VDS = 50 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz的條件下,為97 pF。
- 輸出電容(CDS):在VDS = 50 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz的條件下,為13.4 pF。
- 反饋電容(CGD):在VDS = 50 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz的條件下,為0.94 pF。
典型性能圖表分析
文檔中提供了多個典型性能圖表,包括小信號增益和回波損耗與頻率的關(guān)系、脈沖測量與輸入功率的關(guān)系、線性度與輸出功率的關(guān)系等。這些圖表直觀地展示了CGHV27200在不同條件下的性能表現(xiàn),對于工程師在設(shè)計和優(yōu)化電路時具有重要的參考價值。
源和負(fù)載阻抗
文檔給出了不同頻率下的源和負(fù)載阻抗值,這些數(shù)據(jù)是從CGHV27200 - AMP演示電路中提取的,對于匹配電路的設(shè)計至關(guān)重要。
| 頻率(MHz) | 源阻抗(Z Source) | 負(fù)載阻抗(Z Load) |
|---|---|---|
| 2500 | 11.14 - j14.20 | 4.66 - j0.69 |
| 2550 | 9.58 - j14.73 | 4.51 - j0.92 |
| 2600 | 7.99 - j14.81 | 4.30 - j1.12 |
| 2650 | 6.53 - j14.52 | 4.02 - j1.27 |
| 2700 | 5.28 - j13.97 | 3.70 - j1.36 |
演示放大器電路
文檔還提供了CGHV27200 - AMP演示放大器電路的原理圖、外形圖和物料清單。這對于工程師進(jìn)行實際電路設(shè)計和調(diào)試提供了很大的便利。
產(chǎn)品尺寸和訂購信息
詳細(xì)給出了CGHV27200F和CGHV27200P兩種封裝類型的產(chǎn)品尺寸,同時提供了產(chǎn)品的訂購信息,方便用戶根據(jù)需求進(jìn)行選擇。
總結(jié)
Cree的CGHV27200以其卓越的性能、豐富的特性和詳細(xì)的技術(shù)文檔,為2.5 - 2.7 GHz的LTE和BWA放大器應(yīng)用提供了一個可靠的解決方案。無論是在增益、效率還是線性度方面,都表現(xiàn)出色。作為電子工程師,在設(shè)計相關(guān)電路時,CGHV27200無疑是一個值得考慮的選擇。大家在實際應(yīng)用中,有沒有遇到過類似產(chǎn)品的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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