onsemi NSR10F20NXT5G肖特基勢壘二極管:高效與緊湊的完美結(jié)合
在電子設(shè)計領(lǐng)域,工程師們總是在追求更高的效率和更小的空間占用。今天,我們就來深入了解一款由安森美半導(dǎo)體(onsemi)推出的肖特基勢壘二極管——NSR10F20NXT5G,看看它是如何滿足這些需求的。
文件下載:NSR10F20-D.PDF
產(chǎn)品概述
NSR10F20NXT5G肖特基勢壘二極管經(jīng)過優(yōu)化,具有低正向壓降和低漏電流的特點(diǎn)。它采用芯片級封裝(CSP),大大減少了電路板空間的占用。同時,其低熱阻特性使設(shè)計師能夠應(yīng)對提高效率和滿足空間要求的雙重挑戰(zhàn)。
產(chǎn)品特性
低正向壓降
在1.0A的電流下,正向壓降僅為430mV。這意味著在電路中使用該二極管時,能夠有效降低功率損耗,提高電路的效率。大家可以思考一下,在一個需要大量使用二極管的電路中,這種低正向壓降能為整個系統(tǒng)節(jié)省多少能量呢?
低反向電流
在10V反向電壓(VR)下,反向電流僅為20μA。低反向電流可以減少漏電流,提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。這對于對電流精度要求較高的電路來說,是非常重要的特性。
連續(xù)正向電流
能夠提供1.0A的連續(xù)正向電流,滿足大多數(shù)電路的電流需求。
ESD防護(hù)
具有良好的靜電放電(ESD)防護(hù)能力,人體模型(HBM)達(dá)到3B級,機(jī)器模型(MM)達(dá)到C級。這使得該二極管在復(fù)雜的電磁環(huán)境中能夠更好地保護(hù)電路,減少因靜電放電而導(dǎo)致的損壞。
高開關(guān)速度
高開關(guān)速度使得該二極管能夠快速響應(yīng)電路中的信號變化,適用于高頻電路和快速開關(guān)應(yīng)用。
環(huán)保特性
該器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了環(huán)保理念,也滿足了市場對環(huán)保產(chǎn)品的需求。
典型應(yīng)用
顯示與照明
適用于LCD和鍵盤背光、相機(jī)閃光燈等應(yīng)用。在這些應(yīng)用中,二極管的低正向壓降和高開關(guān)速度能夠提供穩(wěn)定的電流和快速的響應(yīng),保證照明效果。
電源轉(zhuǎn)換
可用于降壓和升壓直流 - 直流轉(zhuǎn)換器。其低損耗特性有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失。
保護(hù)電路
用于反向電壓和電流保護(hù)、鉗位和保護(hù)電路。能夠有效防止電路因過壓、過流等情況而損壞,提高電路的安全性。
目標(biāo)市場
該二極管廣泛應(yīng)用于移動手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)、筆記本電腦和個人數(shù)字助理(PDA)、GPS等設(shè)備中。這些設(shè)備通常對空間和效率有較高的要求,NSR10F20NXT5G正好能夠滿足這些需求。
最大額定值
| 額定值 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 反向電壓 | VR | 20 | V |
| 正向電流(直流) | IF | 1.0 | A |
| 正向浪涌電流(60Hz @ 1 周期) | IFSM | 18 | A |
| 重復(fù)峰值正向電流(脈沖波 = 1 秒,占空比 = 66%) | IFRM | 4.0 | A |
| ESD 評級:人體模型/機(jī)器模型 | ESD | > 8 kV / > 400 V |
需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。
熱特性
熱阻與功耗
在不同的安裝條件下,該二極管具有不同的熱阻和功耗特性。
- 安裝在4平方英寸的FR - 4單面電路板(50平方毫米,1盎司銅,0.06英寸厚)上,穩(wěn)態(tài)工作時,結(jié)到環(huán)境的熱阻(RJA)為228°C/W,總功率耗散(PD)為548mW。
- 安裝在4平方英寸的FR - 4單面電路板(1平方英寸,1盎司銅,0.06英寸厚)上,穩(wěn)態(tài)工作時,結(jié)到環(huán)境的熱阻(RJA)為1.47°C/W,總功率耗散(PD)為85W。
溫度范圍
存儲溫度范圍為 - 40°C至 + 125°C,結(jié)溫可達(dá) + 150°C。
電氣特性
在環(huán)境溫度(TA)為25°C時,該二極管的電氣特性如下:
反向漏電流
- 在VR = 10V時,反向漏電流(IR)為20μA。
- 在VR = 20V時,反向漏電流(IR)為100μA。
正向電壓
- 在IF = 0.5A時,正向電壓(VF)典型值為0.380V,最大值為0.400V。
- 在IF = 1.0A時,正向電壓(VF)典型值為0.430V,最大值為0.450V。
機(jī)械封裝與尺寸
| 該二極管采用DSN2(0502)封裝,尺寸為1.4x0.6,引腳間距為0.75P。具體尺寸如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|
| A | 0.25 | 0.31 | |
| A1 | - | 0.05 | |
| b | 0.45 | 0.55 | |
| D | 1.40(基本尺寸) | - | |
| E | 0.60(基本尺寸) | - | |
| L | 1.20 | 1.30 | |
| L2 | 0.70 | 0.80 | |
| L3 | 0.20 | 0.30 |
在進(jìn)行電路板設(shè)計時,需要根據(jù)這些尺寸來合理安排二極管的布局。
訂購信息
該器件型號為NSR10F20NXT5G,采用DSN2(無鉛)封裝,每卷包裝數(shù)量為5000個。如果需要了解關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考安森美半導(dǎo)體的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure》(BRD8011/D)。
總結(jié)
NSR10F20NXT5G肖特基勢壘二極管以其低正向壓降、低漏電流、高開關(guān)速度、良好的ESD防護(hù)和緊湊的封裝等特性,為電子工程師在設(shè)計高效、緊湊的電路時提供了一個優(yōu)秀的選擇。無論是在顯示照明、電源轉(zhuǎn)換還是保護(hù)電路等應(yīng)用中,都能發(fā)揮出其獨(dú)特的優(yōu)勢。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的電路需求,合理選擇和使用該二極管,以達(dá)到最佳的設(shè)計效果。大家在使用這款二極管的過程中,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享。
-
電子設(shè)計
+關(guān)注
關(guān)注
42文章
3082瀏覽量
49950 -
肖特基勢壘二極管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
68瀏覽量
9620
發(fā)布評論請先 登錄
淺析肖特基勢壘二極管
肖特基勢壘二極管的特點(diǎn)
肖特基勢壘二極管,肖特基勢壘二極管原理/結(jié)構(gòu)
肖特基勢壘二極管,肖特基勢壘二極管是什么意思
SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管的比較
onsemi NSR10F20NXT5G肖特基勢壘二極管:高效與緊湊的完美結(jié)合
評論