深入解析ADVANTECH 288Pin DDR4 2133 VLP RDIMM 8GB內存模塊
深入解析ADVANTECH 288Pin DDR4 2133 VLP RDIMM 8GB內存模塊
在當今的電子設備中，內存模塊的性能和穩(wěn)定性至關重要。ADVANTECH的288Pin DDR4 2133 VLP RDIMM 8GB（型號：AQD - D4U8GRV21 - SG）就是一款值得關注的內存產品。下面，我們就來詳細了解一下這款內存模塊。
文件下載：AQD-D4U8GRV21-SG.pdf
一、產品概述
ADVANTECH的這款DDR4 VLP Registered DIMMs是高速且低功耗的內存模塊。它采用了512Mx8bits的DDR4 SDRAM，封裝形式為FBGA，并在288引腳的印刷電路板上配備了一個4K - bit的串行EEPROM。該模塊是雙列直插式內存模塊，可安裝到288引腳的邊緣連接器插座中。其同步設計能利用系統(tǒng)時鐘實現(xiàn)精確的周期控制，數(shù)據I/O事務可在DQS的兩個邊緣進行。廣泛的工作頻率范圍和可編程延遲，使其適用于各種高帶寬和高性能的內存系統(tǒng)應用。
二、產品特性
2.1 環(huán)保與標準
- RoHS合規(guī)：符合環(huán)保標準，減少對環(huán)境的影響。
- JEDEC標準電源：采用1.2V ± 0.06V的電源供應（VDDQ = 1.2V ± 0.06V），確保穩(wěn)定的電力支持。
2.2 性能參數(shù)
- 時鐘頻率：時鐘頻率為1067MHZ，數(shù)據傳輸速率可達2133Mb/s/Pin。
- 可編程延遲：可編程CAS Latency支持10、11、12、13、14、15、16；可編程Additive Latency（Posted /CAS）為0、CL - 2或CL - 1時鐘；可編程/CAS Write Latency（CWL）在DDR4 - 2133時為11或14。
- 預取與突發(fā)長度：8位預取，突發(fā)長度支持4和8。
- 數(shù)據傳輸：雙向差分數(shù)據選通，具備片上終結（ODT）引腳。
2.3 其他特性
三、引腳識別
該內存模塊的引腳眾多，每個引腳都有其特定的功能。例如：
- 地址與控制引腳：A0 ~ A14為寄存器地址輸入，BA0、BA1為寄存器組選擇輸入等，這些引腳用于控制內存的讀寫操作和地址選擇。
- 數(shù)據引腳：DQ0 ~ Q63為內存數(shù)據總線，負責數(shù)據的傳輸。
- 時鐘引腳：CK0_t、CK1_t等為寄存器時鐘輸入，為內存的同步操作提供時鐘信號。
| 詳細的引腳功能可參考以下表格： | Symbol | Function |
|---|---|---|
| A0~A14 | Register address input | |
| BA0, BA1 | Register bank select input | |
| BG0, BG1 | Register bank group select input | |
| RAS_n | Register row address strobe input | |
| CAS_n | Register column address strobe input | |
| WE_n | Register write enable input | |
| CS0_n, CS1_n, CS2_n, CS3_n | DIMM Rank Select Lines input | |
| CKE0, CKE1 | Register clock enable lines input | |
| ODT0, ODT1 | Register on - die termination control lines input | |
| ACT_n | Register input for activate input | |
| DQ0~Q63 | DIMM memory data bus | |
| CB0~B7 | DIMM ECC check bits | |
| TDQS9_t~TDQS17_t TDQS9_c~TDQS17_c | Dummy loads for mixed populations of x4 based and x8 based RDIMMs. | |
| DQS0_t~DQS17_t | Data Buffer data strobes (positive line of differential pair) | |
| DQS0_c~DQS17_c | Data Buffer data strobes (negative line of differential pair) | |
| CK0_t, CK1_t | Register clock input (positive line of differential pair) | |
| CK0_c, CK1_c | Register clocks input (negative line of differential pair) | |
| SCL | I2C serial bus clock for SPD/TS and register | |
| SDA | I2C serial bus data line for SPD/TS and register | |
| SA0~SA2 | I2C slave address select for SPD/TS and register | |
| PAR | Register parity input | |
| VDD | SDRAM core power supply | |
| VREFCA | SDRAM command/address reference supply | |
| VSS | Power supply return (ground) | |
| VDDSPD | Serial SPD/TS positive power supply | |
| ALERT_n | Register ALERT_n output | |
| VPP | SDRAM activating power supply | |
| RESET_n | Set Register and SDRAMs to a Known State | |
| EVENT_n | SPD signals a thermal event has occurred. | |
| VTT | SDRAM I/O termination supply | |
| RFU | Reserved for future use | |
| NC | No Connection |
四、引腳分配
文檔中給出了詳細的引腳分配表，涵蓋了從1號引腳到288號引腳的引腳名稱。例如，1號引腳為12V 3,NC（對于UDIMMs、RDIMMs和LRDIMMs定義為NC，對于Hybrid /NVDIMM定義為12V），2號引腳為VSS等。這些引腳分配信息對于硬件設計工程師在進行電路板設計和連接時非常重要。
五、工作條件
5.1 工作溫度
該內存模塊的工作溫度范圍為0到85°C（TOPER），這里的工作溫度是指DRAM中心/頂部的表面溫度，測量條件需參考JESD51 - 2標準。在這個溫度范圍內，所有DRAM規(guī)格都能得到支持。
5.2 絕對最大直流額定值
- 電壓范圍：VDD、VDDQ相對于Vss的電壓范圍為 - 0.3 ~ 1.5V；VPP相對于Vss的電壓范圍為 - 0.3 ~ 3.0V；任何引腳相對于Vss的電壓范圍為 - 0.3 ~ 1.5V。
- 存儲溫度：存儲溫度范圍為 - 55 ~ + 100°C，同樣是DRAM中心/頂部的表面溫度，測量條件參考JESD51 - 2標準。需要注意的是，超過“絕對最大額定值”的應力可能會對設備造成永久性損壞。
5.3 交直流工作條件
- 直流工作條件：推薦的直流工作條件包括VDD為1.14 ~ 1.26V（典型值1.2V），VDDQ為1.14 ~ 1.26V（典型值1.2V），VPP為2.375 ~ 2.75V（典型值2.5V）。且在所有條件下，VDDQ必須小于或等于VDD，VDDQ與VDD同步變化，直流帶寬限制為20MHz。
- 輸入輸出電平：文檔中還給出了單端和差分的交直流輸入輸出電平的詳細參數(shù)，這些參數(shù)對于確保內存模塊與其他設備的兼容性和正常工作至關重要。
六、電流參數(shù)
文檔列出了多種工作模式下的電流參數(shù)，如IDD0（一個銀行激活 - 預充電電流）為810mA，IDD1（一個銀行激活 - 讀取 - 預充電電流）為855mA等。這些電流參數(shù)對于評估內存模塊的功耗和設計電源供應方案具有重要意義。
七、時序參數(shù)
該內存模塊的時序參數(shù)包括平均時鐘周期（tCK）為0.938 ~ <1.071ns，CK高電平寬度（tCH）為0.48 ~ 0.52tCK等眾多參數(shù)。這些時序參數(shù)對于確保內存模塊與系統(tǒng)的同步操作和數(shù)據的準確傳輸非常關鍵。例如，tWR（寫入恢復時間）為15ns，tMRD（模式寄存器設置命令周期時間）為8nCK等。
八、串行存在檢測規(guī)格
串行存在檢測（SPD）規(guī)格詳細記錄了內存模塊的各種信息，如模塊類型（RDIMM）、SDRAM密度和銀行數(shù)量（4Gb，16banks）、模塊標稱電壓（1.2V）等。這些信息可以幫助系統(tǒng)自動識別內存模塊的特性，實現(xiàn)最佳的性能配置。
綜上所述，ADVANTECH的288Pin DDR4 2133 VLP RDIMM 8GB內存模塊具有高性能、低功耗等特點，通過詳細的引腳信息、工作條件、電流參數(shù)和時序參數(shù)等，為電子工程師在設計內存系統(tǒng)時提供了全面的參考。在實際應用中，工程師需要根據這些參數(shù)進行合理的設計和調試，以確保內存模塊的穩(wěn)定運行。你在使用這款內存模塊時，是否遇到過一些特殊的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經驗。
-
ddr4內存
+關注
關注
0文章
20瀏覽量
5251
發(fā)布評論請先 登錄
評論