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合科泰SiC器件在AI服務(wù)器電源中的應(yīng)用

合科泰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2026-05-13 14:40 ? 次閱讀
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前言

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,AI服務(wù)器對(duì)電力的需求呈爆炸式增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的硅基功率器件在效率、損耗和散熱方面已逼近極限,難以支撐未來(lái)數(shù)據(jù)中心“兆瓦級(jí)”機(jī)柜的嚴(yán)苛要求。在這場(chǎng)效率革命中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越的物理特性,正成為重塑AI服務(wù)器電源架構(gòu)的核心力量。

AI時(shí)代新架構(gòu):HVDC高壓直流系統(tǒng)

為應(yīng)對(duì)超高功率密度,數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)正從傳統(tǒng)的交流UPS向高壓直流(HVDC)系統(tǒng)演進(jìn)。HVDC的核心在于其整流柜,它能高效地將400/480V交流電轉(zhuǎn)換為直流電,直接為IT設(shè)備供電。

早期,國(guó)內(nèi)由中國(guó)電信、中國(guó)移動(dòng)主導(dǎo)推出了240V和336V HVDC架構(gòu)。由于兼容性好,240V HVDC已成為國(guó)內(nèi)主流。面向未來(lái),隨著單機(jī)柜功率向1MW以上邁進(jìn),效率更高、損耗更低的 800V HVDC架構(gòu) 已成為明確趨勢(shì)。英偉達(dá)已于2025年?duì)款^組建聯(lián)盟,推動(dòng)該架構(gòu)在2027年實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。

SiC如何賦能AI服務(wù)器電源?

無(wú)論是當(dāng)下的240V還是未來(lái)的800V HVDC,SiC器件都是實(shí)現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵。

在240V HVDC分布式方案中,前級(jí)圖騰柱PFC電路采用SiC MOSFET,因其幾乎為零的反向恢復(fù)電荷(Qrr) 和優(yōu)異的導(dǎo)通電阻溫度穩(wěn)定性,可大幅降低開關(guān)損耗,支持更高頻率運(yùn)行,從而縮小無(wú)源器件體積,提升功率密度。

在800V HVDC集中式方案中,架構(gòu)更為激進(jìn)。AC-DC整流段需使用1200V-6500V的SiC MOSFET,而母線側(cè)的DC/DC轉(zhuǎn)換與同步整流則廣泛采用650V/1200V的SiC MOSFET。SiC材料的高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度使其在這些高壓應(yīng)用中是無(wú)可替代的選擇。

合科泰的SiC系列

緊跟技術(shù)浪潮,合科泰已有SiC產(chǎn)品線布局,為AI服務(wù)器電源升級(jí)提供可靠支持。

650V SiC肖特基二極管系列:具有快速開關(guān)、高耐壓、低損耗的特性,適用于PFC等高頻電路。

1200V SiC MOSFET系列:采用先進(jìn)的 TO-247-4封裝。該封裝通過(guò)獨(dú)立的開爾文源極(Kelvin Source)引腳,將驅(qū)動(dòng)回路與功率回路分離,能有效抑制柵極振蕩、提高開關(guān)速度、降低導(dǎo)通損耗,充分發(fā)揮SiC的性能潛力。

結(jié)語(yǔ)AI算力的角逐,本質(zhì)上是電力效率的競(jìng)賽。從240V到800V的HVDD架構(gòu)演進(jìn),對(duì)功率器件提出了前所未有的高頻、高效、高可靠要求。合科泰將持續(xù)深耕SiC技術(shù),以成熟的650V二極管與1200V MOSFET產(chǎn)品線,助力客戶攻克AI服務(wù)器電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),共同邁向綠色、高效的數(shù)據(jù)中心未來(lái)。如果您正在規(guī)劃或設(shè)計(jì)新一代AI服務(wù)器電源,歡迎聯(lián)系合科泰技術(shù)團(tuán)隊(duì),獲取專業(yè)的SiC器件選型支持與定制化解決方案。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應(yīng)品類:全面覆蓋分立器件及貼片電阻等被動(dòng)元件,主要有MOSFET、TVS肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管、電阻、電容。

兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬(wàn)㎡+南充3.5萬(wàn)㎡)配備共3000多臺(tái)先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

提供封裝測(cè)試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:AI服務(wù)器電源HVDC架構(gòu)升級(jí):你的SiC器件選對(duì)了嗎?

文章出處:【微信號(hào):合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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