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探索 onsemi 肖特基勢(shì)壘整流器 MBR1240MFS 和 NRVB1240MFS

lhl545545 ? 2026-05-14 13:55 ? 次閱讀
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探索 onsemi 肖特基勢(shì)壘整流器 MBR1240MFS 和 NRVB1240MFS

在電子工程領(lǐng)域,整流器是電源設(shè)計(jì)中不可或缺的元件。今天,我們來(lái)深入了解 onsemi 公司的肖特基勢(shì)壘整流器 MBR1240MFS 和 NRVB1240MFS,看看它們有哪些獨(dú)特之處。

文件下載:MBR1240MFS-D.PDF

產(chǎn)品特點(diǎn)

高效低損耗

這兩款整流器具有低功耗和高效率的特點(diǎn)。低正向壓降能夠有效降低能量損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。在實(shí)際應(yīng)用中,這意味著可以減少發(fā)熱,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

可檢測(cè)與保護(hù)

新的封裝設(shè)計(jì)允許在電路板安裝后進(jìn)行檢查和探測(cè),方便工程師進(jìn)行質(zhì)量控制。同時(shí),其保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)提供了應(yīng)力保護(hù),增強(qiáng)了器件的可靠性。

寬溫度范圍

能夠在 -55°C 至 +150°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)正常工作,適應(yīng)各種惡劣的環(huán)境條件。這使得它們?cè)谄?chē)、工業(yè)等對(duì)溫度要求較高的領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

可濕性側(cè)翼選項(xiàng)

提供可濕性側(cè)翼選項(xiàng),方便進(jìn)行焊接和檢測(cè),提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

汽車(chē)級(jí)應(yīng)用

NRVB 前綴的產(chǎn)品適用于汽車(chē)和其他需要獨(dú)特站點(diǎn)和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證,具備 PPAP 能力。

電氣特性

電壓與電流參數(shù)

  • 反向電壓:峰值重復(fù)反向電壓(VRRM)、工作峰值反向電壓(VRWM)和直流阻斷電壓(VR)均為 40V。
  • 正向電流:平均整流正向電流(IF(AV))為 12A,峰值重復(fù)正向電流(IFRM)為 20A,非重復(fù)峰值浪涌電流(IFSM)為 150A。

熱特性

熱阻(RθJC)典型值雖未給出,但最大值為 1.7°C/W(假設(shè)在 600mm2、1oz 銅焊盤(pán)的 FR4 電路板上)。這意味著在散熱設(shè)計(jì)時(shí),需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行合理規(guī)劃,確保器件在工作時(shí)不會(huì)過(guò)熱。

瞬時(shí)特性

  • 正向電壓(vF):在不同溫度下有不同的值。例如,當(dāng) iF = 12A,TJ = 125°C 時(shí),vF 為 0.455 - 0.62V;當(dāng) iF = 12A,TJ = 25°C 時(shí),vF 為 0.53 - 0.68V。
  • 反向電流(iR):同樣在不同溫度下表現(xiàn)不同。在額定直流電壓下,TJ = 125°C 時(shí),iR 為 35 - 170mA;TJ = 25°C 時(shí),iR 為 0.08 - 0.5mA。

封裝與機(jī)械特性

封裝形式

采用 SO - 8 FL 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和電氣性能。同時(shí),其引腳間距為 1.27mm,方便進(jìn)行焊接和布局。

機(jī)械參數(shù)

封裝尺寸有詳細(xì)的規(guī)定,例如 A 尺寸在 0.90 - 1.10mm 之間,D 尺寸在 5.00 - 5.30mm 之間等。這些參數(shù)對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)非常重要,工程師需要根據(jù)這些尺寸進(jìn)行合理的布局和布線。

焊接要求

引腳鍍層為 100% 啞光錫(Tin),焊接時(shí)的引腳和安裝表面溫度最大為 260°C,持續(xù)時(shí)間不超過(guò) 10 秒。同時(shí),器件滿足 MSL 1 要求,這意味著在正常的存儲(chǔ)和使用條件下,不需要進(jìn)行特殊的防潮處理。

應(yīng)用注意事項(xiàng)

最大額定值

在使用過(guò)程中,要注意不要超過(guò)器件的最大額定值。例如,當(dāng)應(yīng)力超過(guò)最大額定值時(shí),可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。

散熱設(shè)計(jì)

由于器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,因此需要進(jìn)行合理的散熱設(shè)計(jì)。確保熱量的產(chǎn)生小于結(jié)到環(huán)境的熱傳導(dǎo)能力,即 dPD/dTJ < 1/RJA。

ESD 防護(hù)

該器件的 ESD 評(píng)級(jí)為人體模型 3B 和機(jī)器模型 M4,在使用和操作過(guò)程中,需要采取適當(dāng)?shù)?ESD 防護(hù)措施,避免靜電對(duì)器件造成損壞。

總結(jié)

onsemi 的 MBR1240MFS 和 NRVB1240MFS 肖特基勢(shì)壘整流器具有高效、可靠、寬溫度范圍等優(yōu)點(diǎn),適用于多種電源應(yīng)用。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師需要根據(jù)實(shí)際需求合理選擇器件,并注意其電氣特性、封裝尺寸和應(yīng)用注意事項(xiàng),以確保設(shè)計(jì)的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用類似整流器時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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