安森美MBR30170MFS肖特基勢(shì)壘整流器：高性能之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，整流器是不可或缺的基礎(chǔ)元件，其性能直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）推出的MBR30170MFS肖特基勢(shì)壘整流器。

文件下載：MBR30170MFS-D.PDF

產(chǎn)品概述

MBR30170MFS是一款采用SO - 8 FL封裝的高性能肖特基整流器。它具有較低的正向電壓、較小的漏電流和小的結(jié)電容，非常適合高開(kāi)關(guān)頻率、高密度的DC - DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。同時(shí)，它還具備較高的雪崩能量能力，可用于Oring或反向保護(hù)應(yīng)用。SO - 8 FL封裝不僅提供了出色的熱性能，還減少了電路板的占用面積，并且具有低輪廓的特點(diǎn)。

產(chǎn)品特性

電氣性能優(yōu)越

• 低正向電壓降：較低的正向電壓降意味著在導(dǎo)通時(shí)消耗的能量更少，從而提高了電路的效率。例如，在IF = 15 A、T = 25°C的條件下，典型正向電壓為0.76 V；在IF = 30 A、T = 25°C時(shí)，典型正向電壓為0.81 V。
• 高溫下漏電流小：在高溫環(huán)境下，漏電流仍然能夠保持在較低水平。在VR = 額定直流電壓、T = 25°C時(shí)，漏電流典型值為0.5 μA；在T = 125°C時(shí)，漏電流典型值為1.0 mA。
• 小的結(jié)電容：結(jié)電容小使得整流器能夠適應(yīng)高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景，減少開(kāi)關(guān)損耗。在VR = 1 V、T = 25°C、f = 1 MHz的條件下，結(jié)電容典型值為821 pF。

其他特性

• 高雪崩能量能力：具備280 mJ的非重復(fù)雪崩能量（T = 25°C），能夠承受一定的浪涌沖擊，提高了電路的可靠性。
• 寬工作溫度范圍：工作結(jié)溫范圍為 - 55°C至 + 175°C，適用于各種惡劣的工作環(huán)境。
• 環(huán)保設(shè)計(jì)：該器件為無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR自由，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。
• 小尺寸封裝：占地面積僅為31.2 mm2，最大高度為1.1 mm，節(jié)省了電路板空間，適合高密度的設(shè)計(jì)需求。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

假設(shè)在FR4板上有600 mm2、1 oz的銅焊盤(pán)，結(jié)到環(huán)境的熱阻最大為55°C/W。

電氣特性

應(yīng)用領(lǐng)域

• 高開(kāi)關(guān)頻率DC/DC轉(zhuǎn)換器：其低正向電壓降和小的結(jié)電容特性，能夠有效提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的效率和性能。
• 二次整流：作為二次整流元件，可減少能量損耗，提高電路的穩(wěn)定性。
• 續(xù)流二極管：與感性負(fù)載配合使用，能夠起到續(xù)流的作用，保護(hù)電路元件。
• Oring/反向保護(hù)：憑借其高雪崩能量能力，可用于Oring或反向保護(hù)應(yīng)用，防止電路受到反向電壓的損害。

訂購(gòu)信息

在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)選擇合適的整流器。MBR30170MFS憑借其優(yōu)越的性能和特性，無(wú)疑是高開(kāi)關(guān)頻率、高密度DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的理想選擇。你在設(shè)計(jì)中是否使用過(guò)類(lèi)似的整流器呢？在選擇整流器時(shí)，你更看重哪些性能指標(biāo)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和看法。