onsemi MBRB20200CTG和SBRB20200CTT4G雙肖特基整流器技術(shù)解析
onsemi MBRB20200CTG和SBRB20200CTT4G雙肖特基整流器技術(shù)解析
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的整流器對(duì)于開(kāi)關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器的性能至關(guān)重要。今天我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）的MBRB20200CTG和SBRB20200CTT4G雙肖特基整流器。
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產(chǎn)品概述
MBRB20200CTG和SBRB20200CTT4G采用了帶有鉑勢(shì)壘金屬的肖特基勢(shì)壘技術(shù)，專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)電源和輸出電壓高達(dá)48V的轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)。它們能夠承受高達(dá)200V的反向電壓，并在250kHz至5.0MHz的頻率范圍內(nèi)展現(xiàn)出卓越的肖特基性能。
產(chǎn)品特性
高耐壓與低損耗
- 200V阻斷電壓：能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，為電源電路提供可靠的保護(hù)。
- 低正向電壓降：可以有效降低功率損耗，提高電源效率，這在追求高效節(jié)能的設(shè)計(jì)中尤為重要。
保護(hù)與可靠性
- 保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)：具備應(yīng)力保護(hù)功能和高達(dá)10,000V/s的高dv/dt能力，增強(qiáng)了器件的穩(wěn)定性和可靠性，能夠應(yīng)對(duì)復(fù)雜的電路環(huán)境。
- AEC - Q101認(rèn)證：符合汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，適用于對(duì)可靠性要求極高的汽車(chē)及其他應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)具備PPAP能力，方便進(jìn)行生產(chǎn)過(guò)程的管控。
封裝與環(huán)保
- 雙二極管結(jié)構(gòu)：端子1和3連接后可實(shí)現(xiàn)全額定并聯(lián)運(yùn)行，為設(shè)計(jì)提供了更多的靈活性。
- 無(wú)鉛封裝：所有封裝均為無(wú)鉛設(shè)計(jì)，符合環(huán)保要求，響應(yīng)了綠色電子的發(fā)展趨勢(shì)。
機(jī)械特性
封裝材質(zhì)
采用環(huán)氧樹(shù)脂模塑外殼，該環(huán)氧樹(shù)脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn)，具有良好的絕緣性能和阻燃性。
重量與表面處理
器件重量約為1.7克，所有外表面具有耐腐蝕性能，端子引線易于焊接，方便進(jìn)行電路板組裝。
焊接溫度
焊接時(shí)，引線和安裝表面的溫度最高可達(dá)260°C，持續(xù)時(shí)間為10秒。同時(shí)，該器件滿足MSL1要求，在潮濕環(huán)境下也能保持良好的性能。
ESD評(píng)級(jí)
人體模型（HBM）為3B級(jí)，機(jī)器模型（MM）為C級(jí)，具備一定的靜電防護(hù)能力，減少了在生產(chǎn)和使用過(guò)程中因靜電導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
電氣特性
最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 工作峰值反向電壓/直流阻斷電壓 | - | - | V |
| 每支路 | - | - | A |
| 峰值重復(fù)反向浪涌電流（2.0μs，1.0kHz） | - | - | - |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | - | -65至 +175 | °C |
| - | - | -65至 +150 | °C |
| dv/dt | - | - | V/μs |
需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。
電氣參數(shù)
| 特性 | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 最大瞬時(shí)正向電壓（注1） | VF | - | V |
| (IF = 10A, TC = 25°C) | - | 0.9 | - |
| (IF = 10A, TC = 125°C) | - | 0.8 | - |
| (IF = 20A, TC = 25°C) | - | 1.0 | - |
| (IF = 20A, TC = 125°C) | - | 0.9 | - |
| 最大瞬時(shí)反向電流（注1） （額定直流電壓，TC = 25°C） （額定直流電壓，TC = 125°C） |
IR | 1.0 / 2 | mA |
注1：脈沖測(cè)試條件為脈沖寬度 = 300μs，占空比 ≤ 2.0%。
動(dòng)態(tài)特性
| 特性 | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 電容 | CT | - | pF |
| (VR = -5.0V, TC = 25°C, 頻率 = 1.0MHz) | - | 500 | - |
訂購(gòu)信息
| 器件 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| SBRB20200CTT4G | D2PAK（無(wú)鉛） | 800個(gè)/卷帶包裝 |
| MBRB20200CTG | D2PAK（無(wú)鉛） | 50個(gè)/軌道包裝 |
| MBRB20200CTT4G | D2PAK（無(wú)鉛） | 800個(gè)/卷帶包裝 |
部分器件已停產(chǎn)，如MBRB20200CTG和MBRB20200CTT4G，不建議用于新設(shè)計(jì)。如需相關(guān)信息，可聯(lián)系安森美代表或訪問(wèn)其官方網(wǎng)站。
機(jī)械尺寸
| D2PAK封裝的尺寸規(guī)格如下： | 尺寸 | 最小值（英寸） | 最大值（英寸） | 最小值（毫米） | 最大值（毫米） |
|---|---|---|---|---|---|
| A | 0.340 | 0.380 | 8.64 | 9.65 | |
| B | 0.380 | 0.405 | 9.65 | 10.29 | |
| C | 0.160 | 0.190 | 4.06 | 4.83 | |
| D | 0.020 | 0.035 | 0.51 | 0.89 | |
| E | 0.045 | 0.055 | 1.14 | 1.40 | |
| G | 0.100 BSC | - | 2.54 BSC | - | |
| F | 0.310 | 0.350 | 7.87 | 8.89 | |
| H | 0.080 | 0.110 | 2.03 | 2.79 | |
| J | 0.018 | 0.025 | 0.46 | 0.64 | |
| K | 0.090 | 0.110 | 2.29 | 2.79 | |
| L | 0.052 | 0.072 | 1.32 | 1.83 | |
| M | 0.280 | 0.320 | 7.11 | 8.13 | |
| N | 0.197 REF | - | 5.00 REF | - | |
| S | 0.575 | 0.625 | 14.60 | 15.88 | |
| V | 0.045 | 0.055 | 1.14 | 1.40 | |
| P | 0.079 REF | - | 2.00 REF | - | |
| R | 0.039 REF | - | 0.99 REF | - |
在設(shè)計(jì)電路時(shí)，準(zhǔn)確的尺寸信息對(duì)于電路板布局和器件安裝至關(guān)重要。
總結(jié)
安森美（onsemi）的MBRB20200CTG和SBRB20200CTT4G雙肖特基整流器憑借其高耐壓、低損耗、良好的保護(hù)性能和環(huán)保封裝等特點(diǎn)，在高頻開(kāi)關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。不過(guò)，由于部分器件已停產(chǎn)，在選擇時(shí)需要謹(jǐn)慎考慮。電子工程師們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求和電路要求，綜合評(píng)估該產(chǎn)品的各項(xiàng)特性，以確保設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這些整流器的過(guò)程中，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享。
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高頻開(kāi)關(guān)電源
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關(guān)注
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