A4950全橋DMOS PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:特性、功能與應(yīng)用詳解
在電子工程師的日常工作中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是一個(gè)常見且關(guān)鍵的領(lǐng)域。今天我們要深入探討的是Allegro MicroSystems推出的A4950全橋DMOS PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,它在電機(jī)控制方面有著出色的表現(xiàn)。
一、特性與優(yōu)勢
1. 低導(dǎo)通電阻輸出
A4950具有低 (R_{DS (on) }) 輸出,這意味著在電機(jī)驅(qū)動(dòng)過程中,能夠有效降低功率損耗,提高能源效率。
2. 全面的過流保護(hù)
它具備多種過流保護(hù)功能,包括電機(jī)短路保護(hù)、電機(jī)引線對(duì)地短路保護(hù)以及電機(jī)引線對(duì)電池短路保護(hù)。這些保護(hù)機(jī)制能夠確保在異常情況下,驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)不受損壞。
3. 低功耗待機(jī)模式
當(dāng)兩個(gè)輸入引腳(INx)同時(shí)低電平持續(xù)超過1ms時(shí),驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入低功耗待機(jī)模式,此時(shí)大部分內(nèi)部電路,如電荷泵和調(diào)節(jié)器都會(huì)被禁用,從而降低功耗。
4. 可調(diào)PWM電流限制
通過選擇合適的 (R_{S}) 和VREF引腳的電壓,可以設(shè)置電流限制的最大值,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)電流的精確控制。
5. 同步整流
在PWM關(guān)斷周期,負(fù)載電流會(huì)進(jìn)行再循環(huán)。A4950的同步整流功能會(huì)在電流衰減期間開啟合適的DMOSFET,用低 (R_{DS (on) }) 驅(qū)動(dòng)器有效短接體二極管,顯著降低功率損耗。
6. 內(nèi)部欠壓鎖定(UVLO)
當(dāng) (V_{BB}) 電壓低于UVLO閾值時(shí),輸出驅(qū)動(dòng)器會(huì)被禁止開啟,防止因電壓不足而損壞驅(qū)動(dòng)器。
7. 交叉電流保護(hù)
在橋路從快速衰減模式切換到慢速衰減模式時(shí),驅(qū)動(dòng)器會(huì)強(qiáng)制關(guān)閉一段時(shí)間(交叉延遲 (t_{COD}) ),防止橋路出現(xiàn)直通現(xiàn)象。
8. 溫度等級(jí)多樣
有商業(yè)溫度等級(jí)(A4950E:–40°C 至 85°C)和汽車溫度等級(jí)(A4950K:–40°C 至 125°C)可供選擇,滿足不同應(yīng)用場景的需求。其中A4950K還通過了AEC - Q100 Grade 1認(rèn)證。
二、產(chǎn)品概述
A4950專為直流電機(jī)的脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制而設(shè)計(jì),能夠提供高達(dá) ±3.5 A的峰值輸出電流,工作電壓可達(dá)40 V。它通過外部施加的PWM控制信號(hào)來控制直流電機(jī)的速度和方向,內(nèi)部同步整流控制電路可降低PWM運(yùn)行期間的功耗。同時(shí),內(nèi)部電路保護(hù)涵蓋了過流保護(hù)、電機(jī)引線對(duì)地或電源短路保護(hù)、帶滯后的熱關(guān)斷、 (V_{BB}) 欠壓監(jiān)測以及交叉電流保護(hù)等。
三、技術(shù)參數(shù)
1. 絕對(duì)最大額定值
| 特性 | 符號(hào) | 注釋 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 負(fù)載電源電壓 | (V_{BB}) | 40 | V | |
| 邏輯輸入電壓范圍 | (V_{IN}) | –0.3 至 6 | V | |
| (V_{REF}) 輸入電壓范圍 | (V_{REF}) | –0.3 至 6 | V | |
| 感測電壓(LSS引腳) | (V_{S}) | –0.5 至 0.5 | V | |
| 電機(jī)輸出電壓 | (V_{OUT}) | –2 至 42 | V | |
| 輸出電流 | (I_{OUT}) | 占空比 = 100% | 3.5 | A |
| 瞬態(tài)輸出電流 | (i_{OUT}) | (T_{W}) < 500 ns | 6 | A |
| 工作溫度范圍 | (T_{A}) | 溫度范圍E | –40 至 85 | °C |
| 溫度范圍K | –40 至 125 | °C | ||
| 最大結(jié)溫 | (T_{J (max)}) | 150 | °C | |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | (T_{stg}) | –55 至 150 | °C |
2. 熱特性
在不同的PCB條件下,A4950的熱阻有所不同。在2層PCB(每側(cè)有0.8 (in^2) 暴露的2盎司銅)上,熱阻 (R_{θJA}) 為62 oC/W;基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的4層PCB上,熱阻為35 oC/W。
3. 電氣特性
在不同溫度和電壓條件下,A4950的各項(xiàng)電氣參數(shù)也有所差異。例如,在 (T{J}=25^{circ} C) (溫度范圍E版本)和 (T{J}=-40^{circ} C) 至 150°C(溫度范圍K版本), (V{BB}=8) 至 40 V時(shí),負(fù)載電源電壓范圍為8 - 40 V, (R{DS(on)}) 在不同電流和溫度條件下也有不同的值。
四、功能描述
1. 設(shè)備操作
A4950通過內(nèi)部固定關(guān)斷時(shí)間的脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制電路來調(diào)節(jié)輸出全橋中的電流。IN1和IN2輸入允許通過兩根線對(duì)橋路進(jìn)行控制,輸出驅(qū)動(dòng)器均為低 (R_{DS (on) }) 的N溝道DMOS驅(qū)動(dòng)器,具備內(nèi)部同步整流功能以降低功耗。
2. 待機(jī)模式
當(dāng)兩個(gè)輸入引腳(INx)同時(shí)低電平持續(xù)超過1ms時(shí),驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入低功耗待機(jī)模式。從待機(jī)模式恢復(fù)時(shí),在向設(shè)備發(fā)出任何PWM命令之前,應(yīng)允許電荷泵達(dá)到其調(diào)節(jié)電壓(最大延遲30 μs)。
3. 內(nèi)部PWM電流控制
初始時(shí),一對(duì)對(duì)角的源極和漏極FET輸出被啟用,電流通過電機(jī)繞組和可選的外部電流感測電阻 (R{S}) 。當(dāng) (R{S}) 兩端的電壓等于比較器的觸發(fā)值時(shí),電流感測比較器會(huì)重置PWM鎖存器,從而關(guān)閉源極和漏極FET(混合衰減模式)。電流限制的最大值由 (R{S}) 和VREF引腳的電壓決定,計(jì)算公式為 (I{TripMAX }=frac{V{REF}}{10 × R{S}}) 。
4. 過流保護(hù)
電流監(jiān)測器可保護(hù)IC免受輸出短路造成的損壞。如果檢測到短路,IC會(huì)鎖定故障并禁用輸出。故障鎖存只能通過退出低功耗待機(jī)模式或?qū)?(V_{BB}) 進(jìn)行電源循環(huán)來清除。
5. 熱關(guān)斷
當(dāng)芯片溫度升高到約160°C時(shí),全橋輸出將被禁用,直到內(nèi)部溫度降至滯后溫度 (T_{TSDhys }) (15°C)以下。
6. 制動(dòng)
制動(dòng)功能通過在慢速衰減模式下驅(qū)動(dòng)設(shè)備來實(shí)現(xiàn),即對(duì)兩個(gè)輸入施加邏輯高電平。這種配置可以有效地短路電機(jī)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(BEMF),但在高速和高慣性負(fù)載等最壞情況下,要注意確保不超過設(shè)備的最大額定值。
7. 同步整流
在PWM關(guān)斷周期,負(fù)載電流再循環(huán)時(shí),A4950的同步整流功能會(huì)開啟合適的DMOSFET,用低 (R_{DS (on) }) 驅(qū)動(dòng)器短接體二極管,降低功率損耗。當(dāng)檢測到零電流水平時(shí),同步整流會(huì)關(guān)閉,防止負(fù)載電流反向。
8. 混合衰減操作
橋路在混合衰減模式下工作。當(dāng)達(dá)到觸發(fā)點(diǎn)時(shí),設(shè)備在固定關(guān)斷時(shí)間的50%內(nèi)進(jìn)入快速衰減模式,之后切換到慢速衰減模式。在從快速衰減到慢速衰減的過渡期間,驅(qū)動(dòng)器會(huì)強(qiáng)制關(guān)閉一段時(shí)間(交叉延遲 (t_{COD}) ),以防止橋路出現(xiàn)直通現(xiàn)象。
五、應(yīng)用信息
1. 感測引腳(LSS)
為了使用PWM電流控制,需要在LSS引腳和地之間放置一個(gè)低值電阻用于電流感測。為了最小化感測輸出電流水平時(shí)的接地走線IR降,電流感測電阻應(yīng)具有獨(dú)立的接地返回至星型接地點(diǎn),且走線應(yīng)盡可能短。同時(shí),在選擇感測電阻的值時(shí),要確保在最大負(fù)載下LSS引腳的電壓不超過 ±500 mV。
2. 接地
星型接地點(diǎn)應(yīng)盡可能靠近A4950。設(shè)備暴露的散熱墊正下方的銅接地平面是一個(gè)很好的星型接地點(diǎn),散熱墊可為此目的連接到地。
3. 布局
PCB應(yīng)具有厚的接地平面。為了獲得最佳的電氣和熱性能,A4950必須直接焊接到電路板上。其封裝底部的暴露散熱墊可提供增強(qiáng)的散熱路徑,必須直接焊接到PCB的暴露表面以實(shí)現(xiàn)最佳的熱傳導(dǎo)。此外,還可以使用熱過孔將熱量傳遞到PCB的其他層。負(fù)載電源引腳 (V_{BB}) 應(yīng)使用一個(gè)電解電容(通常為100 μF)與一個(gè)較低值的陶瓷電容并聯(lián)進(jìn)行去耦,且電容應(yīng)盡可能靠近設(shè)備放置。
4. 物料清單
| 項(xiàng)目 | 參考 | 值 | 單位 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | (R_{S}) | 0.25(對(duì)于 (V{REF}= 5 V) , (I{OUT}= 2 A) ) | Ω | 2512,1 W,1% 或更好,碳膜芯片電阻 |
| 2 | (C_{1}) | 0.22 | μF | X5R 最小,50 V 或更高 |
| 3 | (C_{2}) | 100 | μF | 電解電容,50 V 或更高 |
六、總結(jié)
A4950全橋DMOS PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器憑借其豐富的特性和出色的性能,為直流電機(jī)控制提供了一個(gè)可靠的解決方案。無論是在商業(yè)應(yīng)用還是汽車應(yīng)用中,它都能滿足不同的需求。電子工程師在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),可以根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求,合理選擇A4950,并按照其應(yīng)用信息進(jìn)行布局和設(shè)計(jì),以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。你在使用類似電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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