安森美達林頓互補硅功率晶體管BDX33/34系列詳解

在電子工程領(lǐng)域，功率晶體管是電路設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵元件。今天要給大家介紹的是安森美（onsemi）的達林頓互補硅功率晶體管BDX33B、BDX33C（NPN）和BDX34B、BDX34C（PNP），它們專為通用和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。

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產(chǎn)品特點

高直流電流增益

該系列晶體管具有高直流電流增益，典型值 (h_{FE}=2500) 。這意味著在相同的輸入電流下，能夠輸出更大的電流，對于需要大電流驅(qū)動的應(yīng)用場景非常有利，例如電機驅(qū)動等。

高耐壓能力

• 集電極 - 發(fā)射極維持電壓：在100mAdc的條件下，BDX33B和BDX34B的 (V{CEO(sus)}) 最小值為80Vdc，BDX33C和BDX34C的 (V{CEO(sus)}) 最小值為100Vdc。這使得它們能夠承受較高的電壓，適用于一些對電壓要求較高的電路。
• 集電極 - 基極電壓和發(fā)射極 - 基極電壓：BDX33B、BDX34B和BDX33C、BDX34C的集電極 - 基極電壓 (V{CB}) 分別為80Vdc和100Vdc，發(fā)射極 - 基極電壓 (V{EB}) 為5.0Vdc。

低飽和電壓

集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{CE(sat)}) 在 (I{C}=3.0Adc) 時，最大值為2.5Vdc（BDX33B、33C / 34B、34C）。低飽和電壓可以降低晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗，提高電路的效率。

其他特點

• 單片結(jié)構(gòu)：采用內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻的單片結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計有助于提高晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。
• 環(huán)保特性：這些器件為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

最大額定值

在設(shè)計電路時，必須嚴格遵守這些最大額定值，否則可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

熱阻 (R_{JC}) （結(jié)到外殼）為1.78°C/W。這一參數(shù)對于散熱設(shè)計非常重要，在實際應(yīng)用中，需要根據(jù)熱阻和功耗來合理設(shè)計散熱措施，確保晶體管的結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。

電氣特性

截止特性

• 集電極 - 發(fā)射極維持電壓：在不同條件下（如 (I{C}=100mAdc) ，(I{B}=0) ；(I{C}=100mAdc) ，(I{B}=0) ，(R{BE}=100) ；(I{C}=100mAdc) ，(I{B}=0) ，(V{BE}=1.5Vdc) ），BDX33B/BDX34B的 (V{CEO(sus)}) 、(V{CER(sus)}) 、(V_{CEX(sus)}) 最小值為80Vdc，BDX33C/BDX34C的最小值為100Vdc。
• 集電極截止電流：在 (V{CE}=1/2) 額定 (V{CEO}) ，(I{B}=0) 條件下，(T{C}=25^{circ}C) 時 (I{CEO}) 最大值為0.5mAdc，(T{C}=100^{circ}C) 時最大值為10mAdc；在 (V{CB}=) 額定 (V{CBO}) ，(I{E}=0) 條件下，(T{C}=25^{circ}C) 時 (I{CBO}) 最大值為1.0mAdc，(T{C}=100^{circ}C) 時最大值為5.0mAdc。
• 發(fā)射極截止電流：在 (V{BE}=5.0Vdc) ，(I{C}=0) 條件下，(I_{EBO}) 最大值為10mAdc。

導(dǎo)通特性

• 直流電流增益：在 (I{C}=3.0Adc) ，(V{CE}=3.0Vdc) 條件下，BDX33B、33C / 34B、34C的 (h_{FE}) 最小值為750。
• 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓：在 (I{C}=3.0Adc) ，(I{B}=6.0mAdc) 條件下，BDX33B、33C / 34B、34C的 (V_{CE(sat)}) 最大值為2.5Vdc。
• 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓：在 (I{C}=3.0Adc) ，(V{CE}=3.0Vdc) 條件下，BDX33B、33C / 34B、34C的 (V_{BE(on)}) 最大值為2.5Vdc。
• 二極管正向電壓：在 (I{C}=8.0Adc) 條件下，(V{F}) 最大值為4.0Vdc。

需要注意的是，產(chǎn)品的參數(shù)性能是在規(guī)定的測試條件下給出的，如果在不同條件下工作，性能可能會有所不同。

安全工作區(qū)

晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿兩個因素的限制。安全工作區(qū)曲線表示了晶體管的 (I{C}-V{CE}) 限制，為了保證可靠運行，晶體管的功耗不能超過曲線所示的值。在高外殼溫度下，熱限制會使晶體管能夠處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。

訂購信息

對于已停產(chǎn)的器件，不建議用于新設(shè)計，可聯(lián)系安森美代表獲取相關(guān)信息。

機械封裝尺寸

該系列晶體管采用TO - 220 - 3封裝，詳細的封裝尺寸在文檔中有明確給出，設(shè)計時需要根據(jù)這些尺寸來進行布局和安裝。

安森美BDX33/34系列達林頓互補硅功率晶體管具有高電流增益、高耐壓、低飽和電壓等優(yōu)點，適用于多種通用和低速開關(guān)應(yīng)用。但在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其電氣特性、熱特性和安全工作區(qū)等因素，以確保電路的可靠性和性能。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。