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探索onsemi ESD保護(hù)二極管ESDR0502B:高性能與小封裝的完美結(jié)合

lhl545545 ? 2026-05-17 10:20 ? 次閱讀
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探索onsemi ESD保護(hù)二極管ESDR0502B:高性能與小封裝的完美結(jié)合

在電子設(shè)備的設(shè)計中,靜電放電(ESD)保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán)。它能有效防止敏感電子元件因ESD事件而損壞,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推出的ESD保護(hù)二極管ESDR0502B及其變種SZESDR0502B。

文件下載:ESDR0502B-D.PDF

產(chǎn)品概述

ESDR0502B專為保護(hù)電壓敏感元件而設(shè)計,適用于那些需要超低電容以保持信號完整性的應(yīng)用場景。它具備出色的鉗位能力、低泄漏電流和快速響應(yīng)時間,其超低的0.5 pF二極管電容,能為集成電路提供一流的ESD保護(hù)。該產(chǎn)品采用小型SC - 75封裝,非常適合對電路板空間要求較高的設(shè)計。它既可以用于保護(hù)兩條單向線路,也能用于保護(hù)一條雙向線路。當(dāng)用于保護(hù)一條雙向線路時,有效電容僅為0.25 pF,因此非常適合保護(hù)USB2.0高速和天線線路等高頻信號線。

規(guī)格特性

低電容

典型電容值為0.5 pF,這一特性使得它在高頻應(yīng)用中能夠最大程度地減少對信號的干擾,確保信號的完整性。在實際設(shè)計中,你是否遇到過因電容過大而導(dǎo)致信號失真的問題呢?

低鉗位電壓和低泄漏電流

低鉗位電壓可以在ESD事件發(fā)生時,迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),保護(hù)敏感元件。低泄漏電流則有助于降低功耗,提高設(shè)備的能效。

小尺寸封裝

其外形尺寸僅為0.063” x 0.063”(1.60 mm x 1.60 mm),這種小巧的封裝設(shè)計使得它在空間有限的電路板上也能輕松布局。

高防護(hù)等級

具有5 V的關(guān)斷電壓,響應(yīng)時間通常小于1.0 μs,能滿足IEC61000 - 4 - 2 Level 4 ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn),以及ISO10605 330 pF/2 k ±17 kV(接觸)的要求。此外,帶有SZ前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有特殊場所和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。

環(huán)保設(shè)計

該產(chǎn)品為無鉛器件,符合環(huán)保要求。

機(jī)械特性

外殼材質(zhì)

采用無空隙、傳遞模塑的熱固性塑料外殼,環(huán)氧樹脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn),具有良好的絕緣性能和阻燃性。

引腳鍍層

引腳鍍層為100%霧錫(Tin),有助于提高焊接性能。

安裝位置

可在任意位置安裝,為設(shè)計提供了更大的靈活性。

回流焊溫度

合格的最大回流焊溫度為260°C,并且該器件滿足MSL 1要求,在潮濕環(huán)境下也能保持良好的性能。

最大額定值

額定值 符號 單位
IEC 61000 - 4 - 2接觸(ESD) ESD ±9 kV
峰值浪涌功率(8 x 20 μs) Ppk 20 W
峰值浪涌電流(8 x 20 μs) Ipp 2.0 A
FR - 5板上的總功耗(注1)@ TA = 25°C PD 150 mW
存儲溫度范圍 Tstg - 55 to +150 °C
結(jié)溫范圍 TJ - 55 to +150 °C
引腳焊接溫度 - 最大(10秒持續(xù)時間) TL 260 °C

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。注1中提到的FR - 5板尺寸為1.0 x 0.75 x 0.62 in。

電氣特性

參數(shù)定義

符號 參數(shù)
I PP 最大反向峰值脈沖電流
V C 在I PP時的鉗位電壓
V RWM 工作峰值反向電壓
I R 在V RWM時的最大反向泄漏電流
V BR 在I T時的擊穿電壓
I T 測試電流
I F 正向電流
V F 在I F時的正向電壓
P pk 峰值功率耗散
C 在V R = 0和f = 1.0 MHz時的電容

具體參數(shù)

器件 器件標(biāo)記 VRWM (V) 最大 IR (μA) @VRWM 最大 VBR (V) @ I T (注2) LT C (pF), 單向 (注3) C (pF), 雙向 (注4) Vc(V) @ Ipp = 1 A (注5) 最大 VC Per IEC61000 - 4 - 2 (注6)
最小 mA 典型 最大 典型 最大
ESDR0502B AD 5.0 1.0 5.8 1.0 0.5 0.9 0.25 0.45 15 圖1和圖2

產(chǎn)品的參數(shù)性能在列出的測試條件下的電氣特性中有所體現(xiàn),但如果在不同條件下運行,產(chǎn)品性能可能無法通過電氣特性體現(xiàn)。注2中提到,VBR是在環(huán)境溫度為25°C時,用脈沖測試電流IT測量得到的;注3指的是在f = 1 MHz、VR = 0 V、TA = 25°C時的單向電容(引腳1到引腳3;引腳2到引腳3);注4是在f = 1 MHz、VR = 0 V、TA = 25°C時的雙向電容(引腳1到引腳2);注5的浪涌電流波形如圖5所示;注6為典型波形,測試程序見圖3和圖4以及應(yīng)用筆記AND8307/D。

ESD電壓鉗位

對于敏感電路元件,在ESD事件期間將IC所暴露的電壓限制在盡可能低的水平非常重要。ESD鉗位電壓是指在IEC61000 - 4 - 2波形的ESD事件期間,ESD保護(hù)二極管兩端的電壓降。由于IEC61000 - 4 - 2是作為手機(jī)或筆記本電腦等大型系統(tǒng)的通過/失敗規(guī)范編寫的,因此在規(guī)范中并未明確規(guī)定如何在器件層面指定鉗位電壓。安森美開發(fā)了一種方法,以示波器截圖的形式檢查ESD脈沖時域內(nèi)ESD保護(hù)二極管兩端的整個電壓波形,這些截圖可以在所有ESD保護(hù)二極管的數(shù)據(jù)手冊中找到。如需了解安森美如何創(chuàng)建這些截圖以及如何解讀它們的更多信息,請參考AND8307/D。

機(jī)械外殼尺寸和安裝信息

外殼尺寸

SC75 - 3封裝的尺寸為1.60x0.80x0.80,引腳間距為1.00 P,具體尺寸公差請參考表中數(shù)據(jù)。

尺寸 毫米
最小 標(biāo)稱 最大
A 0.70 0.80 0.90
A1 0.00 0.05 0.10
A2 0.80 REF.
b 0.15 0.20 0.30
C 0.10 0.15 0.25
D 1.55 1.60 1.65
E 1.50 1.60 1.70
E1 0.70 0.80 0.90
e 1.00 BSC
L 0.10 0.15 0.20

標(biāo)記圖和安裝建議

文中提供了通用標(biāo)記圖,但實際的器件標(biāo)記請參考器件數(shù)據(jù)表。同時,對于無鉛策略和焊接細(xì)節(jié)的更多信息,建議下載安森美半導(dǎo)體焊接和安裝技術(shù)參考手冊SOLDERRM/D。

訂購信息

器件 封裝 包裝
ESDR0502BT1G(無鉛) SC - 75 3000/卷帶
SZESDR0502BT1G(無鉛) SC - 75 3000/卷帶

如需了解卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,包括零件方向和卷帶尺寸,請參考安森美的卷帶包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。

綜上所述,onsemi的ESDR0502B和SZESDR0502B ESD保護(hù)二極管以其低電容、高防護(hù)、小封裝等優(yōu)點,為電子工程師在設(shè)計ESD保護(hù)電路時提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中,你可以根據(jù)具體的設(shè)計需求和場景,合理選擇和使用該產(chǎn)品,以確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用ESD保護(hù)二極管的過程中,有沒有遇到過一些特別的問題或挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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