電子工程師必看:ESDL3552B超低壓電容ESD保護(hù)二極管詳解
在電子設(shè)備的設(shè)計中,靜電放電(ESD)和瞬態(tài)電壓事件是影響設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。為了保護(hù)電壓敏感組件,我們需要性能卓越的ESD保護(hù)器件。今天,我們就來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的ESDL3552B超低壓電容ESD保護(hù)二極管。
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一、ESDL3552B概述
ESDL3552B專為保護(hù)需要超低電容的電壓敏感組件免受ESD和瞬態(tài)電壓事件的影響而設(shè)計。它具有出色的鉗位能力、低電容、高擊穿電壓、高線性度、低泄漏和快速響應(yīng)時間等優(yōu)點(diǎn),非常適合在電路板空間有限的設(shè)計中用于ESD保護(hù)。此外,它在電壓范圍內(nèi)具有行業(yè)領(lǐng)先的電容線性度,使其成為高速數(shù)據(jù)線保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。
二、產(chǎn)品特性
1. 超低電容
ESDL3552B的電容僅為0.25 pF,這種超低電容特性對于高速數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要,能夠有效減少信號失真,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
2. 低插入損耗
在5 GHz頻率下,插入損耗僅為0.26 dB。低插入損耗意味著信號在通過該二極管時損失較小,有助于保持信號的強(qiáng)度和質(zhì)量。
3. 小尺寸封裝
采用0201隔離DSN封裝,尺寸僅為0.62 mm x 0.32 mm。這種小尺寸封裝節(jié)省了電路板空間,非常適合對空間要求較高的設(shè)計。
4. 高耐壓與低泄漏
其耐受電壓為5.0 V,能夠承受一定的電壓沖擊。同時,泄漏電流小于50 nA,有效降低了能量損耗,提高了設(shè)備的效率。
5. 低動態(tài)電阻
動態(tài)電阻小于1.0 Ω,在ESD事件發(fā)生時能夠快速響應(yīng),有效地將瞬態(tài)電壓鉗制在安全范圍內(nèi),保護(hù)敏感組件。
6. 環(huán)保特性
該器件無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。
三、典型應(yīng)用
ESDL3552B適用于高速數(shù)據(jù)線保護(hù),如USB 2.0、USB 3.0和USB 3.1等接口。在這些高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用中,ESDL3552B能夠提供可靠的ESD保護(hù),確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和設(shè)備的安全性。
四、最大額定值
| 額定值 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| IEC 61000 - 4 - 2 Level 4 (Contact) (Note 1) IEC 61000 - 4 - 2 Level 4 (Air) (Note 1) |
ESD | +20 +20 |
kV |
| 最大峰值脈沖電流 IEC 61000 - 4 - 5 8/20 μs (Lightning) (Note 2) | IPP | 2.0 | A |
| 總功率耗散 (Note 3) @ $T_{A}=25^{circ} C$ 熱阻,結(jié)到環(huán)境 |
PD RUA |
300 400 |
mW °C/W |
| 結(jié)和存儲溫度范圍 | TJ, Tstg | -55 至 +150 | °C |
| 引腳焊接溫度 - 最大 (10 秒持續(xù)時間) | TL | 260 | °C |
需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。
五、電氣特性
1. 反向工作電壓
在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi),任意兩個引腳之間的反向工作電壓為 5.0 V。
2. 擊穿電壓
當(dāng)測試電流 IT = 10 mA 時,在 -40°C 至 +85°C 范圍內(nèi),任意兩個引腳之間的擊穿電壓為 6.5 - 11.5 V;當(dāng) IT = 1 mA 時,擊穿電壓為 7.0 - 11 V。
3. 反向泄漏電流
在 VRWM = 5.0 V、TA = 25°C 時,反向泄漏電流為 0.001 - 0.05 A;在 VRWM = 5.0 V、TA = 85°C 時,反向泄漏電流為 0.001 - 0.25 A。
4. 鉗位電壓
在不同的脈沖電流和ESD等級下,鉗位電壓有所不同。例如,在 IPP = 4 A(IEC 61000 - 4 - 2 Level 1 等效)時,引腳 1 到引腳 2、引腳 3 到引腳 2 的鉗位電壓為 14.5 V;在 IPP = 16 A(IEC 61000 - 4 - 2 Level 4 等效)時,鉗位電壓為 21.5 V。
5. 反向峰值脈沖電流
在 IEC61000 - 4 - 5(8x20 μs)條件下,任意兩個引腳之間的反向峰值脈沖電流為 2.0 - 3.0 A。
6. 動態(tài)電阻
在 100 ns TLP 條件下,引腳 1 到引腳 2、引腳 3 到引腳 2 的動態(tài)電阻為 0.58 Ω。
7. 結(jié)電容
在 VR = 0 V、f = 1 MHz 時,任意兩個引腳之間的結(jié)電容為 0.25 - 0.30 pF。
8. 電容線性度
在 VR = 0 V 至 5 V、f = 1 MHz 時,電容線性度為 0.03 pF。
9. 插入損耗
在不同頻率下,插入損耗不同。f = 2.5 GHz 時為 0.16 dB,f = 5.0 GHz 時為 0.26 dB,f = 10.0 GHz 時為 0.41 dB。
六、封裝與尺寸
| ESDL3552B采用X4DFN3封裝,其尺寸參數(shù)如下: | DIM | 毫米(最小值) | 毫米(標(biāo)稱值) | 毫米(最大值) |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.175 | 0.20 | 0.225 | |
| A1 | 0.000 | 0.015 | 0.030 | |
| b | 0.23 | 0.25 | 0.27 | |
| D | 0.595 | 0.620 | 0.645 | |
| E | 0.295 | 0.320 | 0.345 | |
| e | 0.225 BSC | |||
| L | 0.08 | 0.10 | 0.12 |
七、總結(jié)
ESDL3552B是一款性能卓越的ESD保護(hù)二極管,其超低電容、低插入損耗、小尺寸封裝等特性使其在高速數(shù)據(jù)線保護(hù)領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。在設(shè)計電子設(shè)備時,工程師們可以根據(jù)實(shí)際需求,合理選擇ESDL3552B來保護(hù)電壓敏感組件,提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
大家在使用ESDL3552B的過程中,有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。
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