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安森美ESD7410:超低電容ESD保護二極管的卓越之選

lhl545545 ? 2026-05-17 14:50 ? 次閱讀
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安森美ESD7410:超低電容ESD保護二極管的卓越之選

在電子設(shè)備的設(shè)計中,靜電放電(ESD)保護是一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它能夠有效保護電壓敏感組件免受ESD和瞬態(tài)電壓事件的損害。安森美(onsemi)推出的ESD7410超低電容微型封裝ESD保護二極管,憑借其出色的性能和特性,成為眾多應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。

文件下載:ESD7410-D.PDF

產(chǎn)品概述

ESD7410專為保護需要超低電容的電壓敏感組件而設(shè)計,能有效抵御ESD和瞬態(tài)電壓事件。它在電壓范圍內(nèi)具有行業(yè)領(lǐng)先的電容線性度,這一特性使其非常適合射頻RF)應(yīng)用。再加上極小的封裝尺寸和低插入損耗,該器件特別適用于無線手機和終端的天線線路應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

超低電容

ESD7410的最大電容小于1.0 pF,這種超低電容特性對于高頻應(yīng)用至關(guān)重要,能夠有效減少信號的衰減和失真,確保信號的高質(zhì)量傳輸。

卓越的電容線性度

在電壓變化過程中,ESD7410展現(xiàn)出行業(yè)領(lǐng)先的電容線性度。這意味著在不同的電壓條件下,其電容值的變化非常穩(wěn)定,能夠為RF應(yīng)用提供更加穩(wěn)定的性能。

低插入損耗

在1 GHz時插入損耗僅為0.1 dB,在3 GHz時為0.3 dB。低插入損耗能夠保證信號在傳輸過程中的能量損失最小化,從而提高系統(tǒng)的整體性能。

低泄漏電流

最大泄漏電流小于1 μA,低泄漏電流有助于降低功耗,提高系統(tǒng)的能效。

強大的ESD保護能力

符合IEC61000 - 4 - 2(ESD)4級標準,接觸放電可達±30 kV;ISO 10605(ESD)330 pF/2 k條件下接觸放電也能達到±30 kV,為設(shè)備提供可靠的ESD保護。

可焊側(cè)翼封裝

SZESD7410MXWT5G采用可焊側(cè)翼封裝,有利于自動光學(xué)檢測(AOI),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

汽車級應(yīng)用

帶有SZ前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用,并且通過了AEC - Q101認證,具備生產(chǎn)件批準程序(PPAP)能力。

環(huán)保設(shè)計

這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標準,符合環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

RF信號ESD保護

在RF信號傳輸過程中,ESD7410能夠有效保護敏感的RF組件,確保信號的穩(wěn)定傳輸。

有源天線ESD保護

有源天線容易受到ESD的影響,ESD7410可以為其提供可靠的保護,延長天線的使用壽命。

近場通信NFC

在NFC應(yīng)用中,ESD7410能夠保障通信的穩(wěn)定性和可靠性,防止ESD對通信造成干擾。

電氣特性

最大額定值

在環(huán)境溫度 (T_{A}=25^{circ} C) 條件下,總功率耗散為300 mW,結(jié)到環(huán)境的熱阻為400 °C/W;峰值功率耗散在8/20雙指數(shù)波形下為136 W;結(jié)和存儲溫度范圍為 - 55°C到 + 150°C;引腳焊接溫度最大為260°C(持續(xù)10秒);最大峰值脈沖電流(8/20)為6.4 A;在多種ESD測試條件下,接觸放電均能達到±30 kV,人體模型(HBM)為±8 kV。

電氣參數(shù)

符號 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
VRWM 反向工作電壓 - - - 9.5 V
VBR 擊穿電壓 (I_{T}=1 ~mA) (注3) 10 - - V
IR 反向泄漏電流 VRWM = 9.5 V - - 1.0 uA
Vc 鉗位電壓 IEC 61000 - 4 - 2,(pm 8 kV) 接觸 - 見圖表7和8 - V
Vc 鉗位電壓,TLP(注4) IPP = 8 A,PP = 16A,Ipp = - 8A,PP = - 16A - 18,20, - 18, - 20 - V
PP 反向峰值脈沖電流 IEC 61000 - 4 - 2(8/20 μs) 5.0 - - A
Vc 鉗位電壓(8/20 us) PP = 5.0A - 18.4 19.4 V
RDYN 動態(tài)電阻 TLP脈沖 - 1.0 - Ω
CJ 結(jié)電容 VR = 0 V,f = 1 MHz;VR = 0V,f = 1 GHz - 0.40,0.35 1.0,0.7 pF
- 插入損耗 f = 1 GHz;f = 3 GHz - 0.1,0.3 - dB

注3:擊穿電壓是從引腳1到2和引腳2到1進行測試。注4:采用傳輸線脈沖(TLP)模型進行靜電放電敏感度測試,TLP條件為 (Z{0}=50 Omega) , (t{p}=100 ~ns) , (t{r}=4 ~ns) ,平均窗口為 (t{1}=30) ns到 (t_{2}=60 ~ns) 。

典型特性曲線

文檔中提供了多種典型特性曲線,包括典型IV特性、典型CV特性、IR與溫度特性、穩(wěn)態(tài)功率降額、8 X 20 s脈沖波形、鉗位電壓與峰值脈沖電流(8/20 s)關(guān)系等曲線。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解ESD7410在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進行更合理的設(shè)計。

測試相關(guān)

ESD電壓鉗位

對于敏感電路元件,在ESD事件期間將IC所承受的電壓限制在盡可能低的水平非常重要。ESD鉗位電壓是指在ESD事件期間,ESD保護二極管兩端的電壓降。安森美通過示波器截圖的形式,在所有ESD保護二極管的數(shù)據(jù)手冊中展示ESD脈沖時域內(nèi)ESD保護二極管兩端的整個電壓波形。如需了解更多關(guān)于如何創(chuàng)建這些截圖以及如何解讀它們的信息,請參考AND8307/D。

傳輸線脈沖(TLP)測量

TLP提供電流與電壓(I - V)曲線,每個數(shù)據(jù)點是從充電傳輸線的100 ns長矩形脈沖獲得的。ESD保護器件的TLP I - V曲線能夠準確展示產(chǎn)品的ESD能力,因為其數(shù)十安培的電流水平和低于100 ns的時間尺度與ESD事件相匹配。通過TLP I - V曲線可以了解器件的開啟電壓以及在不同電流水平下的電壓鉗位能力。

機械封裝與訂購信息

ESD7410有X2DFN2和X2DFNW2兩種封裝形式,均為無鉛封裝,每盤8000個。具體的機械尺寸和推薦的安裝腳印等信息可參考相關(guān)文檔。

總結(jié)

安森美ESD7410超低電容ESD保護二極管憑借其超低電容、卓越的電容線性度、低插入損耗、強大的ESD保護能力等特性,在RF信號保護、有源天線保護、近場通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計過程中,可以根據(jù)實際需求選擇合適的封裝和型號,以確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。你在實際應(yīng)用中是否遇到過ESD保護方面的問題呢?又是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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