Onsemi ESD51x1系列ESD保護二極管：小身材大作用

在電子設(shè)備的設(shè)計中，靜電放電（ESD）是一個常見且可能對電路造成嚴重損害的問題。Onsemi的ESD51x1系列ESD保護二極管，為電壓敏感組件提供了可靠的ESD保護，尤其適用于對電路板空間要求較高的便攜式和可穿戴設(shè)備。

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產(chǎn)品概述

ESD51x1系列旨在保護電壓敏感組件免受ESD的影響。它具有出色的鉗位能力、低泄漏電流和快速響應(yīng)時間，能為暴露于ESD環(huán)境的設(shè)計提供一流的保護。由于其尺寸小巧，非常適合用于智能手機、智能手表等便攜式/可穿戴應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

低電容

I/O到地的最大電容僅為5pF，低電容特性有助于減少信號失真，保證信號的完整性，在高頻信號傳輸中表現(xiàn)出色。這對于對信號質(zhì)量要求較高的設(shè)備，如智能手機的高速數(shù)據(jù)接口，是非常關(guān)鍵的特性。

小尺寸封裝

提供01005（0.435 x 0.23 mm）和0201（0.6 x 0.3 mm）兩種尺寸的封裝，這種小尺寸封裝大大節(jié)省了電路板空間，對于空間有限的便攜式設(shè)備設(shè)計來說是一個重要的優(yōu)勢。

符合IEC標準

能夠為IEC 61000 - 4 - 2（Level 4）標準提供保護，具備±15 kV的ESD接觸和空氣放電能力，確保設(shè)備在復雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行。

低ESD鉗位電壓

較低的ESD鉗位電壓可以有效限制ESD事件時的電壓峰值，降低對被保護組件的損害風險。

環(huán)保特性

這些設(shè)備無鉛、無鹵素/BFR，符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

電氣特性

反向工作電壓

I/O引腳到地的反向工作電壓最大為3.3V。

擊穿電壓

當測試電流$I_T = 1 mA$時，I/O引腳到地的擊穿電壓在3.68V到6.5V之間。

反向泄漏電流

在反向工作電壓為3.3V時，I/O引腳到地的反向泄漏電流最大為0.1μA，低泄漏電流有助于降低功耗。

鉗位電壓

在不同的脈沖電流下，ESD5101和ESD5111具有不同的鉗位電壓。例如，在$I{pp} = 8A$時，等效于IEC 61000 - 4 - 2 Level 2（±4 kV接觸，±4 kV空氣）的鉗位電壓典型值為5.5V；在$I{pp} = 16A$時，等效于IEC 61000 - 4 - 2 Level 2（±8 kV接觸）的鉗位電壓為6.5V。

結(jié)電容

在$V_R = 0 V$，$f = 1 MHz$的條件下，結(jié)電容最大為5.5pF。

傳輸線脈沖（TLP）測量

TLP測量能夠提供電流與電壓（I - V）曲線，每個數(shù)據(jù)點來自于一個100 ns長的矩形脈沖。TLP I - V曲線準確地展示了ESD保護器件的ESD能力，因為其數(shù)十安培的電流水平和小于100 ns的時間尺度與ESD事件相匹配。通過比較8 kV IEC 61000 - 4 - 2電流波形與8 A和16 A的TLP電流脈沖，可以直觀地看到TLP測量的有效性。

機械封裝尺寸

ESD51x1系列提供多種封裝形式，不同封裝有各自的尺寸和標記圖。例如DSN2（01005）封裝、WLCSP2（0201）封裝等，同時還給出了推薦的焊盤尺寸。在進行電路板設(shè)計時，需要根據(jù)具體的封裝形式和尺寸要求進行布局。

訂購信息

ESD5101FCT5G采用DSN2（無鉛）封裝，每卷10,000個；ESD5111FCT5G采用WLCSP2（無鉛）封裝，每卷10,000個；ESD5111PFCT5G采用DSN2（無鉛）封裝，每卷10,000個。在訂購時，需要注意這些細節(jié)。

在實際的電子設(shè)計中，ESD保護是一個不可忽視的環(huán)節(jié)。Onsemi的ESD51x1系列ESD保護二極管憑借其出色的性能和小巧的尺寸，為工程師們提供了一個優(yōu)秀的解決方案。你在設(shè)計中是否使用過類似的ESD保護二極管呢？它們在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)如何？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。