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汽車級USB充電芯片TPS2583x-Q1深度剖析與應(yīng)用指南

璟琰乀 ? 2026-05-17 16:45 ? 次閱讀
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汽車級USB充電芯片TPS2583x-Q1深度剖析與應(yīng)用指南

汽車電子領(lǐng)域,USB充電端口的設(shè)計至關(guān)重要。德州儀器TI)推出的TPS25830-Q1和TPS25831-Q1兩款芯片,為實現(xiàn)緊湊的USB充電端口提供了全面的解決方案,支持Type-C和BC1.2標(biāo)準(zhǔn)。下面,我們將深入探討這兩款芯片的特性、功能及應(yīng)用設(shè)計。

文件下載:TPS25830QWRHBTQ1.pdf

1. 芯片概述

TPS25830-Q1和TPS25831-Q1具備高效的36V降壓調(diào)節(jié)器電源,能夠在5.10V(標(biāo)稱)下提供高達(dá)3.5A的輸出電流。系統(tǒng)設(shè)計師可在300至2200kHz的范圍內(nèi)精心選擇開關(guān)頻率,以優(yōu)化效率或縮小解決方案尺寸。這兩款芯片的降壓調(diào)節(jié)器采用強制PWM模式,確保開關(guān)頻率不受負(fù)載電流影響,同時,擴頻頻率抖動技術(shù)有助于降低開關(guān)頻率的諧波峰值,簡化EMI濾波器設(shè)計。

2. 關(guān)鍵特性

2.1 汽車級認(rèn)證與可靠性

  • AEC - Q100認(rèn)證:滿足汽車應(yīng)用要求,溫度等級為1級( - 40°C至 + 125°C),具備出色的抗環(huán)境能力。
  • ESD防護:HBM ESD分類等級為H2,CDM ESD分類等級為C5,以及CC1、CC2、DP_IN和DM_IN引腳的IEC 61000 - 4 - 2 ESD防護(±8kV接觸和±15kV空氣放電),有效保護芯片免受靜電損害。

    2.2 高效的降壓調(diào)節(jié)器

  • 寬輸入電壓范圍:輸入電壓范圍為4.5V至36V,能適應(yīng)多種電源環(huán)境。
  • 精準(zhǔn)輸出:輸出電壓為5.1V,精度達(dá)±1%,滿足USB設(shè)備的充電需求。
  • 靈活的頻率控制:開關(guān)頻率可在300kHz至2.2MHz之間調(diào)節(jié),還支持與外部時鐘同步,并且采用擴頻抖動技術(shù)降低EMI。
  • 內(nèi)部補償:內(nèi)部補償設(shè)計簡化了設(shè)計過程,減少了外部元件數(shù)量,提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。

    2.3 USB兼容性與功能

  • USB - IF標(biāo)準(zhǔn)合規(guī):支持USB Type - C? Rev 1.3,具備CC邏輯、VCONN源和放電功能,以及USB電纜極性檢測(POL)。
  • 多模式支持:支持CDP/SDP模式(USB BC1.2),TPS25831 - Q1還支持自動DCP模式,包括DCP短路模式和YD/T 1591 - 2009、2.7V分壓3模式、1.2V模式。
  • 編程電流限制:用戶可對USB電流進行編程限制,同時具備高達(dá)1.5V的電纜下垂補償功能,確保在不同負(fù)載下為便攜式設(shè)備提供穩(wěn)定的充電電壓。

    2.4 集成保護功能

  • 短路保護:具備VBUS短路到(V_{BAT})、DP_IN和DMIN短路到(- V{BAT})和VBUS、CC1和CC2短路到(V_{BAT})保護功能。
  • 過壓和過流保護:對VBUS、CC、數(shù)據(jù)線路等進行過壓和過流保護,確保系統(tǒng)安全穩(wěn)定運行。
  • 故障標(biāo)志報告:通過FAULT引腳報告故障信息,方便工程師進行故障排查。

3. 功能模塊詳解

3.1 降壓調(diào)節(jié)器

TPS2583x - Q1采用同步降壓調(diào)節(jié)器,集成了高端(HS)和低端(LS)開關(guān)。通過控制占空比,調(diào)節(jié)HS和LS NMOS開關(guān)的導(dǎo)通時間,實現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電壓。采用固定頻率峰值電流模式控制,電壓反饋回路通過調(diào)整峰值電流指令來實現(xiàn)精確的直流電壓調(diào)節(jié),并且內(nèi)部補償設(shè)計使得系統(tǒng)穩(wěn)定運行,減少了外部元件數(shù)量。

3.2 使能/欠壓鎖定(UVLO)和啟動

EN/UVLO引腳控制芯片的開關(guān)操作。當(dāng)該引腳電壓高于(V{EN/UVLO - H})時,內(nèi)部調(diào)節(jié)器啟動并開始監(jiān)測CCn線路,以檢測有效的Type - C連接。為了確保USB端口(V{BUS})符合USB規(guī)范,可使用外部電阻分壓器來設(shè)置精確的系統(tǒng)UVLO電平。

3.3 開關(guān)頻率和同步

開關(guān)頻率可通過RT/SYNC引腳與地之間的電阻(R_{T})進行編程設(shè)置,也可與300kHz至2.3MHz的外部時鐘同步。為避免AM無線電頻段干擾,芯片會根據(jù)輸入電壓實施頻率折返方案。

3.4 擴頻操作

為降低EMI,芯片引入了擴頻功能,通過將發(fā)射能量分散到更寬的頻率范圍,消除特定頻率的峰值發(fā)射。該功能僅在使用內(nèi)部振蕩器時可用。

3.5 VCC和VCC_UVLO

芯片集成了內(nèi)部LDO以生成(V{CC}),為控制電路MOSFET驅(qū)動器供電。(V{CC})引腳需使用高質(zhì)量陶瓷電容進行旁路,并且在需要支持VCONN時,可使用外部5V LDO進行驅(qū)動,但需注意時序要求。

3.6 最小導(dǎo)通時間和最小關(guān)斷時間

最小導(dǎo)通時間(T{ON - MIN})和最小關(guān)斷時間(T{OFF - MIN})限制了給定開關(guān)頻率下的電壓轉(zhuǎn)換范圍。較高的開關(guān)頻率會使允許的占空比范圍變窄。

3.7 內(nèi)部補償

內(nèi)部補償設(shè)計確保了芯片在指定的工作頻率和輸出電壓范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的環(huán)路響應(yīng),優(yōu)化了300kHz至2300kHz范圍內(nèi)的瞬態(tài)響應(yīng)。

3.8 自舉電壓(BOOT)

芯片提供集成的自舉電壓調(diào)節(jié)器,通過BOOT和SW引腳之間的小電容為高端MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓。建議使用0.1μF的陶瓷電容,以確保在不同溫度和電壓下的穩(wěn)定性能。

3.9 電流限制和電纜補償

可編程電流限制閾值和滿量程電纜補償電壓由(R{SNS})、(R{SET})、(R{ILIMIT})和(R{IMON})電阻的值決定。通過合理選擇這些電阻,可以實現(xiàn)精確的電流限制和電纜補償。

3.10 過流和短路保護

芯片具備精密可編程電流限制和逐周期電流限制功能,以保護USB端口免受極端過載條件的影響。在某些應(yīng)用中,還可滿足MFi過流保護測試要求。

3.11 過壓、IEC和短路到電池保護

芯片在VBUS、CC1、CC2、DM_IN和DP_IN引腳集成了過壓保護和短路到電池保護功能,這些引腳可承受高達(dá)18V的電壓。同時,在CC1、CC2、DP_IN和DM_IN引腳集成了IEC ESD單元,提供ESD保護。

3.12 電纜補償

當(dāng)負(fù)載通過長或細(xì)的導(dǎo)線吸取電流時,會產(chǎn)生IR壓降。電纜下垂補償功能可根據(jù)負(fù)載電流線性增加CSN/OUT引腳的電壓,以抵消充電路徑中的IR壓降,確保USB連接器處的(V_{BUS_CON})保持在5V。

3.13 USB端口控制

通過DP_IN、DM_IN、CC1和CC2引腳,芯片可實現(xiàn)自動或主機輔助的USB端口電源管理,支持Type - A或Type - C下游面向連接器

3.14 FAULT響應(yīng)

芯片具有一個低電平有效、開漏輸出的FAULT引腳,可連接上拉電阻以報告故障信息。不同的故障條件會觸發(fā)相應(yīng)的保護動作。

3.15 USB規(guī)范概述

芯片支持五種常見的USB充電方案,包括USB Type - C(1.5A和3A廣告)、USB電池充電規(guī)范BC1.2、中國電信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YD/T 1591 - 2009、分壓3模式和1.2V模式。

3.16 USB Type - C?基礎(chǔ)

USB Type - C消除了主機和設(shè)備功能所需的不同插頭和插座類型,通過配置通道(CC)實現(xiàn)設(shè)備角色的確定和電源交換。芯片支持Type - C的各種數(shù)據(jù)模式和端口類型,可實現(xiàn)有效的設(shè)備連接和功率管理。

3.17 設(shè)備電源引腳

IN引腳是芯片的輸入電源路徑,CSN/OUT引腳連接到電流感測放大器的負(fù)端和內(nèi)部電壓反饋網(wǎng)絡(luò),PGND是電源接地返回。為了獲得最佳性能,應(yīng)確保IN引腳通過適當(dāng)?shù)碾娙葸M行旁路。

3.18 熱關(guān)斷

芯片具有內(nèi)部過熱關(guān)斷閾值(T_{SD}),當(dāng)設(shè)備溫度超過該閾值時,LD_GD引腳被拉低,降壓調(diào)節(jié)器停止開關(guān)操作。當(dāng)芯片溫度下降約20°C時,設(shè)備嘗試重新啟動。

3.19 電源喚醒

與傳統(tǒng)的Type - A端口不同,Type - C端口在檢測到UFP連接之前為“冷”狀態(tài)(0V),這有助于降低空閑端口的功耗。芯片通過監(jiān)測CC線路來檢測UFP連接,并在檢測到連接后啟用內(nèi)部降壓調(diào)節(jié)器。

3.20 帶NTC的熱傳感(TPS25831 - Q1)

TPS25831 - Q1的NTC輸入引腳允許用戶進行可編程熱保護。當(dāng)(V_{NTC})達(dá)到一定閾值時,芯片會采取相應(yīng)的保護措施,如降低Type - C廣告電流和發(fā)出THERM_WARN標(biāo)志。

4. 設(shè)備功能模式

4.1 關(guān)機模式

當(dāng)EN引腳電壓低于1.2V(典型值)時,芯片進入關(guān)機模式。同時,芯片還具備(V{IN})和(V{CC})欠壓鎖定保護功能。

4.2 待機模式

如果EN引腳電壓高于閾值,但CC線路上沒有有效連接,芯片將保持低功耗狀態(tài),直到檢測到有效的UFP連接。

4.3 活動模式

當(dāng)(V{EN})高于精密使能閾值,(V{IN})和(V_{CC})高于各自的UVLO水平,并且CC線路上檢測到有效連接時,芯片進入活動模式。在活動模式下,降壓調(diào)節(jié)器采用強制脈沖寬度調(diào)制(FPWM)模式,確保開關(guān)頻率恒定。

4.4 設(shè)備真值表

通過CTRL1和CTRL2引腳的不同組合,芯片可以切換到不同的充電模式,滿足不同的USB設(shè)備充電需求。

4.5 USB端口操作模式

  • USB Type - C模式:芯片作為Type - C控制器,支持所有Type - C功能,可管理對連接的UFP和有源電纜的電流廣告和保護。
  • 標(biāo)準(zhǔn)下游端口(SDP)模式:遵循USB 2.0、USB 3.0或USB 3.1協(xié)議,提供不同的電流輸出和通信支持。
  • 充電下游端口(CDP)模式:遵循USB BC1.2,提供至少1.5A的電流輸出,并支持USB 2.0通信。
  • 專用充電端口(DCP)模式(TPS25831 - Q1僅支持):僅提供電源,不支持?jǐn)?shù)據(jù)連接。TPS25831 - Q1支持DCP自動模式,可根據(jù)連接設(shè)備自動選擇合適的充電方案。

    4.6 高帶寬數(shù)據(jù)線開關(guān)(TPS25830 - Q1僅支持)

    TPS25830 - Q1的DP和DM數(shù)據(jù)線通過芯片進行傳輸,支持充電操作的同時實現(xiàn)數(shù)據(jù)監(jiān)測和握手。數(shù)據(jù)線路開關(guān)在CDP、SDP模式下開啟,但在某些條件下會關(guān)閉。

5. 應(yīng)用與實現(xiàn)

5.1 應(yīng)用信息

TPS2583x - Q1通常用于汽車系統(tǒng),將車輛電池的直流電壓轉(zhuǎn)換為5V直流電壓,最大輸出電流為3.5A。在設(shè)計過程中,需要考慮電纜補償、最大連續(xù)輸出電流等參數(shù)。

5.2 典型應(yīng)用

芯片僅需少量外部元件即可將寬電壓范圍的電源轉(zhuǎn)換為5V輸出,為USB設(shè)備供電。在設(shè)計過程中,需要合理選擇外部電感、電容等元件,以滿足應(yīng)用需求和系統(tǒng)穩(wěn)定性要求。

5.3 設(shè)計步驟

  • 輸出電壓:芯片的輸出電壓內(nèi)部固定為5.10V,可通過電纜補償功能根據(jù)負(fù)載電流線性增加CSN/OUT引腳的電壓。
  • 開關(guān)頻率:建議開關(guān)頻率在300至400kHz之間,以獲得最佳效率??赏ㄟ^選擇合適的(R_{RT})電阻來設(shè)置開關(guān)頻率。
  • 電感選擇:根據(jù)所需的峰 - 峰紋波電流(Delta i_{L})計算電感值,同時要考慮電感的飽和電流和額定電流。
  • 輸出電容選擇:輸出電容的大小和ESR決定了輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)性能??筛鶕?jù)負(fù)載瞬態(tài)要求計算電容值和ESR上限。
  • 輸入電容選擇:芯片需要高頻輸入去耦電容和大容量輸入電容,以補償電壓尖峰和滿足不同的應(yīng)用需求。
  • 自舉電容選擇:建議使用0.1μF、額定電壓10V或更高的陶瓷電容作為自舉電容。
  • VCC電容選擇:VCC引腳需要使用至少2.2μF、10V、X7R電容進行旁路,同時建議添加0.1μF的高頻去耦電容。
  • 使能和欠壓鎖定設(shè)置點:通過外部電壓分壓器網(wǎng)絡(luò)(R{ENT})和(R{ENB})來調(diào)整系統(tǒng)使能和欠壓鎖定(UVLO)的閾值。
  • 電流限制設(shè)置點:根據(jù)(R{SNS})、(R{SET})和(R_{ILIMIT})的值設(shè)置精確的電流限制,以保護USB端口免受過載。
  • 電纜補償設(shè)置點:根據(jù)總電纜電阻和負(fù)載電流計算所需的電纜補償電壓,并選擇合適的(R_{IMON})電阻。
  • LD_DET、POL和FAULT電阻選擇:這些引腳是開漏輸出標(biāo)志,可連接上拉電阻或保持浮空。

6. 布局指南

6.1 布局原則

  • 輸入電容:輸入旁路電容(C_{IN})應(yīng)盡可能靠近IN和PGND引腳,輸入和輸出電容的接地應(yīng)采用局部頂層平面連接到PGND引腳和PAD。
  • (V_{CC})旁路電容:(V_{CC})旁路電容應(yīng)靠近VCC引腳并接地。
  • 接地平面:使用中間層的接地平面作為噪聲屏蔽和散熱路徑。
  • 熱焊盤:將熱焊盤連接到接地平面,以提高散熱性能。
  • 電源總線連接:使(V{IN})、(V{OUT})和接地總線連接盡可能寬,以減少電壓降并提高效率。
  • 散熱:提供足夠的PCB面積進行散熱,使用多層板和散熱過孔來降低熱阻。
  • SW引腳連接:SW引腳與電感的連接應(yīng)盡可能短,以減少寄生電阻和電容。
  • 傳感和設(shè)置電阻:(R{SNS})和(R{SET})電阻應(yīng)靠近CSP和CSN/OUT引腳,以提高電流限制和電纜補償?shù)木取?/li>
  • 數(shù)據(jù)線路布線:DP_IN、DM_IN、DP_OUT和DM_OUT線路應(yīng)采用微帶線布線,保持90Ω的差分阻抗。
  • CC線路:CC線路應(yīng)保持相同長度,避免產(chǎn)生Stub或測試點
  • 輸出標(biāo)志引腳:POL、LD_DET、FAULT和THERM_WARN(TPS25831 - Q1)引腳可通過上拉電阻連接到VCC引腳。
  • 電流環(huán)路:輸入和輸出側(cè)的電流環(huán)路面積應(yīng)盡可能小,BOOT電路的環(huán)路面積也應(yīng)最小化。
  • 接地分離:在實際PCB布局中,應(yīng)將電源接地PGND和信號接地AGND分開。

6.2 接地平面和熱考慮

建議使用中間層作為實心接地平面,為敏感電路和線路提供屏蔽和穩(wěn)定的參考電位。PGND引腳應(yīng)通過過孔連接到接地平面,同時要注意PGND線路的噪聲問題。通過合理利用IC的PAD和散熱過孔,可提高芯片的散熱性能。

6.3 布局示例

文檔中提供了布局示例,可作為實際設(shè)計的參考。

7. 總結(jié)

TPS25830 - Q1和TPS25831 - Q1芯片為汽車USB充電端口設(shè)計提供了全面、高效、可靠的解決方案。通過深入了解芯片的特性、功能和應(yīng)用設(shè)計要點,工程師可以更好地利用這些芯片,設(shè)計出滿足汽車電子需求的USB充電系統(tǒng)。在實際應(yīng)用中,還需根據(jù)具體需求進行合理的參數(shù)選擇和布局設(shè)計,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。你在使用這款芯片的過程中遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和想法。

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