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探索CM1216:6和8通道低電容ESD陣列的卓越性能

lhl545545 ? 2026-05-17 17:25 ? 次閱讀
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探索CM1216:6和8通道低電容ESD陣列的卓越性能

在電子設備日益復雜和高速化的今天,靜電放電(ESD)保護成為了保障設備穩(wěn)定運行的關鍵因素。ON Semiconductor推出的CM1216系列6和8通道低電容ESD陣列,為電子工程師提供了一種高效、可靠的ESD保護解決方案。今天,我們就來深入了解一下這款產品。

文件下載:CM1216-D.PDF

產品概述

CM1216系列二極管陣列專為需要最小電容負載的電子元件或子系統(tǒng)提供ESD保護。對于高速數(shù)據(jù)和時鐘速率的系統(tǒng),或者對電容負載要求較低的電路來說,它是理想之選。每個ESD通道由一對串聯(lián)二極管組成,能夠將正或負ESD電流脈沖引導至正(VP)或負(VN)電源軌,可承受高達±15 kV的ESD脈沖(符合IEC 61000 - 4 - 2標準)。

產品特點

多通道ESD保護

該系列提供6通道和8通道的ESD保護,每個通道都能根據(jù)IEC 61000 - 4 - 2 ESD要求提供±15 kV的ESD保護,為多個信號通道提供了可靠的防護。

低電容特性

典型的通道負載電容僅為1.6 pF,通道I/O到地的電容差典型值為0.04 pF,互電容典型值為0.13 pF。而且,其電容隨溫度和電壓的變化極小,確保了在不同環(huán)境條件下的穩(wěn)定性能。

高耐用性

每個I/O引腳能夠承受超過1000次的ESD沖擊,保證了產品在長期使用中的可靠性。

環(huán)保封裝

采用SOIC和MSOP封裝,且這些器件為無鉛產品,符合RoHS標準,滿足環(huán)保要求。

應用場景

高速接口保護

適用于高速端口,如USB2.0、IEEE1394(Firewire?、iLink)、Serial ATA、DVI、HDMI等。在筆記本電腦、機頂盒、數(shù)字電視、LCD顯示器等設備中,為這些高速接口提供ESD保護,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

存儲設備

可用于可移動存儲設備、數(shù)字攝像機、DVD - RW驅動器等,在小封裝尺寸下提供極低的負載電容和ESD保護。

通用高速數(shù)據(jù)線保護

對于一般的高速數(shù)據(jù)線,CM1216也能提供有效的ESD保護,廣泛應用于各種電子設備中。

產品規(guī)格

絕對最大額定值

  • 工作電源電壓(VP - VN):6 V
  • 二極管正向直流電流:20 A
  • 任何通道輸入的直流電壓:(VN - 0.5) 到 (VP + 0.5) V
  • 工作溫度范圍:環(huán)境溫度 -40°C 至 +85°C,結溫 -40°C 至 +125°C
  • 存儲溫度范圍: -40°C 至 +150°C

標準工作條件

  • 溫度范圍(環(huán)境): -40°C 至 +85°C
  • 封裝功率額定值:MSOP8封裝(CM1216 - 06MR)為400 mW,SOIC8封裝(CM1216 - 06SM)為600 mW,MSOP10封裝(CM1216 - 08MR)為400 mW。

電氣工作特性

符號 參數(shù) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
VP 工作電源電壓 $(V{P}-V{N})$ 3.3 5.5 V
IP 工作電源電流 $left(V{P}-V{N}right)=3.3 ~V$ 8 μA
VF 二極管正向電壓(頂部二極管、底部二極管) $I{F}=20 mu A ; T{A}=25^{circ} C$ 0.6、0.6 0.8、0.8 0.95、0.95 V
LEAK 通道泄漏電流 $T{A}=25^{circ} C ; V{P}=5 ~V, V_{N}=0 ~V$ ±0.1 ±1.0 μA
CIN 通道輸入電容 在 $1 MHz, V{P}=3.3 ~V, ~V{N}=0 ~V, ~V_{IN}=1.65 ~V$ 1.6 2.0 PF
ACIN 通道輸入電容匹配 0.04 pF
CMUTUAL 互電容 $left(V{P}-V{N}right)=3.3V$ 0.13 pF
VESD ESD保護峰值放電電壓 $T_{A}=25^{circ} C$(符合IEC 61000 - 4 - 2標準) ±15 kV
VCL 通道鉗位電壓(正瞬態(tài)、負瞬態(tài)) $I{PP}=1 ~A, tp=8 / 20 mu S ; T{A}=25^{circ} C$ +9.0、 -1.5 V
RDYN 動態(tài)電阻(正瞬態(tài)、負瞬態(tài)) $I{PP}=1 ~A, tp=8 / 20 mu S ; T{A}=25^{circ} C$ 0.6、0.4 Ω

設計考慮

PCB布局中,為了實現(xiàn)對ESD脈沖的最大保護,需要注意以下幾點:

減少寄生電感

要盡量減少電源/地軌以及信號輸入(通常是連接器)與ESD保護設備之間信號跡線段的寄生串聯(lián)電感。ESD電流脈沖在極短時間內從0上升到峰值,寄生電感會導致被保護線路上的電壓大幅增加。例如,IEC61000 - 4 - 2標準的4級接觸放電,電流脈沖在1 ns內從0上升到30 A,僅10 nH的串聯(lián)電感就會使鉗位電壓 $V_{CL}$ 增加300 V。

利用集成器件

CM1213在 $V{P}$ 和 $V{N}$ 之間集成了齊納二極管,可通過將 $V{P}$ 鉗位在齊納二極管的擊穿電壓來大大降低電源軌電感 $L{2}$ 對 $V_{CL}$ 的影響。

增加旁路電容

為了獲得最低的 $V{CL}$,特別是當 $V{P}$ 偏置電壓明顯低于齊納擊穿電壓時,建議在 $V_{P}$ 和接地平面之間連接一個0.22 μF的陶瓷芯片電容。

合理布局

ESD保護陣列應盡可能靠近預期靜電放電的進入點。電源旁路電容應盡可能靠近保護陣列的 $V_{P}$ 引腳,減少PCB走線長度,以最小化雜散串聯(lián)電感。

總結

CM1216系列6和8通道低電容ESD陣列憑借其出色的ESD保護能力、低電容特性和高耐用性,為電子工程師在設計高速電子設備時提供了可靠的解決方案。在實際應用中,合理的PCB布局和設計考慮能夠充分發(fā)揮其性能,確保設備在復雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行。你在使用類似ESD保護器件時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗和見解。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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