2N5550 NPN外延硅晶體管：特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

引言

在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是2N5550 NPN外延硅晶體管，它在放大器等電路中有著廣泛的應(yīng)用。隨著Fairchild Semiconductor被ON Semiconductor整合，我們?cè)谑褂孟嚓P(guān)產(chǎn)品時(shí)也需要關(guān)注一些變化。

文件下載：2N5550-D.pdf

品牌整合與命名變化

Fairchild Semiconductor已成為ON Semiconductor的一部分。由于ON Semiconductor產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的部件命名，F(xiàn)airchild部件編號(hào)中的下劃線（）將更改為破折號(hào)（-）。大家在使用時(shí)，可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。若對(duì)系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)送郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

2N5550晶體管特性

基本特性

2N5550是一款放大器晶體管，其集電極 - 發(fā)射極電壓 (V_{CEO}=140V) 。引腳定義為：1腳是發(fā)射極，2腳是基極，3腳是集電極。

訂購(gòu)信息

大家在訂購(gòu)時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的包裝方式。

絕對(duì)最大額定值

思考一下，在實(shí)際應(yīng)用中，如果超過這些額定值，會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生怎樣的影響呢？

熱特性

這里需要注意的是，測(cè)量條件為PCB尺寸：FR - 4，76 mm x 114 mm x 1.57 mm（3.0英寸 x 4.5英寸 x 0.062英寸），且具有最小焊盤圖案尺寸。在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)，這些參數(shù)是關(guān)鍵依據(jù)。

電氣特性

擊穿電壓

• (B{V{CBO}})（集電極 - 基極擊穿電壓）：在 (I{C}=100mu A)，(I{E}=0) 條件下，最小值為160V。
• (B{V{CEO}})（集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓）：在 (I{C}=1 mA)，(I{B}=0) 條件下，最小值為140V。
• (B{V{EBO}})（發(fā)射極 - 基極擊穿電壓）：在 (I{E}=10mu A)，(I{C}=0) 條件下，最小值為6V。

截止電流

• (I{CBO})（集電極截止電流）：在 (V{CB}=100V)，(I_{E}=0) 條件下，最大值為100nA。
• (I{EBO})（發(fā)射極截止電流）：在 (V{EB}=4V)，(I_{C}=0) 條件下，最大值為50nA。

直流電流增益 (h_{FE})

在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下，(h{FE}) 有不同的值。例如，在 (I{C}=1 mA)，(V{CE}=5V) 時(shí)，典型值為60；在 (I{C}=10 mA)，(V_{CE}=5V) 時(shí)，最小值為60，最大值為250。

飽和電壓

• (V{CE(sat)})（集電極 - 發(fā)射極飽和電壓）：在 (I{C}=10 mA)，(I{B}=1 mA) 時(shí)，最大值為0.15V；在 (I{C}=50 mA)，(I_{B}=5 mA) 時(shí)，最大值為0.25V。
• (V{BE(sat)})（基極 - 發(fā)射極飽和電壓）：在 (I{C}=10 mA)，(I{B}=1 mA) 時(shí)，典型值為1.0V；在 (I{C}=50 mA)，(I_{B}=5 mA) 時(shí)，典型值為1.2V。

其他參數(shù)

• (f{T})（電流增益帶寬乘積）：在 (I{C}=10 mA)，(V_{CE}=10V)，(f = 100 MHz) 條件下，最小值為100MHz，最大值為300MHz。
• (C{ob})（輸出電容）：在 (f = 1 MHz)，(V{CB}=10V)，(I_{E}=0) 條件下，值為6pF。
• (NF)（噪聲系數(shù)）：在 (I{C}=250mu A)，(V{CE}=5V)，(R_{S}=1 kΩ)，(f = 10 Hz) 至15.7 kHz 條件下，值為10dB。

需要注意的是，部分參數(shù)采用脈沖測(cè)試，脈沖寬度 ≤300μs，占空比 ≤2%。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景，合理選擇這些參數(shù)。

典型性能特性

文檔中給出了多個(gè)典型性能特性圖，如典型脈沖電流增益與集電極電流的關(guān)系、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓與集電極電流的關(guān)系等。這些圖表可以幫助我們更直觀地了解晶體管在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以結(jié)合這些圖表進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化。

物理尺寸

文檔提供了2N5550的兩種物理尺寸圖，分別是3引腳、TO - 92、JEDEC TO - 92兼容直引腳配置（散裝類型）和3引腳、TO - 92、模制、0.2英寸線間距引腳形式（彈藥盒、卷帶包裝類型）。在進(jìn)行PCB布局時(shí)，要根據(jù)這些尺寸進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，確保晶體管能夠正確安裝和使用。

商標(biāo)與免責(zé)聲明

文檔中列出了Fairchild Semiconductor及其全球子公司擁有的眾多商標(biāo)。同時(shí)，ON Semiconductor對(duì)產(chǎn)品的使用和責(zé)任進(jìn)行了明確說明，如不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用產(chǎn)生的任何責(zé)任，產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用。我們?cè)谑褂卯a(chǎn)品時(shí)，一定要仔細(xì)閱讀這些條款，避免不必要的風(fēng)險(xiǎn)。

產(chǎn)品狀態(tài)定義

了解產(chǎn)品狀態(tài)對(duì)于我們選擇合適的產(chǎn)品非常重要，避免使用已經(jīng)過時(shí)或處于不穩(wěn)定狀態(tài)的產(chǎn)品。

總之，2N5550 NPN外延硅晶體管在電子電路設(shè)計(jì)中有著重要的應(yīng)用。我們?cè)谑褂脮r(shí)，要充分了解其特性、參數(shù)和相關(guān)注意事項(xiàng)，結(jié)合實(shí)際需求進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，以確保電路的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過哪些關(guān)于晶體管的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)交流分享。