Onsemi VHF/UHF晶體管MMBTH10L系列產(chǎn)品解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，VHF/UHF晶體管是非常重要的元件，今天我們來詳細(xì)了解Onsemi公司的MMBTH10L、MMBTH10 - 4L、SMMBTH10 - 4L、NSVMMBTH10L這一系列NPN硅晶體管。

文件下載：MMBTH10LT1-D.PDF

產(chǎn)品特性

應(yīng)用與認(rèn)證

這些晶體管帶有S和NSV前綴，適用于汽車及其他有獨(dú)特場地和控制變更要求的應(yīng)用。它們通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，并且是無鉛、無鹵素/BFR且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的，這使得它們在環(huán)保和可靠性方面表現(xiàn)出色。

最大額定值

Symbol	Rating	Value	Unit
VCEO	Collector - Emitter Voltage	25	Vdc
VCBO	Collector - Base Voltage	30	Vdc
VEBO	Emitter - Base Voltage	3.0	Vdc

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱特性

不同基板的散熱情況

Symbol	Characteristic	Max	Unit
PD	Total Device Dissipation FR - 5 Board (Note 2) TA = 25 °C Derate above 25 °C	225 1.8	mW mW/ °C
RθJA	Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)	556	°C/W
PD	Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 3) TA = 25 °C Derate above 25 °C	300 2.4	mW mW/ °C
RθJA	Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)	417	°C/W
TJ, Tstg	Junction and Storage Temperature Range	?55 to +150	°C

從熱特性數(shù)據(jù)可以看出，不同的基板對器件的散熱性能有明顯影響。使用氧化鋁基板時(shí)，器件的總功耗更高，熱阻更低，散熱效果更好。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合適的基板。

電氣特性

關(guān)斷特性

Symbol	Characteristic	Min	Typ	Max	Unit
V(BR)CEO	Collector - Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 mAdc, IB = 0)	25	-	-	Vdc
V(BR)CBO	Collector - Base Breakdown Voltage (IC = 100 μAdc, IE = 0)	30	-	-	Vdc
V(BR)EBO	Emitter - Base Breakdown Voltage (IE = 10 μAdc, IC = 0)	3.0	-	-	Vdc
ICBO	Collector Cutoff Current (VCB = 25 Vdc, IE = 0)	-	-	100	nAdc
IEBO	Emitter Cutoff Current (VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)	-	-	100	nAdc

這些關(guān)斷特性參數(shù)對于確保晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的性能非常重要。例如，擊穿電壓決定了晶體管能夠承受的最大電壓，而截止電流則反映了晶體管在關(guān)斷時(shí)的漏電情況。

導(dǎo)通特性

hFE	DC Current Gain (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G MMBTH10 - 4LT1G, SMMBTH10 - 4LT3G	60 120	- -	- 240	-
VCE(sat)	Collector - Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 mAdc, IB = 0.4 mAdc)	-	-	0.5	Vdc
VBE	Base - Emitter On Voltage (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)	-	-	0.95	Vdc

導(dǎo)通特性參數(shù)直接影響晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下的性能。直流電流增益hFE決定了晶體管對電流的放大能力，而飽和電壓和基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓則影響了晶體管的功耗和工作效率。

小信號(hào)特性

fT	Current - Gain - Bandwidth Product (IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 Mhz) MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G MMBTH10 - 4LT1G, SMMBTH10 - 4LT3G	650 800	- -	- -	MHz
Ccb	Collector - Base Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	-	-	0.7	pF
Crb	Common - Base Feedback Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)	-	-	0.65	pF
rb′C c	Collector Base Time Constant (IC = 4.0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 31.8 MHz)	-	-	9.0	ps

小信號(hào)特性參數(shù)對于高頻應(yīng)用非常關(guān)鍵。電流增益 - 帶寬積fT決定了晶體管能夠工作的最高頻率，而電容和時(shí)間常數(shù)則影響了晶體管的高頻響應(yīng)特性。

封裝與訂購信息

封裝形式

該系列晶體管采用SOT - 23（TO - 236）封裝，具有特定的尺寸規(guī)格。	DIM	MIN	NOM
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°		10°

訂購信息

Device	Package		Shipping ?
MMBTH10LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)		3,000 / Tape & Reel
NSVMMBTH10LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)		3,000 / Tape & Reel
MMBTH10LT3G	SOT - 23 (Pb - Free)		10,000 / Tape & Reel
MMBTH10 - 4LT1G	SOT - 23 (Pb - Free)	3,000 / Tape & Reel
SMMBTH10 - 4LT3G	SOT - 23 (Pb - Free)	10,000 / Tape & Reel

其中，MMBTH10 - 4LT1G和SMMBTH10 - 4LT3G已停產(chǎn)。在訂購時(shí)，我們需要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的器件和包裝形式。

總結(jié)

Onsemi的MMBTH10L系列VHF/UHF晶體管具有良好的性能和環(huán)保特性，適用于多種應(yīng)用場景。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們需要綜合考慮其最大額定值、熱特性、電氣特性等參數(shù)，選擇合適的器件和封裝形式。同時(shí)，在使用停產(chǎn)器件時(shí)，要注意其供應(yīng)情況，避免影響項(xiàng)目進(jìn)度。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒有遇到過類似晶體管的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。

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產(chǎn)品特性

應(yīng)用與認(rèn)證

最大額定值

熱特性

不同基板的散熱情況

電氣特性

關(guān)斷特性

導(dǎo)通特性

小信號(hào)特性

封裝與訂購信息

封裝形式

訂購信息

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