onsemi高壓功率晶體管MJD47、MJD50系列產(chǎn)品解析
在電子工程領(lǐng)域,高壓功率晶體管是眾多應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要深入探討的是安森美(onsemi)的MJD47、NJVMJD47T4G、MJD50、NJVMJD50T4G系列高壓功率晶體管,它們專(zhuān)為線(xiàn)路操作音頻輸出放大器、開(kāi)關(guān)模式電源驅(qū)動(dòng)器和其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
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產(chǎn)品特性
封裝與環(huán)保特性
該系列產(chǎn)品采用DPAK封裝,適用于表面貼裝應(yīng)用。其引腳專(zhuān)為表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì),采用塑料套管封裝(無(wú)后綴)。并且,這些器件是無(wú)鉛的,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了環(huán)保理念。
電氣相似性與認(rèn)證
在電氣性能上,它們與流行的TIP47和TIP50相似。此外,帶有NJV前綴的產(chǎn)品適用于汽車(chē)和其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。
最大額定值
| Rating | Symbol | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| Collector?Emitter Voltage MJD47, NJVMJD47T4G MJD50, NJVMJD50T4G | V CEO | 250 400 | Vdc |
| Collector?Base Voltage MJD47, NJVMJD47T4G MJD50, NJVMJD50T4G | V CB | 350 500 | Vdc |
| Emitter?Base Voltage | V EB | 5 | Vdc |
| Collector Current ? Continuous | I C | 1 | Adc |
| Collector Current ? Peak | I CM | 2 | Adc |
| Base Current | I B | 0.6 | Adc |
| Total Power Dissipation @ T C = 25 ? C Derate above 25 ? C | P D | 15 0.12 | W W/ ? C |
| Total Power Dissipation (Note 1) @ T A = 25 ? C Derate above 25 ? C | P D | 1.56 0.0125 | W W/ ? C |
| Operating and Storage Junction Temperature Range | T J , T stg | ?65 to +150 | ? C |
| ESD ? Human Body Model | HBM | 3B | V |
| ESD ? Machine Model | MM | C | V |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。若超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)造成損壞并影響可靠性。這些額定值適用于在推薦的最小焊盤(pán)尺寸上進(jìn)行表面貼裝時(shí)的情況。
熱特性
| Characteristic | Symbol | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| Thermal Resistance Junction-to-Case | ReUC | 8.33 | °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (Note 2) | RUA | 80 | °C/W |
| Lead Temperature for Soldering Purpose | TL | 260 |
同樣,這些熱特性額定值也是在推薦的最小焊盤(pán)尺寸上進(jìn)行表面貼裝時(shí)適用。
電氣特性
關(guān)斷特性
在關(guān)斷特性方面,不同型號(hào)的集電極 - 發(fā)射極維持電壓有所不同,如MJD47、NJVMJD47T4G為250Vdc,MJD50、NJVMJD50T4G為400Vdc。同時(shí),還給出了不同電壓條件下的集電極截止電流和發(fā)射極截止電流等參數(shù)。
導(dǎo)通特性
導(dǎo)通特性中,直流電流增益(h FE )在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下有不同的值,如在I C = 0.3 Adc,V CE = 10 Vdc時(shí)為30 - 150,在I C = 1 Adc,V CE = 10 Vdc時(shí)為10 - 150。此外,還給出了集電極 - 發(fā)射極飽和電壓和基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓等參數(shù)。
動(dòng)態(tài)特性
動(dòng)態(tài)特性包括電流增益 - 帶寬乘積(f T )和小信號(hào)電流增益(h fe )等參數(shù),這些參數(shù)對(duì)于評(píng)估晶體管在高頻和動(dòng)態(tài)信號(hào)處理中的性能至關(guān)重要。
典型特性
文檔中給出了多個(gè)典型特性圖,如功率降額圖、開(kāi)關(guān)時(shí)間等效電路圖、直流電流增益圖、“導(dǎo)通”電壓圖、熱響應(yīng)圖、有源區(qū)安全工作區(qū)圖、導(dǎo)通時(shí)間圖和關(guān)斷時(shí)間圖等。其中,有源區(qū)安全工作區(qū)圖顯示了晶體管在可靠運(yùn)行時(shí)必須遵守的I C - V CE 限制,即晶體管的耗散不能超過(guò)曲線(xiàn)所示的值。并且,數(shù)據(jù)是基于T J(pk) = 150°C,T C 根據(jù)條件可變。二次擊穿脈沖限制在占空比達(dá)10%且T J(pk) ≤150°C時(shí)有效,T J(pk) 可根據(jù)熱響應(yīng)圖中的數(shù)據(jù)計(jì)算得出。在高殼溫下,熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。
訂購(gòu)信息
| Device | Package | Shipping ? |
|---|---|---|
| MJD47G | 369C (Pb?Free) | 75 Units / Rail |
| MJD47T4G | 369C (Pb?Free) | 2,500 / Tape & Reel |
| NJVMJD47T4G* | 369C (Pb?Free) | 2,500 / Tape & Reel |
| MJD50G | 369C (Pb?Free) | 75 Units / Rail |
| MJD50T4G | 369C (Pb?Free) | 2,500 / Tape & Reel |
| NJVMJD50T4G* | 369C (Pb?Free) | 2,500 / Tape & Reel |
需要注意的是,對(duì)于帶NJV前綴的產(chǎn)品適用于特定應(yīng)用且具備相關(guān)認(rèn)證。同時(shí),關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息可參考相關(guān)手冊(cè)。
機(jī)械尺寸
文檔還給出了DPAK - 3封裝的機(jī)械尺寸,包括各部分的最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸等詳細(xì)信息。并且對(duì)尺寸標(biāo)注和公差等方面進(jìn)行了說(shuō)明。
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師需要綜合考慮這些特性和參數(shù),以確保產(chǎn)品在各種應(yīng)用場(chǎng)景下都能穩(wěn)定可靠地工作。大家在使用這些晶體管時(shí),是否遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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