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onsemi高壓功率晶體管MJD47、MJD50系列產(chǎn)品解析

lhl545545 ? 2026-05-21 15:10 ? 次閱讀
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onsemi高壓功率晶體管MJD47、MJD50系列產(chǎn)品解析

在電子工程領(lǐng)域,高壓功率晶體管是眾多應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要深入探討的是安森美(onsemi)的MJD47、NJVMJD47T4G、MJD50、NJVMJD50T4G系列高壓功率晶體管,它們專(zhuān)為線(xiàn)路操作音頻輸出放大器、開(kāi)關(guān)模式電源驅(qū)動(dòng)器和其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

文件下載:MJD47-D.PDF

產(chǎn)品特性

封裝與環(huán)保特性

該系列產(chǎn)品采用DPAK封裝,適用于表面貼裝應(yīng)用。其引腳專(zhuān)為表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計(jì),采用塑料套管封裝(無(wú)后綴)。并且,這些器件是無(wú)鉛的,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),體現(xiàn)了環(huán)保理念。

電氣相似性與認(rèn)證

在電氣性能上,它們與流行的TIP47和TIP50相似。此外,帶有NJV前綴的產(chǎn)品適用于汽車(chē)和其他有獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證,具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。

最大額定值

Rating Symbol Max Unit
Collector?Emitter Voltage MJD47, NJVMJD47T4G MJD50, NJVMJD50T4G V CEO 250 400 Vdc
Collector?Base Voltage MJD47, NJVMJD47T4G MJD50, NJVMJD50T4G V CB 350 500 Vdc
Emitter?Base Voltage V EB 5 Vdc
Collector Current ? Continuous I C 1 Adc
Collector Current ? Peak I CM 2 Adc
Base Current I B 0.6 Adc
Total Power Dissipation @ T C = 25 ? C Derate above 25 ? C P D 15 0.12 W W/ ? C
Total Power Dissipation (Note 1) @ T A = 25 ? C Derate above 25 ? C P D 1.56 0.0125 W W/ ? C
Operating and Storage Junction Temperature Range T J , T stg ?65 to +150 ? C
ESD ? Human Body Model HBM 3B V
ESD ? Machine Model MM C V

需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件。若超過(guò)這些限制,不能保證器件的功能,可能會(huì)造成損壞并影響可靠性。這些額定值適用于在推薦的最小焊盤(pán)尺寸上進(jìn)行表面貼裝時(shí)的情況。

熱特性

Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance Junction-to-Case ReUC 8.33 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (Note 2) RUA 80 °C/W
Lead Temperature for Soldering Purpose TL 260

同樣,這些熱特性額定值也是在推薦的最小焊盤(pán)尺寸上進(jìn)行表面貼裝時(shí)適用。

電氣特性

關(guān)斷特性

在關(guān)斷特性方面,不同型號(hào)的集電極 - 發(fā)射極維持電壓有所不同,如MJD47、NJVMJD47T4G為250Vdc,MJD50、NJVMJD50T4G為400Vdc。同時(shí),還給出了不同電壓條件下的集電極截止電流和發(fā)射極截止電流等參數(shù)。

導(dǎo)通特性

導(dǎo)通特性中,直流電流增益(h FE )在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下有不同的值,如在I C = 0.3 Adc,V CE = 10 Vdc時(shí)為30 - 150,在I C = 1 Adc,V CE = 10 Vdc時(shí)為10 - 150。此外,還給出了集電極 - 發(fā)射極飽和電壓和基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓等參數(shù)。

動(dòng)態(tài)特性

動(dòng)態(tài)特性包括電流增益 - 帶寬乘積(f T )和小信號(hào)電流增益(h fe )等參數(shù),這些參數(shù)對(duì)于評(píng)估晶體管在高頻和動(dòng)態(tài)信號(hào)處理中的性能至關(guān)重要。

典型特性

文檔中給出了多個(gè)典型特性圖,如功率降額圖、開(kāi)關(guān)時(shí)間等效電路圖、直流電流增益圖、“導(dǎo)通”電壓圖、熱響應(yīng)圖、有源區(qū)安全工作區(qū)圖、導(dǎo)通時(shí)間圖和關(guān)斷時(shí)間圖等。其中,有源區(qū)安全工作區(qū)圖顯示了晶體管在可靠運(yùn)行時(shí)必須遵守的I C - V CE 限制,即晶體管的耗散不能超過(guò)曲線(xiàn)所示的值。并且,數(shù)據(jù)是基于T J(pk) = 150°C,T C 根據(jù)條件可變。二次擊穿脈沖限制在占空比達(dá)10%且T J(pk) ≤150°C時(shí)有效,T J(pk) 可根據(jù)熱響應(yīng)圖中的數(shù)據(jù)計(jì)算得出。在高殼溫下,熱限制會(huì)使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。

訂購(gòu)信息

Device Package Shipping ?
MJD47G 369C (Pb?Free) 75 Units / Rail
MJD47T4G 369C (Pb?Free) 2,500 / Tape & Reel
NJVMJD47T4G* 369C (Pb?Free) 2,500 / Tape & Reel
MJD50G 369C (Pb?Free) 75 Units / Rail
MJD50T4G 369C (Pb?Free) 2,500 / Tape & Reel
NJVMJD50T4G* 369C (Pb?Free) 2,500 / Tape & Reel

需要注意的是,對(duì)于帶NJV前綴的產(chǎn)品適用于特定應(yīng)用且具備相關(guān)認(rèn)證。同時(shí),關(guān)于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息可參考相關(guān)手冊(cè)。

機(jī)械尺寸

文檔還給出了DPAK - 3封裝的機(jī)械尺寸,包括各部分的最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸等詳細(xì)信息。并且對(duì)尺寸標(biāo)注和公差等方面進(jìn)行了說(shuō)明。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師需要綜合考慮這些特性和參數(shù),以確保產(chǎn)品在各種應(yīng)用場(chǎng)景下都能穩(wěn)定可靠地工作。大家在使用這些晶體管時(shí),是否遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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