英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正持續(xù)擴(kuò)展其 CoolSiC JFET 產(chǎn)品組合，以滿足 AI 數(shù)據(jù)中心不斷增長(zhǎng)的需求，并積極響應(yīng)電源保護(hù)技術(shù)向固態(tài)化發(fā)展的趨勢(shì)。在此基礎(chǔ)上，英飛凌為CoolSiC JFET 產(chǎn)品組合增添新的器件、封裝選項(xiàng)和配置，旨在為高性能的供配電系統(tǒng)和用電保護(hù)系統(tǒng)提供支持。公司于去年推出的首批采用 QDPAK 封裝的 750 V 和 1200 V CoolSiC JFET 器件現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。在 PCIM Europe 2026 ，英飛凌還將展出更多的封裝選項(xiàng)以及常關(guān)型（normally-off）CoolSiC JFET器件，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其分立器件產(chǎn)品組合，以滿足固態(tài)斷路器（SSCB）、電池開關(guān)以及 AI 數(shù)據(jù)中心供配電架構(gòu)等應(yīng)用需求，涵蓋電源單元（PSU）、備電單元（PBU），以及中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）熱插拔和 eFuse 設(shè)計(jì)。

在上述應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件通常處于導(dǎo)通狀態(tài)，故障等意外情況發(fā)生頻率低且持續(xù)時(shí)間短。因此，導(dǎo)通損耗、線性模型魯棒性以及雪崩能力成為工程師關(guān)注的關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)。為了滿足上述需求，英飛凌推出了采用業(yè)內(nèi)廣泛使用的 TO-247-4 封裝的 1200 V CoolSiC JFET器件。該器件的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最低可至 5.0 mΩ，能夠在無(wú)需重新設(shè)計(jì) PCB 的情況下，直接替換采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的現(xiàn)有SiC MOSFET 設(shè)計(jì)。此外，英飛凌還通過(guò)新增常關(guān)型（normally-off）CoolSiC JFET 器件配置，將 CoolSiC JFET 器件與英飛凌的OptiMOS 低壓Si MOSFET 集成在單個(gè)封裝中，進(jìn)一步擴(kuò)展了CoolSiC JFET的產(chǎn)品組合：

雙路驅(qū)動(dòng)（Dual Drive）配置可分別接入SiC JFET 和 Si MOSFET 的柵極，從而在整個(gè)PCB 層面實(shí)現(xiàn)全面控制并提高設(shè)計(jì)靈活性。該配置還支持在 VGS= 2 V 的條件下過(guò)驅(qū)（overdrive）運(yùn)行，可將導(dǎo)通電阻（RDS(on)）降低約 10%。其中，750 V 的產(chǎn)品型號(hào)提供 TOLL封裝 和 QDPAK 封裝兩個(gè)封裝選項(xiàng)，而 1200 V 的產(chǎn)品型號(hào)則采用 QDPAK 封裝。

共源共柵（Cascode）配置在器件內(nèi)部集成了 SiC JFET 的柵極，但僅對(duì)外引出 MOSFET 的柵極。這使其能夠與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)配合，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的即插即用操作，無(wú)需專用電路。該配置適用于對(duì)開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗要求都較為嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景。750 V 的產(chǎn)品型號(hào)采用 TOLL 封裝。

已量產(chǎn)的采用QDPAK 封裝的 CoolSiC JFET 器件中，750 V的產(chǎn)品型號(hào)導(dǎo)通電阻低至 1.6 mΩ，1200 V 的產(chǎn)品型號(hào)導(dǎo)通電阻低至2.3 mΩ，在相同電壓等級(jí)的 SiC 器件中處于最低水平。

所有器件均采用了英飛凌的 .XT 互連技術(shù)和擴(kuò)散焊工藝，能夠提升器件在脈沖和循環(huán)負(fù)載工作條件下的熱性能與可靠性。這些器件均在實(shí)際工作條件下經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，即使在過(guò)載和故障等情況下仍能可靠運(yùn)行?；?CoolSiC JFET 的固態(tài)保護(hù)方案，其開關(guān)速度相較于機(jī)電系統(tǒng)快了數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)，可以降低損壞風(fēng)險(xiǎn)、盡最大可能減少宕機(jī)時(shí)間并延長(zhǎng)整個(gè)系統(tǒng)的使用壽命。在 AI 數(shù)據(jù)中心中，這種故障隔離能力有助于保護(hù)高價(jià)值的計(jì)算與存儲(chǔ)資產(chǎn)，同時(shí)支持更高的功率密度與更長(zhǎng)的系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間。在固態(tài)斷路器 （SSCB）、繼電器和電池管理系統(tǒng)等工業(yè)級(jí)應(yīng)用中，CoolSiC JFET器件能夠在快速切斷故障的同時(shí)，確保器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的長(zhǎng)期可靠性。

英飛凌目前能夠提供廣泛的 CoolSiC JFET 分立器件產(chǎn)品組合，涵蓋的產(chǎn)品型號(hào)眾多，分別采用QDPAK封裝、TO-247-4 封裝和 TOLL 封裝等不同的封裝方式，以及常開型（normally-on）、雙驅(qū)動(dòng)（Dual Drive）和共源共柵（Cascode）等多種配置，可支持較寬的導(dǎo)通電阻范圍、柵極驅(qū)動(dòng)方案及組裝需求，并延續(xù)了CoolSiC 系列產(chǎn)品一貫的高可靠性優(yōu)勢(shì)。

供貨情況

采用 QDPAK 封裝的750 V 和 1200 V CoolSiC JFET 器件將于 2026 年投入量產(chǎn)。采用 TO-247-4 封裝以及采用雙驅(qū)動(dòng)（Dual Drive）和共源共柵（Cascode）配置的其他產(chǎn)品型號(hào)，目前已經(jīng)可以面向客戶提供工程樣品，并將在 2026 年投入量產(chǎn)。

在即將于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2026展會(huì)上，英飛凌將在7號(hào)展廳470號(hào)展臺(tái)展示其 CoolSiC JFET 分立器件產(chǎn)品組合。