BQ25628/BQ25629:高效單節(jié)電池充電管理芯片的深度解析
在當(dāng)今的電子設(shè)備中,電池充電管理芯片的性能直接影響著設(shè)備的續(xù)航能力、安全性和穩(wěn)定性。TI推出的BQ25628和BQ25629芯片,作為高度集成的2A開關(guān)模式電池充電管理和系統(tǒng)電源路徑管理設(shè)備,為單節(jié)鋰離子和鋰聚合物電池提供了卓越的解決方案。本文將深入剖析這兩款芯片的特性、功能及應(yīng)用,為電子工程師們提供全面的參考。
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1. 芯片概述
BQ25628和BQ25629專為單節(jié)鋰離子和鋰聚合物電池設(shè)計,具備I2C控制功能,輸入電壓范圍寬至3.9V - 18V,最大充電電流可達(dá)2A,還支持NVDC電源路徑管理和OTG輸出。它們集成了輸入反向阻斷FET(RBFET)、高端開關(guān)FET(HSFET)、低端開關(guān)FET(LSFET)和電池FET(BATFET),以及高端柵極驅(qū)動器的自舉二極管,大大簡化了電路設(shè)計。
2. 關(guān)鍵特性
2.1 高效充電
采用1.5MHz同步開關(guān)模式降壓充電器,效率高,在5V輸入下,輸出電流低至25mA時效率仍大于90%。充電終止電流可在5mA - 310mA之間以5mA為步長進(jìn)行調(diào)整,靈活性強(qiáng)。
2.2 溫度管理
具備靈活的JEITA配置文件,可根據(jù)溫度調(diào)整充電策略,確保電池在安全的溫度范圍內(nèi)充電。同時,芯片在電池僅供電模式下靜態(tài)電流低至1.5μA,運輸模式下電池泄漏電流為0.15μA,關(guān)機(jī)模式下為0.1μA,有效延長了電池的續(xù)航時間。
2.3 寬輸入源支持
支持3.9V - 18V的寬輸入工作電壓范圍,絕對最大輸入電壓可達(dá)26V。通過輸入電壓調(diào)節(jié)(VINDPM)和輸入電流調(diào)節(jié)(IINDPM),可最大化源功率,且VINDPM能自動跟蹤電池電壓。
2.4 電源路徑管理
采用NVDC電源路徑管理,即使電池耗盡或不存在,系統(tǒng)也能立即啟動。當(dāng)適配器滿載時,電池可提供補(bǔ)充電源,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
2.5 高精度控制
充電電壓調(diào)節(jié)精度為±0.4%,充電電流調(diào)節(jié)精度為±5%,輸入電流調(diào)節(jié)精度為±5%,保證了充電的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
2.6 安全保護(hù)
具備熱調(diào)節(jié)和熱關(guān)斷功能,以及輸入、系統(tǒng)和電池過壓保護(hù),電池和轉(zhuǎn)換器過流保護(hù),充電安全定時器等多重安全保護(hù)措施,確保電池充電和系統(tǒng)運行的安全性。
3. 功能詳解
3.1 上電復(fù)位(POR)
芯片從VBUS和BAT中較高的電壓為內(nèi)部偏置電路供電。當(dāng)任一電壓超過欠壓鎖定(UVLO)閾值時,所有寄存器將復(fù)位為POR值,I2C接口啟用,同時會生成一個不可屏蔽的INT脈沖,之后主機(jī)即可訪問所有寄存器。
3.2 設(shè)備上電
- 從電池上電:當(dāng)僅存在電池且VBAT高于耗盡閾值(VBAT_UVLOZ)時,芯片執(zhí)行上電復(fù)位,然后打開BATFET將電池連接到系統(tǒng)。REGN LDO輸出保持關(guān)閉以最小化靜態(tài)電流。
- 從輸入源上電:當(dāng)插入有效輸入源且VBAT < VBAT_UVLOZ時,芯片執(zhí)行上電復(fù)位,檢查輸入源電壓以打開REGN LDO和所有偏置電路,檢測并設(shè)置輸入電流限制后啟動降壓轉(zhuǎn)換器。
3.3 電源路徑管理
- NVDC架構(gòu):采用NVDC架構(gòu),通過BATFET將系統(tǒng)與電池分離。最小系統(tǒng)電壓由VSYSMIN寄存器設(shè)置,即使電池完全耗盡,系統(tǒng)也能調(diào)節(jié)到最小系統(tǒng)電壓。
- 動態(tài)功率管理:為滿足USB最大電流限制并避免適配器過載,芯片具備動態(tài)功率管理(DPM)功能,可實時監(jiān)測輸入電流和輸入電壓,當(dāng)輸入源過載時,自動降低充電電流。
- 高阻抗模式:主機(jī)可通過設(shè)置EN_HIZ = 1將芯片置于高阻抗模式,此時RBFET、HSFET和LSFET關(guān)閉,BATFET打開,REGN禁用,數(shù)字時鐘減慢以節(jié)省功率。
3.4 電池充電管理
- 自主充電周期:當(dāng)電池充電啟用時,芯片可自主完成充電周期,無需主機(jī)干預(yù)。默認(rèn)充電參數(shù)可通過I2C進(jìn)行調(diào)整,以滿足不同的充電需求。
- 電池充電曲線:芯片采用五階段充電策略,包括涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電和可選的頂部充電階段,確保電池充電的安全性和高效性。
- 充電終止:當(dāng)充電電流低于終止閾值且電池電壓高于再充電閾值時,芯片自動終止充電周期。為避免過早終止,在IINDPM、VINDPM或熱調(diào)節(jié)環(huán)路激活時,芯片不會終止充電。
3.5 USB On-The-Go(OTG)
- 升壓OTG模式:支持升壓轉(zhuǎn)換器操作,可將電池的功率傳輸?shù)絇MID。輸出電壓可在VOTG中設(shè)置,進(jìn)入升壓OTG模式需滿足一系列條件,如BAT高于VBAT_OTG、VBUS小于VBAT + VSLEEP等。
- 旁路OTG模式:提供旁路模式,可直接將電池連接到PMID引腳,實現(xiàn)最高效率的功率傳輸。進(jìn)入旁路OTG模式需滿足特定條件,退出條件也有明確規(guī)定。
- PMID電壓指示器(PMID_GD):用于驅(qū)動外部PMOS FET,在過流和過壓條件下斷開電源路徑,保護(hù)連接到PMID的附件設(shè)備。
3.6 集成12位ADC監(jiān)測
芯片提供集成的12位ADC,可用于主機(jī)監(jiān)測各種系統(tǒng)參數(shù)。ADC默認(rèn)禁用,以節(jié)省功率,可通過設(shè)置ADC_EN位啟用。在電池僅供電條件下,ADC的操作與電池電壓有關(guān)。
3.7 狀態(tài)輸出
- 中斷和狀態(tài)標(biāo)志:芯片通過中斷引腳(INT)通知主機(jī)狀態(tài)變化,每個事件都有狀態(tài)字段、標(biāo)志位和掩碼位。標(biāo)志位在狀態(tài)字段轉(zhuǎn)換時設(shè)置,掩碼位可控制是否生成INT脈沖。
- 充電狀態(tài)指示器(STAT):通過開放漏極STAT引腳指示充電狀態(tài),可驅(qū)動LED。STAT引腳功能可通過DIS_STAT位禁用。
3.8 BATFET控制
芯片集成了雙向阻斷BATFET,可通過BATFET_CTRL寄存器位控制,支持關(guān)機(jī)模式、運輸模式和系統(tǒng)電源復(fù)位。不同模式下BATFET的狀態(tài)和操作方式各不相同。
3.9 保護(hù)功能
芯片在不同模式下具備全面的電壓和電流監(jiān)測及保護(hù)功能,包括電池欠壓鎖定、電池過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、系統(tǒng)過壓保護(hù)、正向轉(zhuǎn)換器逐周期電流限制、系統(tǒng)短路保護(hù)、電池過壓保護(hù)、睡眠和不良源比較器、PMID OVP和VBUS過流保護(hù)等,確保芯片和電池的安全運行。
4. 寄存器映射
芯片的寄存器通過I2C接口進(jìn)行編程,包含多個8位和16位寄存器,用于設(shè)置充電參數(shù)、監(jiān)測狀態(tài)和控制功能。不同寄存器的功能和位描述詳細(xì),工程師可根據(jù)需求進(jìn)行靈活配置。
5. 應(yīng)用與實現(xiàn)
5.1 典型應(yīng)用
典型應(yīng)用中,芯片可配置為I2C控制的電源路徑管理設(shè)備和單節(jié)電池充電器,適用于智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備。
5.2 設(shè)計要求
設(shè)計時需考慮VBUS范圍、輸入電流限制、快速充電電流、最小系統(tǒng)電壓和電池調(diào)節(jié)電壓等參數(shù)。
5.3 詳細(xì)設(shè)計步驟
- 電感選擇:1.5MHz的開關(guān)頻率允許使用小電感和電容值,電感飽和電流應(yīng)高于充電電流加上一半的紋波電流。
- 輸入電容:輸入電容應(yīng)提供足夠的紋波電流額定值,以吸收輸入開關(guān)紋波電流,建議使用低ESR陶瓷電容。
- 輸出電容:輸出電容應(yīng)具備足夠的紋波電流額定值,以吸收輸出開關(guān)紋波電流,可通過增加輸出濾波器LC來降低電壓紋波。
6. 布局指南
為了降低開關(guān)損耗和電磁干擾,布局時應(yīng)遵循特定的指南,如最小化開關(guān)節(jié)點的上升和下降時間,合理放置電容和電感,確保I2C SDA和SCL線遠(yuǎn)離SW節(jié)點等。
7. 總結(jié)
BQ25628和BQ25629芯片以其高效、靈活、安全的特性,為單節(jié)鋰離子和鋰聚合物電池的充電管理提供了優(yōu)秀的解決方案。電子工程師在設(shè)計相關(guān)產(chǎn)品時,可充分利用芯片的各項功能,結(jié)合實際應(yīng)用需求進(jìn)行合理配置和布局,以實現(xiàn)最佳的性能和可靠性。你在使用這兩款芯片的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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