新 品 發(fā) 布

溝槽柵型SiC MOSFET晶圓 | 溝槽柵型SiC MOSFET裸芯片布局

（樣品渲染圖）

三菱電機(jī)集團(tuán)于2026年6月4日宣布，將于同年6月下旬起陸續(xù)開始提供兩款新型第5代SiC MOSFET裸芯片樣品。該芯片適用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）及其他電動(dòng)化車輛（xEV）的電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器與eAxles1（電驅(qū)動(dòng)橋）。第5代SiC MOSFET芯片采用三菱電機(jī)獨(dú)有的溝槽柵結(jié)構(gòu)2，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)水平3的低導(dǎo)通電阻?，相比現(xiàn)有產(chǎn)品降低約25%?。

該芯片將在德國紐倫堡舉辦的PCIM Expo & Conference 2026（2026年6月9-11日）以及日本、中國等相關(guān)展會(huì)上展出。

三菱電機(jī)第5代SiC MOSFET裸芯片將有助于提升xEV逆變器與eAxles1的性能，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品小型化，從而延長xEV的續(xù)航里程、提高工作效率。此外，三菱電機(jī)獨(dú)有的制造工藝技術(shù)可有效抑制芯片在長期運(yùn)行中的性能下降。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

全新溝槽柵結(jié)構(gòu)降低SiC MOSFET導(dǎo)通電阻，有效提升xEV續(xù)航里程和工作效率

三菱電機(jī)獨(dú)有的扁平源極接觸（FSC）結(jié)構(gòu)6、新型溝槽柵結(jié)構(gòu)以及傳統(tǒng)斜角離子注入技術(shù)，在提高了元胞密度的同時(shí)促進(jìn)電流流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)水平3的低導(dǎo)通電阻。

其導(dǎo)通電阻比三菱電機(jī)現(xiàn)有溝槽柵型SiC MOSFET 降低約25%5，有助于提升xEV逆變器的性能并實(shí)現(xiàn)其小型化，進(jìn)而延長xEV的續(xù)航里程、提高工作效率。

全新溝槽柵型SiC MOSFET制造技術(shù)，長期維持xEV性能

三菱電機(jī)獨(dú)有的制造工藝技術(shù)可抑制因體二極管反向恢復(fù)導(dǎo)致的性能退化7，從而有助于穩(wěn)定器件質(zhì)量。

全新溝槽柵型SiC MOSFET能夠抑制開關(guān)過程中產(chǎn)生的功率損耗和導(dǎo)通電阻波動(dòng)。這得益于三菱電機(jī)20多年來在平面柵型/溝槽柵型8SiC MOSFET以及SiC SBD9研發(fā)和制造方面積累的專有技術(shù)，包括獨(dú)有的SiC工藝控制和獨(dú)特的柵極氧化膜制造方法。

穩(wěn)定的器件質(zhì)量將有助于xEV逆變器和eAxles1的耐久性，從而保證xEV的長期性能。

主 要 規(guī) 格

背景

市場對(duì)能夠高效轉(zhuǎn)換電力、促進(jìn)脫碳的功率半導(dǎo)體的需求日益增長。在汽車領(lǐng)域，為減少溫室氣體排放而推進(jìn)的車輛電動(dòng)化，使得用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器等功率變換設(shè)備中的功率半導(dǎo)體的需求不斷擴(kuò)大且趨于多樣化。其中，能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體備受期待。

三菱電機(jī)于1997年率先開始量產(chǎn)用于xEVs的功率半導(dǎo)體模塊。此后，三菱電機(jī)在克服逆變器小型化相關(guān)挑戰(zhàn)（包括提高熱循環(huán)下的可靠性11）方面取得了一系列成功，其產(chǎn)品已被多家電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）制造商采用。此外，自2010年三菱電機(jī)推出顯著降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體模塊以來，這些產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于空調(diào)、工業(yè)設(shè)備和鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)，為降低家電、工業(yè)設(shè)備和鐵路車輛的功耗做出了貢獻(xiàn)。

未來，三菱電機(jī)計(jì)劃擴(kuò)大其用于xEV及其他節(jié)能電力電子設(shè)備的高質(zhì)量、低損耗SiC MOSFET裸芯片的供應(yīng)，以支持綠色轉(zhuǎn)型。

1. 集成電機(jī)、逆變器和減速箱于一體的電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)單元。

2. 一種通過在晶圓表面刻蝕出溝槽并填充柵電極形成的結(jié)構(gòu)。

3. 三菱電機(jī)截至2026年5月29日的調(diào)查結(jié)果。

4. 導(dǎo)通電阻是指MOSFET等功率半導(dǎo)體在開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)下，漏極與源極之間的電阻值。

5. 將新產(chǎn)品與現(xiàn)有第4代溝槽柵型SiC MOSFET在相同額定電壓下進(jìn)行導(dǎo)通電阻比較，并對(duì)閾值電壓進(jìn)行了調(diào)整。

6. 一種在溝槽內(nèi)部嵌入絕緣膜的結(jié)構(gòu)。

7. MOSFET在關(guān)斷時(shí)，其體二極管自動(dòng)作為旁路導(dǎo)通的現(xiàn)象。

8. 在晶圓表面形成柵電極的多種結(jié)構(gòu)。

9. 利用半導(dǎo)體與金屬接觸界面產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘的二極管。

10. 《關(guān)于在電子電氣設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)的指令》（RoHS指令）。

11. 因外部環(huán)境等變化導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)品反復(fù)經(jīng)歷升溫和降溫的循環(huán)過程。

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2026年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營收58947億日元。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有70年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。